电平移位器和多电压域电路制造技术

一种电子电路被配置成响应于相对于补偿偏置电压(V<subgt;C</subgt;)的低电压下的至少启用信号(EN)而可切换地产生补偿偏置电压下的补偿偏置输出，并且包括：参考输入端、低电压输入端和高电压供应端，以及补偿偏置输出端(526)；电压补偿电路(510)，被配置成从第二电压产生补偿偏置电压；偏置电路(530)，用于提供偏置电流；以及高电压对峙电路(550)；其中电压补偿电路(510)包括：推挽电路；电压降电路(512)，包括连接以提供电压(M‑1).Vgs的二极管连接的p‑FET(P1、P3)；以及可变电流源，用于稳定电压补偿；推挽电路(520)包括具有栅极‑源极电压Vgs的另外的p‑FET和至少一个即N个n‑FET，至少一个即N个n‑FET被布置成在第一节点与补偿偏置输出端之间提供电压差Vgs+N.(Vt)。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及电平移位器，并且涉及用于电平移位器和其它应用的电子电路，例如多电压域电路。

技术介绍

1、许多电子电路，例如但不限于电力管理装置和电力输送装置，在相对较高的电压下操作。出于本公开的目的，如果电压相对于晶体管-晶体管逻辑(ttl)或其它数字电路系统的操作电压较大，那么其将被视为高电压。通常，此类数字装置在约5v±10％、2.5v±10％的电压下操作，或在cmos逻辑的情况下，通常在1.8v±10％或更低的电压下操作。高电压电路可通常在例如10v、24v或48v(例如，对于汽车应用来说是典型的)或例如100v或200v的较高电压下操作，这对于用于其它应用的电力输送可能是典型的。

2、因为数字控制电路中的晶体管通常可仅在低电压(例如，在典型cmos晶体管设计的情况下为5.5v或更小)下操作，所以高电压电子电路通常利用所谓的“电平移位器”。图1中示出概念性电平移位器100。电平移位器100连接到参考电压并且包括低电平电压轨va120，所述参考电压可以是如所示出的处于0v的接地电压110。可为数字信号的输入信号in130被提供在接地110与va本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子电路，其特征在于，被配置成响应于相对于补偿偏置电压(VC)的低电压下的至少启用信号(EN)而可切换地产生所述补偿偏置电压下的补偿偏置输出，并且包括：

2.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，另外包括上拉电路(540)，所述上拉电路被配置成响应于所述启用信号未启用所述电子电路而将所述偏置电压与所述第二电压相连。

3.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，N＝2，使得存在第一n-FET和第二n-FET，所述第一n-FET的栅极连接到所述另外的p-FET的所述栅极，所述第一n-FET的漏极连接到第二n-FET的栅极，所述第二n-FET的漏极连接到所...

【技术特征摘要】

1.一种电子电路，其特征在于，被配置成响应于相对于补偿偏置电压(vc)的低电压下的至少启用信号(en)而可切换地产生所述补偿偏置电压下的补偿偏置输出，并且包括：

2.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，另外包括上拉电路(540)，所述上拉电路被配置成响应于所述启用信号未启用所述电子电路而将所述偏置电压与所述第二电压相连。

3.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，n＝2，使得存在第一n-fet和第二n-fet，所述第一n-fet的栅极连接到所述另外的p-fet的所述栅极，所述第一n-fet的漏极连接到第二n-fet的栅极，所述第二n-fet的漏极连接到所述补偿偏置输出端，并且所述第一n-fet和所述第二n-fet中的每一者的源极连接到所述高电压供应端。

4.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，所述偏置电路包括被配置成接收输入偏置电流的偏置输入，以及被配置成提供所述偏置电流(ib1)作为所述输入偏置电流(ib)的副本的电流镜。

5.根据权利要求4所述的电子电路，其特征在于，另外包括第一开关，所述第一开关被配置成响应于所述启用信号未启用所述电子电...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱德拉·普拉卡什·蒂瓦里，孙涛，朱弘月，宋培滢，沈烨豪，
申请(专利权)人：恩智浦有限公司，
类型：发明
国别省市：