【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于新能源和环境保护领域,涉及一种z-机制cop3/cdzns p-n异质结的制备方法,具体地说,是涉及一种cop3量子点修饰的具有位错缺陷的cdzns形成的p-n异质结光催化材料的制备方法;进一步地,涉及一种z-机制cop3/cdzns法桐果状p-n异质结光催化材料的制备方法。
技术介绍
1、作为一种可持续资源,太阳能的有效利用可以缓解当前的能源和环境问题。基于半导体的光催化被认为是将太阳能转化为化学能的一种很有前途的策略。
2、近年来,cdxzn1-xs因其易于调制、抗光腐蚀和强可见光响应而被广泛研究。与cdzns纳米颗粒结构相比,一维纳米结构的cdzns为电子迁移提供了通道,并促进了光生载流子的快速迁移,将一维纳米结构的cdzns组装成多级结构,可进一步增强光吸收,然而,单独的cdzns光催化活性仍然很低。因此,设计和构筑高效光催材料仍面临着很大的挑战
3、异质结构的构建是进一步提高催化材料催化性能的有效策略之一,异质界面的存在不仅为光催化反应的进行提供了更多的活性位点,而且有助于促进光生电子-空
...【技术保护点】
1.一种Z-机制CoP3/CdZnS法桐果状p-n异质结光催化材料的制备方法,其特征在于,所述p-n异质结是由p型CoP3量子点修饰的n型CdZnS纳米构建单元构成CoP3/CdZnS p-n异质结,所述CdZnS纳米构建单元具有位错缺陷结构,CoP3量子点修饰在CdZnS纳米构建单元表面能形成无数微小的异质界面,所述CoP3/CdZnS p-n异质结纳米构建单元自组装成法桐果状自组装体,所述光催化材料具有Z-机制光催化机理,其制备方法具体包括下述步骤:
【技术特征摘要】
1.一种z-机制cop3/cdzns法桐果状p-n异质结光催化材料的制备方法,其特征在于,所述p-n异质结是由p型cop3量子点修饰的n型cdzns纳米构建单元构成cop3/cdzns p-n异质结,所述cdzns纳米构建单元具有...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙瑞鸿,王德宝,李慧欣,张毅然,宋彩霞,
申请(专利权)人:青岛科技大学,
类型:发明
国别省市:
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