一种声波谐振器及滤波器制造技术

公开了一种声波谐振器及滤波器，声波谐振器包括：压电层；以及第一电极和第二电极，位于所述压电层的第一表面上，所述第一电极和所述第二电极分别包括主干以及与所述主干相连接的多个分枝，所述第一电极的多个分枝与所述第二电极的多个分枝交错排列以形成叉指结构；其中，所述多个分枝包括：在所述主干的第一侧边与所述主干相连接的连接部；以及远离所述主干的第一侧边的端部；所述主干的第一侧边区域的至少一部分、所述多个分枝中的至少一个分枝的端部以及所述多个分枝中的至少一个分枝的连接部中的至少一个在所述压电层的第一表面向上弯折，形成与压电层第一表面之间的气隙。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种声波谐振器及滤波器。

技术介绍

1、在第五代移动通信(5g)技术标准下，以n77、n78、n79为代表的新频段，其频率范围在3-5ghz，相对带宽在12％-24％之间，而传统射频前端滤波器多采用基于块体铌酸锂或钽酸锂衬底的表面声波(saw)、基于aln或sc掺杂aln薄膜的体声波(baw)谐振器技术实现，其相对带宽大多数在10％以下，甚至不超过5％，这使得面向5g应用的射频前端滤波器面临着频率提升和带宽拓展的双重困难。

2、随着离子切片技术的成熟，使得在硅衬底或其他复合衬底上能够实现百纳米到几微米厚度的铌酸锂(linbo3，简称ln)或钽酸锂(litao3，简称lt)单晶压电薄膜，从而可以利用这类单晶压电薄膜的优良压电特性制作出高频、大带宽滤波器，这类谐振器一般采用叉指型电极结构激励。

3、在叉指型电极结构中，一般采用电极总线将同一极性电极条连接在一起，其中，叉指型电极结构有效电极之外的部分与相反极性的电极之间产生寄生模式。而通过拉开相反极性的电极间距减小耦合时，又会导致非有效区域电极条长度增加，从本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种声波谐振器，包括：

2.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，位于不同分枝上的气隙的高度以及长度可以相同或者不同。

3.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，还包括衬底，所述衬底包括基底层，为所述压电层提供支撑；

4.根据权利要求3所述的声波谐振器，其中，所述衬底还包括键合层，所述压电层经由所述键合层附接至所述基底层上。

5.根据权利要求3或4所述的声波谐振器，其中，还包括布拉格反射层，所述布拉格反射层位于所述压电层与所述基底层之间。

6.根据权利要求5所述的声波谐振器，其中，当所述压电层的第一表面附接于所述衬底上时，所...

【技术特征摘要】

1.一种声波谐振器，包括：

2.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，位于不同分枝上的气隙的高度以及长度可以相同或者不同。

3.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，还包括衬底，所述衬底包括基底层，为所述压电层提供支撑；

4.根据权利要求3所述的声波谐振器，其中，所述衬底还包括键合层，所述压电层经由所述键合层附接至所述基底层上。

5.根据权利要求3或4所述的声波谐振器，其中，还包括布拉格反射层，所述布拉格反射层位于所述压电层与所述基底层之间。

6.根据权利要求5所述的声波谐振器，其中，当所述压电层的第一表面附接于所述衬底上时，所述第一电极和第二电极嵌于所述衬底中，所述布拉格反射层适应性地发生弯曲。

7.根据权利要求3所述的声波谐振器，其中，所述衬底内具有空腔，所述空腔为从所述衬底与所述压电层接触的表面向着所述衬底的内部延伸，并停止于所述衬底内部的凹槽，或者为贯穿所述衬底的通孔。

8.根据权利要求7所述的声波谐振器，其中，所述压电层包括：

9.根据权利要求8所述的声波谐振器，其中，所述多个分枝的连接部或全部位于所述第一区域，或部分位于第一区域、部分位于第二区域，或全部位于第二区域。

10.根据权利要求8所述的声波谐振器，其中，所述主干的第一侧区域或全部位于第一区域，或部分位于第一区域、部分位于第二区域，或全部位于第二区域。

11.根据权利要求8所述的声波谐振器，其中，所述多个分枝的端部或全部位于第一区域，或部分位于第一区域、部分位于第二区域，或全部位于第二区域。

12.根据权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述第一电极和所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：庞慰，杨清瑞，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：