【技术实现步骤摘要】
本技术是一种直接覆铝陶瓷基板表面局部镀挂具，属于半导体。
技术介绍
1、dba(direct bonding aluminum直接覆铝陶瓷基板)基板具有优良的热循环性能、高热导率以及优秀的界面键合可靠性，是大功率半导体器件的理想封装基板之一。直接覆铝陶瓷基板与芯片焊接时，要确保dba表面可焊性、导电性等性能，因此需要在直接覆铝陶瓷基板表面进行化学局部镀镍金。
2、采用感光干膜对直接覆铝陶瓷基板进行局部选择性曝光并且进行化学镀镍金后，在碱性去膜时镍金层容易出现脱落等现象，因此采用丝网印刷耐酸碱可剥胶的方式进行直接覆铝陶瓷基板局部涂覆，非涂覆区进行化学镀镍金，但可剥胶粘度大，保证性能条件下厚度≥120μm，导致在进行局部化学镀镍金时产生的气泡在容易在可剥胶边部聚集，进而导致局部镍金层出现厚度不均匀、鼓包等现象。亟待一种直接覆铝陶瓷基板表面局部化学镀挂具，解决上述问题。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的不足，本技术目的是提供一种直接覆铝陶瓷基板表面局部镀挂具，以解决上述
技术介绍
中...
【技术保护点】
1.一种直接覆铝陶瓷基板表面局部镀挂具，包括顶框架(1)，其特征在于：所述顶框架(1)为矩形结构，所述顶框架(1)底部连接固定有两个对称布置的侧框架(3)，所述侧框架(3)为矩形结构，所述侧框架(3)与顶框架(1)垂直布置，两个所述侧框架(3)之间设有两个平行布置的上固定杆(8)，所述上固定杆(8)的两端分别固定在两个侧框架(3)中部位置，两个所述上固定杆(8)正下方均设有下固定杆(5)，所述下固定杆(5)的两端分别固定在侧框架(3)底部，所述上固定杆(8)下表面一侧连接固定有多个均匀布置的用于限制直接覆铝陶瓷基板端部位置的上斜齿(10)，所述下固定杆(5)上表面远离...
【技术特征摘要】
1.一种直接覆铝陶瓷基板表面局部镀挂具，包括顶框架(1)，其特征在于：所述顶框架(1)为矩形结构，所述顶框架(1)底部连接固定有两个对称布置的侧框架(3)，所述侧框架(3)为矩形结构，所述侧框架(3)与顶框架(1)垂直布置，两个所述侧框架(3)之间设有两个平行布置的上固定杆(8)，所述上固定杆(8)的两端分别固定在两个侧框架(3)中部位置，两个所述上固定杆(8)正下方均设有下固定杆(5)，所述下固定杆(5)的两端分别固定在侧框架(3)底部，所述上固定杆(8)下表面一侧连接固定有多个均匀布置的用于限制直接覆铝陶瓷基板端部位置的上斜齿(10)，所述下固定杆(5)上表面远离上斜齿(10)的一侧连接固定有多个均匀布置的与上斜齿(10)相配合用于限制直接覆铝陶瓷基板端部位置的下斜齿(6)。
2.根据权利要求1所述的一种直接覆铝陶瓷基板表面局部镀挂具，其特征在于：所述上斜齿(10)的倾斜角度为30°-50°，所述下斜齿(6)的倾斜角度为30°-50°。
3.根据权利要求1所述的一种直接覆铝陶瓷基板表面局部镀挂具，其特征在于：所述上斜齿(10)...
【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳鹏，武威，季成龙，王斌，
申请(专利权)人：江苏富乐华半导体科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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