System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种双重包覆QDs@SiO2@Al2O3量子点及其制备方法技术_技高网

一种双重包覆QDs@SiO2@Al2O3量子点及其制备方法技术

技术编号:41407678 阅读:5 留言:0更新日期:2024-05-20 19:34
本发明专利技术属于量子点材料领域,具体涉及一种双重包覆QDs@SiO<subgt;2</subgt;@Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;量子点及其制备方法;所述制备方法包括下述步骤:S1、将量子点加入至混合有机溶液中搅拌得到量子点溶液;S2、向量子点溶液中加入硅源溶液,搅拌直至沉淀凝絮得到混合物一;S3、对混合物一进行离心处理收集沉淀物,使用有机溶剂对沉淀物多次洗涤,再对洗涤后的沉淀物进行真空冷冻和干燥处理得到QDs@SiO<subgt;2</subgt;粉末;S4、将QDs@SiO<subgt;2</subgt;粉末粉末样品通过筛网进行筛选,除去较大的结块样品,将筛选后的QDs@SiO<subgt;2</subgt;粉末加入原子层沉积反应器中,将三甲基铝作为Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;的前驱体,并用N<subgt;2</subgt;作为载气进行吹扫,使得QDs@SiO<subgt;2</subgt;粉末均匀涂层,形成致密的Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;保护膜,最终得到双重包覆QDs@SiO<subgt;2</subgt;@Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;量子;所述原子层沉积的温度为60℃‑90℃,且循环次数为50‑100次。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于量子点材料领域,具体涉及一种双重包覆qds@sio2@al2o3量子点及其制备方法。


技术介绍

1、量子点材料因其具有发光波长连续可调、窄半峰宽、高色纯度、量子产率高、成本较低和易于溶液加工等优点已成为发光领域的明星材料。

2、但是量子点本身具有离子特性,且表面配体处于动态结合状态,易受到环境中水氧分子的侵蚀,导致表面配体脱落,造成钙钛矿量子点材料稳定性差,而其稳定性恶化最终会导致基于量子点的产品的使用寿命变短。

3、为此提出一种双重包覆qds@sio2@al2o3量子点及其制备方法。


技术实现思路

1、针对现有技术的不足,本专利技术提出一种双重包覆qds@sio2@al2o3量子点及其制备方法。

2、本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现:

3、一种双重包覆qds@sio2@al2o3量子点的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:

4、s1、将量子点加入至混合有机溶液中搅拌得到量子点溶液;

5、s2、向量子点溶液中加入硅源溶液,搅拌直至沉淀凝絮得到混合物一;

6、s3、对混合物一进行离心处理收集沉淀物,使用有机溶剂对沉淀物多次洗涤,再对洗涤后的沉淀物进行真空冷冻和干燥处理得到qds@sio2粉末;

7、s4、将qds@sio2粉末粉末样品通过筛网进行筛选,除去较大的结块样品,将筛选后的qds@sio2粉末加入原子层沉积反应器中,将三甲基铝作为al2o3的前驱体,并用n2作为载气进行吹扫,使得qds@sio2粉末均匀涂层,形成致密的al2o3保护膜,最终得到双重包覆qds@sio2@al2o3量子;

8、所述原子层沉积的温度为60℃-90℃,且循环次数为50-100次。

9、优选地,步骤s1中量子点和混合有机溶液的添加比为:(10-100mg):(100-160ml)。

10、优选地,所述混合有机溶液的组成成分包括甲苯、油酸以及油胺,所述甲苯、油酸以及油胺的体积比为500:(2~10):(3~15)。

11、优选地,步骤s2中量子点溶液与硅源溶液的体积比为:(100-160ml):(200-400ul)。

12、优选地,步骤s2中所述硅源为四甲基氧基硅烷或硅酸乙酯中的一种。

13、优选地,步骤s3中用于洗涤的有机溶剂为己烷、石油醚、无水乙醇、n,n-二甲基甲酰胺以及二甲基亚砜中的一种或多种的混合物。

14、优选地,步骤s4中所用的筛网网孔孔径为0.1-0.2mm;步骤s4中所述n2浓度为95%-99%。

15、一种双重包覆qds@sio2@al2o3量子点由上述所述的制备方法制备而成。

16、优选地,所述双重包覆qds@sio2@al2o3量子点包括位于内部量子点,所述量子点的外部包裹有sio2包覆层,所述sio2包覆层的外部包裹有al2o3包覆层。

17、本专利技术的有益效果:

18、本专利技术通过在量子点外表面连续包覆sio2和al2o3,实现了双重致密包覆阻隔水氧,显著减少猝灭态密度,在不影响量子点光电性能的基础上,大幅提高量子点的稳定性,进而提高基于量子点产品的使用寿命。

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【技术保护点】

1.一种双重包覆QDs@SiO2@Al2O3量子点的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:

2.根据权利要求书1所述的制备方法,其特征在于,步骤S1中量子点和混合有机溶液的添加比为:(10-100mg):(100-160mL)。

3.根据权利要求书1所述的制备方法,其特征在于,所述混合有机溶液的组成成分包括甲苯、油酸以及油胺,所述甲苯、油酸以及油胺的体积比为500:(2~10):(3~15)。

4.根据权利要求书1所述的制备方法,其特征在于,步骤S2中量子点溶液与硅源溶液的体积比为:(100-160mL):(200-400uL)。

5.根据权利要求书1所述的制备方法,其特征在于,步骤S2中所述硅源为四甲基氧基硅烷或硅酸乙酯中的一种。

6.根据权利要求书1所述的制备方法,其特征在于,步骤S3中用于洗涤的有机溶剂为己烷、石油醚、无水乙醇、N,N-二甲基甲酰胺以及二甲基亚砜中的一种或多种的混合物。

7.根据权利要求书1所述的制备方法,其特征在于,步骤S4中所用的筛网网孔孔径为0.1-0.2mm;步骤S4中所述N2浓度为95%-99%。

8.一种双重包覆QDs@SiO2@Al2O3量子点由权利要求1-7任一所述的制备方法制备而成。

9.根据权利要求8所述的一种双重包覆QDs@SiO2@Al2O3量子点,其特征在于,所述双重包覆QDs@SiO2@Al2O3量子点包括位于内部的量子点(1),所述量子点的外部包裹有SiO2包覆层(2),所述SiO2包覆层的外部包裹有Al2O3包覆层(3)。

10.如权利要求8所述的一种双重包覆QDs@SiO2@Al2O3量子点在显示器领域应用。

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【技术特征摘要】

1.一种双重包覆qds@sio2@al2o3量子点的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:

2.根据权利要求书1所述的制备方法,其特征在于,步骤s1中量子点和混合有机溶液的添加比为:(10-100mg):(100-160ml)。

3.根据权利要求书1所述的制备方法,其特征在于,所述混合有机溶液的组成成分包括甲苯、油酸以及油胺,所述甲苯、油酸以及油胺的体积比为500:(2~10):(3~15)。

4.根据权利要求书1所述的制备方法,其特征在于,步骤s2中量子点溶液与硅源溶液的体积比为:(100-160ml):(200-400ul)。

5.根据权利要求书1所述的制备方法,其特征在于,步骤s2中所述硅源为四甲基氧基硅烷或硅酸乙酯中的一种。

6.根据权利要求书1所述的制备方法,其特...

【专利技术属性】
技术研发人员:魏宇炀高正浩韩杰炜冯钱刘子扬顾辉汪丽茜潘江涌
申请(专利权)人:南京信息工程大学
类型:发明
国别省市:

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