【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及射频封装器件的去嵌，更具体地，涉及一种qfn射频封装器件的去嵌方法。
技术介绍
1、随着现代无线通信网络的快速发展，通信系统的应用频段进入毫米波范围，波长与片上组件尺寸相当，电子系统对集成电路的需求趋向于高频段、大带宽、高速率和小尺寸。为了射频系统的高密度化，射频芯片的封装常采用方形扁平无引脚(qfn，quad flatnon-leaded)封装。qfn封装属于器件无引脚封装，尺寸非常小，常见的有3*3mm、4*4mm、5*5mm、6*6mm等几种，qfn封装腹部是接地散热焊盘，其四周有实现电气连接的导电焊盘。目前的qfn封装器件的测量环境常采用复杂的测试基台或测试底座完成，测试基台需搭配精密的射频探针，qfn测试底座也需根据型号尺寸定制。
2、对于射频器件的测量，通常需要一个专用的夹具来协助获取被测件的微波特性，为了获取待测器件的本征散射参数(s参数)，去嵌是将电参考面从测量参考平面转移到本征待测参考平面，从而消除夹具的影响。
3、经典的trl去嵌技术由直通、反射和延长线三个校准件组成，被广泛用于...
【技术保护点】
1.一种QFN射频封装器件的去嵌方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的QFN射频封装器件的去嵌方法，其特征在于，所述夹具包括：
3.如权利要求1所述的QFN射频封装器件的去嵌方法，其特征在于，所述两倍直通结构校准件中的两个夹具对称设置在所述QFN射频封装待测件的左右两侧，所述两个夹具满足以下条件：
4.如权利要求1所述的QFN射频封装器件的去嵌方法，其特征在于，若所述QFN射频封装待测件为有源器件，所述方法还包括：将所述QFN射频封装待测件的栅极电压和漏极电压的直流偏置接触焊盘，并接入对应的直流偏置电压。
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【技术特征摘要】
1.一种qfn射频封装器件的去嵌方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的qfn射频封装器件的去嵌方法，其特征在于，所述夹具包括：
3.如权利要求1所述的qfn射频封装器件的去嵌方法，其特征在于，所述两倍直通结构校准件中的两个夹具对称设置在所述qfn射频封装待测件的左右两侧，所述两个夹具满足以下条件：
4.如权利要求1所述的qfn射频封装器件的去嵌方法，其特征在于，若所述qfn射频封装待测件为有源器件，所述方法还包括：将所述qfn射频封装待测件的栅极电压和漏极电压的直流偏置接触焊盘，并接入对应的直流偏置电压。
5.如权利要求1所述的qfn射频封装器件的去嵌方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.如权利要求...
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