【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及射频封装器件的去嵌，更具体地，涉及一种qfn射频封装器件的去嵌方法。
技术介绍
1、随着现代无线通信网络的快速发展，通信系统的应用频段进入毫米波范围，波长与片上组件尺寸相当，电子系统对集成电路的需求趋向于高频段、大带宽、高速率和小尺寸。为了射频系统的高密度化，射频芯片的封装常采用方形扁平无引脚(qfn，quad flatnon-leaded)封装。qfn封装属于器件无引脚封装，尺寸非常小，常见的有3*3mm、4*4mm、5*5mm、6*6mm等几种，qfn封装腹部是接地散热焊盘，其四周有实现电气连接的导电焊盘。目前的qfn封装器件的测量环境常采用复杂的测试基台或测试底座完成，测试基台需搭配精密的射频探针，qfn测试底座也需根据型号尺寸定制。
2、对于射频器件的测量，通常需要一个专用的夹具来协助获取被测件的微波特性，为了获取待测器件的本征散射参数(s参数)，去嵌是将电参考面从测量参考平面转移到本征待测参考平面，从而消除夹具的影响。
3、经典的trl去嵌技术由直通、反射和延长线三个校准件组成，被广泛用于射频微波测量
trl去嵌技术有一定的限制，首先直通标准件和延长线标准件的特征阻抗和传播常数要求相同；其次为使延长线与直通的相位差满足20°至160°，宽频带去嵌需要多条延长线校准件，不论trl去嵌设计的复杂程度，还是多标准件引入的误差，都会对高频段的去嵌精度产生很大影响。
4、近年来，自动夹具去嵌(afr)得到了快速发展。文献(chen b,ye x,samaras b,eta
5、由此，亟需一种新的技术方案以解决上述技术问题。
技术实现思路
1、在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
2、第一方面，本专利技术提出一种qfn射频封装器件的去嵌方法，包括：
3、基于高频板材设计去嵌套件，其中，去嵌套件包括待测件夹具底座以及两倍直通结构校准件，两倍直通结构校准件由待测件夹具底座左右两个夹具直接相连构建而成；
4、将qfn射频封装器件焊接于待测件夹具底座，以构建qfn射频封装待测件；
5、利用矢量网络分析仪对qfn射频封装待测件和两倍直通结构校准件进行校准测量，以获得qfn射频封装待测件和两倍直通结构校准件的散射参数；
6、基于两倍直通结构校准件的散射参数，利用时域反射技术，获得qfn射频封装器件左右两个夹具误差盒的八项误差；
7、利用八项误差和qfn射频封装待测件的散射参数，完成qfn射频封装待测件的去嵌。
8、可选地，夹具包括：设置在pcb上的第一射频连接器、第一直通传输线、第二射频连接器和第二直通传输线，其中，第一射频连接器和第一直通传输线，以及第二射频连接器和第二直通传输线在qfn射频封装待测件的两侧对称设置，qfn射频封装待测件经过孔与pcb下方的信号地连通，第一直通传输线与第二直通传输线是连接qfn射频封装器件与qfn射频封装待测件的引线，第一射频连接器和第二射频连接器基于矢量网络分析仪的同轴线尺寸基准进行设置。
9、可选地，两倍直通结构校准件中的两个夹具对称设置在qfn射频封装待测件的左右两侧，两个夹具满足以下条件：
10、其中，zfixturea right为第一夹具的右端口的参考阻抗，zfixtureb left为第二夹具的左端口的参考阻抗的复共轭；
11、方法还包括：
12、基于两倍直通结构校准件的信号流图，获得两倍直通结构校准件的散射参数与左右两个夹具误差盒的误差项之间的关系：
13、以及其中，e1 00、e1 01、e1 10、e1 11分别为第一夹具误差盒的四个误差项；e2 11、e2 10、e201、e2 00分别为第二夹具误差盒的四个误差项。
14、可选地，若qfn射频封装待测件为有源器件，方法还包括：将qfn射频封装待测件的栅极电压和漏极电压的直流偏置接触焊盘，并接入对应的直流偏置电压。
15、可选地，方法还包括：对矢量网络分析仪进行校准。
16、可选地，获得qfn射频封装器件左右两个夹具误差盒的八项误差，包括：
17、提取变量s11和s21；
18、结合时域反射技术，对变量s21进行第一操作，以获得两倍直通结构校准件的中心位置，其中，第一操作包括直流插值和傅里叶逆变换；
19、结合时域反射技术，基于变量s11提取两倍直通结构校准件的中心位置的阻抗；
20、对阻抗进行归一化处理，以利用归一化后的特性阻抗修正两倍直通结构校准件的散射参数；
21、对修正后的两倍直通结构校准件的散射参数进行直流插值后进行傅里叶逆变换，以对傅里叶逆变换的结果进行移位处理，使得信号的零频率分量被移到中心位置，获得时域响应；
22、将时域响应从中心位置之后的所有元素置零；
23、将时域响应的直流插值零频率分量从中心位置平移到最左侧后，对结果进行傅里叶变换运算，以获得频域响应；
24、基于时域响应、频域响应以及修正后的两倍直通结构校准件的散射参数，计算出左右两个夹具误差盒的误差项，具体通过以下公式计算：
25、
26、
27、可选地，左右两个夹具误差盒的八项误差为：
28、其中，fa为第一夹具误差盒的散射参数矩阵，误差矩阵fb为第二夹具误差盒的散射参数矩阵。
29、可选地，完成qfn射频封装待测件的去嵌，包括：
30、利用第一公式将散射参数转为传输参数：
31、
32、可选地，完成qfn射频封装待测件的去嵌，还包括：
33、根据第一公式将第一夹具的散射参数和第二夹具的散射参数转换为传输参数，以获得去嵌后的传输参数矩阵：
34、其中，tde-embedding是qfn射频封装待测件去嵌后所得的传输参数矩阵，tfixturea、tfixtureb分别是第一夹具和第二夹具的级联传输参数误差矩阵，tdut是qfn射频封装待测件未去嵌的传输参数矩阵；
35、利用第二公式将去嵌后所得的传输参数矩阵转换为本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种QFN射频封装器件的去嵌方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的QFN射频封装器件的去嵌方法，其特征在于，所述夹具包括：
3.如权利要求1所述的QFN射频封装器件的去嵌方法，其特征在于，所述两倍直通结构校准件中的两个夹具对称设置在所述QFN射频封装待测件的左右两侧，所述两个夹具满足以下条件：
4.如权利要求1所述的QFN射频封装器件的去嵌方法，其特征在于，若所述QFN射频封装待测件为有源器件，所述方法还包括：将所述QFN射频封装待测件的栅极电压和漏极电压的直流偏置接触焊盘，并接入对应的直流偏置电压。
5.如权利要求1所述的QFN射频封装器件的去嵌方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.如权利要求3所述的QFN射频封装器件的去嵌方法，其特征在于，所述获得所述QFN射频封装器件左右两个夹具误差盒的八项误差，包括：
7.如权利要求6所述的QFN射频封装器件的去嵌方法，其特征在于，所述左右两个夹具误差盒的八项误差为：
8.如权利要求7所述的QFN射频封装器件的去嵌方法，其特征在于，所述完成
9.如权利要求8所述的QFN射频封装器件的去嵌方法，其特征在于，所述完成所述QFN射频封装待测件的去嵌，还包括：
10.一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现权利要求1至9任一项所述的QFN射频封装器件的去嵌方法。
...【技术特征摘要】
1.一种qfn射频封装器件的去嵌方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的qfn射频封装器件的去嵌方法，其特征在于，所述夹具包括：
3.如权利要求1所述的qfn射频封装器件的去嵌方法，其特征在于，所述两倍直通结构校准件中的两个夹具对称设置在所述qfn射频封装待测件的左右两侧，所述两个夹具满足以下条件：
4.如权利要求1所述的qfn射频封装器件的去嵌方法，其特征在于，若所述qfn射频封装待测件为有源器件，所述方法还包括：将所述qfn射频封装待测件的栅极电压和漏极电压的直流偏置接触焊盘，并接入对应的直流偏置电压。
5.如权利要求1所述的qfn射频封装器件的去嵌方法，其特征在于，所述方法还包括：
6.如权利要求...
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