稠环芳香烃衍生物及其制备方法和在光刻中的应用技术

本发明专利技术属于光刻胶技术领域，具体涉及稠环芳香烃衍生物的化学放大负性光刻胶及其制备方法和应用。所述光刻胶中基体成分为通式(I)所示的稠环芳香烃衍生物，可以在光刻胶常用的有机溶剂中溶解。本发明专利技术的光刻胶组合物可以制备得到均匀的薄膜，在制膜过程中，作为基体成分的分子玻璃不析出。由本发明专利技术的光刻胶组合物制备的薄膜具有良好的分辨率、光敏性、粘附性，且易于保存。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光刻胶，具体涉及一类稠环芳香烃衍生物及其制备方法和在光刻中的应用。

技术介绍

1、在集成电路的制造中，光刻技术是非常关键的一道工艺，其利用光刻胶在曝光时发生的化学反应，将掩模版上的电路图转移到光刻胶薄膜上，经过后续的刻蚀工艺，再将图案转移到硅衬底上。因此，光刻胶是光刻以及刻蚀工艺中最为重要的材料，光刻胶的分辨率决定着集成电路的关键尺寸和集成度。

2、光刻胶由主体材料、感光剂(光致产酸剂)、溶剂和添加剂组成。随着集成电路的不断发展，对光刻胶的性能要求也越来越高。光刻胶的分辨率、灵敏度以及线边缘粗糙度或者线宽粗糙度是光刻胶性能评价的三个重要参数。这三个参数之间相互制约，目前，科研人员致力于研究如何协调三个参数之间的关系，以设计出更好的光刻胶材料。化学放大光刻胶可以通过光致产酸剂分解产生的酸，使材料中酸敏感的基团发生脱保护或交联的反应，同时释放出新的酸，从而起到大大提高光刻胶灵敏度的效果。传统的高分子化学放大胶由于分子量大且分布不均匀，会导致光刻胶的分辨率低、线边缘粗糙度差的问题。分子玻璃光刻胶的主体材料是一种小分子化合物，具有较高的玻本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.式(Ⅰ)所示的化合物：

2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述稠环芳香烃选自C9-40芳烃，优选C10-16芳烃；

3.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于，Ra、Rb、Rc、Rd相同或不同，彼此独立地选自H或条件是Ra、Rb、Rc、Rd中的一个、两个、三个或四个为

4.根据权利要求1-3任一项所述的化合物，其特征在于，式(Ⅰ)所示的衍生物优选具有式(A)或式(B)所示的结构：

5.根据权利要求1-4任一项所述的化合物，其特征在于，所述化合物选自如下结构：

6.权利要求1-5任一项所述化合物的制备方法，包括如...

【技术特征摘要】

1.式(ⅰ)所示的化合物：

2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述稠环芳香烃选自c9-40芳烃，优选c10-16芳烃；

3.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于，ra、rb、rc、rd相同或不同，彼此独立地选自h或条件是ra、rb、rc、rd中的一个、两个、三个或四个为

4.根据权利要求1-3任一项所述的化合物，其特征在于，式(ⅰ)所示的衍生物优选具有式(a)或式(b)所示的结构：

5.根据权利要求1-4任一项所述的化合物，其特征在于，所述化合物选自如下结构：

6.权利要求1-5任一项所述化合物的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨国强，丛雪，郭旭东，胡睿，王双青，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：