【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于真空电子器件的微波源，具体涉及一种基于多级互耦的锁频锁相结构构成的磁控管阵列。
技术介绍
1、磁控管作为目前世界上保有量最多的电真空器件，具有成本低、体积小、效率高、功率高、可工作频段宽(在微波到太赫兹频段都有应用)等优点。磁控管在现代微波领域中具有重要作用。随着科学技术如雷达、电子对抗、航天技术一级微波能应用的发展，对磁控管提出了更高、更新的要求。高功率微波技术中微波功率源的关键器件是大功率高效率微波发生器和功率合成器。磁控管作为高功率微波发生器是一种复杂幅相特性微波器件，通常其幅度易受工作条件的影响、频率和相位随机变化、幅度和相位变化相互牵连。由于理论功率容量的限制，单支高效率磁控管往往不能满足高功率微波应用的需求。产生大功率长脉冲微波的一个有效方式是低成本且高效率的功率合成技术，其中核心技术是大功率磁控管的锁频锁相技术。
2、电子科技大学在期刊《ieee electron device letters》上发表了题为“high-efficiency phase-locking of millimeter-w...
【技术保护点】
1.一种基于多级互耦的锁频锁相结构构成的磁控管阵列，其特征在于，包括若干个磁控管、若干个一级耦合组件、至少一个二级耦合组件；
2.如权利要求1所述的一种基于多级互耦的锁频锁相结构构成的磁控管阵列，其特征在于，结合两种组阵方式，使任意锁相组件满足锁相要求的耦合场谐振条件，构成第三种组阵方式的磁控管阵列。
3.如权利要求2所述的一种基于多级互耦的锁频锁相结构构成的磁控管阵列，其特征在于，耦合组件的通道长度为n倍驻波半波长；n为奇数时，两个磁控管输出微波反相；n为偶数时，两个磁控管输出微波同相。
4.如权利要求3所述的一种基于多级互耦的锁...
【技术特征摘要】
1.一种基于多级互耦的锁频锁相结构构成的磁控管阵列，其特征在于，包括若干个磁控管、若干个一级耦合组件、至少一个二级耦合组件；
2.如权利要求1所述的一种基于多级互耦的锁频锁相结构构成的磁控管阵列，其特征在于，结合两种组阵方式，使任意锁相组件满足锁相要求的耦合场谐振条件，构成第三种组阵方式的磁控管阵列。
3.如权利要求2所述的一种基于多级互耦的锁频锁相结构构成的磁控管阵列，其特征在于，耦合组件的通道长度为n倍驻波半波长；n为奇数时，两个磁控管输出微波反相；n为偶数时，两个磁控管输出微波同相。
4.如权利要求3所述的一种基于多级互耦的锁频锁相结构构成的磁控管阵列，其特征在于，n级耦合桥的腔壁上设置的耦合缝隙位于整数倍驻波半波长高频场中任一的一个半波长场处。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：毕亮杰，李海龙，王彬，殷勇，蒙林，郑琼，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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