多层电子组件制造技术

本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体外部并且连接到所述内电极，其中，当所述内电极包括铪(Hf)时，1.5≤Hfs/Hfc≤5.0，Hfc表示内电极的中心的平均Hf含量(at％)，Hfs表示从所述内电极的中心到所述内电极与所述介电层接触的界面测量的所述内电极的平均Hf含量(at％)。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种多层电子组件。

技术介绍

1、多层陶瓷电容器(mlcc，一种多层电子组件)可以是安装在各种电子产品(诸如成像装置(诸如液晶显示器(lcd)或等离子显示面板(pdp))、计算机、智能电话或移动电话)的印刷电路板上以用于在其中充电或从其放电的片式电容器。

2、由于mlcc小型化、具有高电容并且容易安装，因此mlcc可用作各种电子装置的组件。随着诸如计算机和移动装置的各种电子装置中的每种电子装置具有更小的尺寸和更高的输出，对具有更小的尺寸和更高的电容的mlcc的需求不断增加。

3、然而，mlcc即使在具有小尺寸时也需要保持等效电容，因此还需要mlcc的介电层和内电极均具有小的厚度和多层结构。mlcc的电容可与介电层的介电常数和内电极的有效面积成正比，并且与介电层的厚度成反比。这里，与增加介电层的相对介电常数相比，通过使介电层和内电极各自具有较小的厚度和多层结构或者通过增加内电极的连接性来增加有效电极面积以实现更高的电容可能是更容易的，因此正在积极地对其进行研究。

4、为了使mlcc具有更小的厚度，首先需要开发用于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多层电子组件，包括：

2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述至少一个内电极中包括的Hf的平均原子含量从所述至少一个内电极的中心朝向所述界面逐渐增加。

3.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，1.5≤Hfs1/Hfc≤5.0，Hfs1表示在从所述界面朝向所述至少一个内电极的中心100nm内的区域中的Hf的平均原子含量。

4.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述至少一个内电极中包括的Hf的平均含量大于等于0.01at％且小于等于20.0at％。

5.根据权利要求4所述的多层电子组件，其中，所述至少一个内电极中包括的...

【技术特征摘要】

1.一种多层电子组件，包括：

2.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述至少一个内电极中包括的hf的平均原子含量从所述至少一个内电极的中心朝向所述界面逐渐增加。

3.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，1.5≤hfs1/hfc≤5.0，hfs1表示在从所述界面朝向所述至少一个内电极的中心100nm内的区域中的hf的平均原子含量。

4.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述至少一个内电极中包括的hf的平均含量大于等于0.01at％且小于等于20.0at％。

5.根据权利要求4所述的多层电子组件，其中，所述至少一个内电极中包括的hf的平均含量大于等于5.0at％且小于等于20.0at％。

6.根据权利要求5所述的多层电子组件，其中，hf以氧化铪的形式存在。

7.根据权利要求6所述的多层电子组件，其中，所述至少一个内电极中包括的氧化铪的面积相对于所述至少一个内电极的面积为0.001％或更大且1.0％或更小。

8.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述至少一个内电极中包括的hf的平均含量大于等于0.025wt％且小于等于50.0wt％。

9.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述至少一个内电极具有0.6μm或更小的平均厚度。

10.根据权利要求9所述的多层电子组件，其中，所述介电层具有0.6μm或更小的平均厚度。

11.根据权利要求1所述的多层电子组件，其中，所述主体包括在第一方向上彼此相对的第一表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄现俊，朴辰琼，郑善日，李佶勇，姜秀智，郑文成，张原硕，金政民，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：