扩展像素动态范围方法、图像传感器、电子设备及介质技术

本发明专利技术提供扩展像素动态范围的方法、图像传感器、电子设备及可读存储介质。所述扩展像素动态范围的方法，是基于LOFIC像素结构的长短曝光时序实现，通过曝光期间复位晶体管RST的开关状态，控制LOFIC电容的复位与电荷积累两种状态，在单次曝光中获得长短两种曝光时间的信号，避免了传统长曝光和短曝光分开进行而造成的运动伪影现象，在一次读出中实现两种信号的相关双采样操作，以消除复位噪声。本发明专利技术不增加额外晶体管和曝光时间，在保留低光下的高转换增益的同时，扩展了高光下的动态范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及图像传感器，特别是涉及一种基于lofic像素结构的长短曝光时序扩展像素动态范围的方法、图像传感器、电子设备及可读存储介质。

技术介绍

1、高性能cmos图像传感器(cmos image sensor，cis)对于相机成像性能和成像质量起到至关重要的作用。评价cmos图像传感器性能的一项重要指标是动态范围(dynamicrange,dr)。动态范围指示了cmos图像传感器能够在同一帧图像中同时探测到的最大光强信号和最小光强信号的范围，动态范围的高低影响着图像对比度细节的好坏，动态范围的提升对于cis发展至关重要。

2、提升cmos图像传感器动态范围的方法之一是横向溢出集成电容(lateraloverflow integration capacitor，lofic)技术。该技术在像素中利用晶体管将光电二极管(photo diode,pd)与横向溢出电容连接，使高光强下pd溢出的光生电子收集到lofic中，突破了pd满阱容量对总满阱的限制，有效扩展了像素在高光强下的量化范围。然而，随着芯片尺寸逐渐缩小，在像素面积的限制下，lofic电容本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.扩展像素动态范围的方法，其特征在于，基于LOFIC像素结构的长短曝光时序实现，包括步骤：

2.一种图像传感器，包括LOFIC像素结构,其特征在于，所述图像传感器采用权利要求1所述扩展像素动态范围的方法扩展像素动态范围。

3.一种电子设备，其特征在于，包括处理器，存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的程序或指令，所述程序或指令被所述处理器执行时实现如权利要求1所述扩展像素动态范围的方法的步骤。

4.一种可读存储介质，其特征在于，所述可读存储介质上存储程序或指令，所述程序或指令被处理器执行时实现如权利要求1所述扩展像素动态范围的方法的步骤。...

【技术特征摘要】

1.扩展像素动态范围的方法，其特征在于，基于lofic像素结构的长短曝光时序实现，包括步骤：

2.一种图像传感器，包括lofic像素结构,其特征在于，所述图像传感器采用权利要求1所述扩展像素动态范围的方法扩展像素动态范围。

3.一种电子设备，其特征在于，包括处理器，存储器及...

【专利技术属性】
技术研发人员：高志远，张蔷，马彪，聂凯明，高静，徐江涛，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：