【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于冷却功率电子器件的冷却器。此外,本专利技术还涉及一种装置,其包括冷却器连同功率电子器件。
技术介绍
1、在功率电子器件中的功率半导体引导大电流。由此造成的导通损耗和开关损耗是在较小面积上排出的大的损耗热量功率的起因。最大允许的半导体温度在此是处于失效临界点的,因此重要的是最小化在半导体和冷却剂之间的热阻。为了有效冷却,将在此观察的功率电子器件应用于流体穿流的冷却器。冷却肋片装置通常处在这些冷却器中,流体流过这些冷却肋片装置。
技术实现思路
1、按本专利技术的冷却器尤其构造用于冷却功率电子器件。这种功率电子器件具有一个或多个功率半导体,功率半导体通常布置在基板中。冷却器包括壳体,壳体构造用于安放功率电子器件。壳体优选设计成板形,例如带有两块板,板在它们之间限定了一条冷却通道,该冷却通道能被冷却流体穿流。冷却通道形成了空腔。带有多个肋片的冷却肋片装置处在这个空腔中。冷却通道以及冷却肋片装置构造用于穿引冷却的流体。
2、尤其用在液态的聚集状态下的流体进行冷却。这
...【技术保护点】
1.用于冷却功率电子器件(101)的冷却器(1),包括
2.根据权利要求1所述的冷却器,其中,所述冷却肋片装置(7)具有至少两个、优选至少三个、特别优选至少四个弱冷却区域(21),所述弱冷却区域沿着所述纵轴分布并且间隔开。
3.根据前述权利要求中任一项所述的冷却器,其中,在至少一个强冷却区域(20)中,所述冷却肋片装置(7)的肋片(9)沿横向于所述纵轴(30)测量的话,要比在至少一个相邻的弱冷却区域(21)中的所述肋片(9)更为紧密。
4.根据前述权利要求中任一项所述的冷却器,其中,在至少一个弱冷却区域(21)中没有构造肋片(9)。
5.根...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.用于冷却功率电子器件(101)的冷却器(1),包括
2.根据权利要求1所述的冷却器,其中,所述冷却肋片装置(7)具有至少两个、优选至少三个、特别优选至少四个弱冷却区域(21),所述弱冷却区域沿着所述纵轴分布并且间隔开。
3.根据前述权利要求中任一项所述的冷却器,其中,在至少一个强冷却区域(20)中,所述冷却肋片装置(7)的肋片(9)沿横向于所述纵轴(30)测量的话,要比在至少一个相邻的弱冷却区域(21)中的所述肋片(9)更为紧密。
4.根据前述权利要求中任一项所述的冷却器,其中,在至少一个弱冷却区域(21)中没有构造肋片(9)。
5.根据前述权利要求中任一项所述的冷却器,其中,所述冷却肋片装置(7)通过板材改型成湍流板材进行生产并且至少一个弱冷却区域(21)是在所述湍流板材中的切割出的、特别是冲裁出的自由空间。
6.根据前述权利要求中任一项所述的冷却器,其中,所述弱冷却区域(21)为了流动转向而构造成逐渐变细。
7.根据前述权利要求中任一项所述的冷却器,其中,在至少一个强冷却区域...
【专利技术属性】
技术研发人员:M·F·贝克,M·佩里施,
申请(专利权)人:罗伯特·博世有限公司,
类型:发明
国别省市:
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