一种低边MOSFET驱动短路保护电路制造技术

本技术公开了一种低边MOSFET驱动短路保护电路，包括负载、MOSFET驱动控制电路、短路保护电路和三极管Q1，所述负载包括电阻R1，所述MOSFET驱动控制电路包括电阻R2、R3、R4、R9，三极管Q2、Q3，所述短路保护电路包括电阻R5、R6、R7、R8、三极管Q4、Q5，所述三极管Q1为为N沟道增强型MOS管，所述电阻R9与MOS_Control相连接，所述MOS_Control为MCU控制MOSFET驱动输出引脚。该种保护电路实现了低边MOSFET驱动电路在短路的状态下，依靠硬件电路进行关闭输出，从而达到短路保护的目的，同时节省了MCU端口资源。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及汽车车窗控制电路，特别涉及一种低边mosfet驱动短路保护电路。

技术介绍

1、现有通用的mosfet驱动输出电路，mos_control为功率器件控制端口，ad_voltage_sense为输出电压信号采样；当短路到电源现象发生时，软件通过mcu端口读取输出电平状态，从而进行逻辑处理，关闭mosfet驱动输出信号进行短路保护，当前方案在短路状态下存在以下问题：

2、1、软件识别短路电压过程中，会经历采样、滤波及转换等一系列处理，增加了mosfet关断的时间；

3、2、软件关断输出后，mosfet的栅极经电阻放电逐渐降低电压关闭mosfet，也增加了mosfet关闭的时间；

4、3、当短路时，mosfet长时间未关断会导致功率器件过热损坏。为此，我们提出了一种低边mosfet驱动短路保护电路。

技术实现思路

1、为了解决上述问题，本技术提供一种低边mosfet驱动短路保护电路。

2、本技术中的一种低边mosfet驱动短路保护电路，包括负载、mosfet本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低边MOSFET驱动短路保护电路，包括负载(1)、MOSFET驱动控制电路(2)、短路保护电路(3)和三极管Q1，其特征在于，所述负载(1)包括电阻R1，所述MOSFET驱动控制电路(2)包括电阻R2、R3、R4、R9，三极管Q2、Q3，所述短路保护电路(3)包括电阻R5、R6、R7、R8、三极管Q4、Q5，所述三极管Q1为为N沟道增强型MOS管，所述电阻R9与MOS_Control相连接，所述MOS_Control为MCU控制MOSFET驱动输出引脚。

2.根据权利要求1所述的一种低边MOSFET驱动短路保护电路，其特征在于，所述电阻R1与三极管Q1漏极连接，所述电...

【技术特征摘要】

1.一种低边mosfet驱动短路保护电路，包括负载(1)、mosfet驱动控制电路(2)、短路保护电路(3)和三极管q1，其特征在于，所述负载(1)包括电阻r1，所述mosfet驱动控制电路(2)包括电阻r2、r3、r4、r9，三极管q2、q3，所述短路保护电路(3)包括电阻r5、r6、r7、r8、三极管q4、q5，所述三极管q1为为n沟道增强型mos管，所述电阻r9与mos_control相连接，所述mos_control为mcu控制mosfet驱动输出引脚。

2.根据权利要求1所述的一种低边mosfet驱动短路保护电路，其特征在于，所述电阻r1与三极管q1漏极连接，所述电阻r1另一端与电阻r2相连接，电阻r1与电阻r2连接线接+24v电源，所述电阻r2与电阻r3相连接，所述电阻r3与三极管q3集电极相连接，所述三极管q3基极与电阻r9相连接，所述三极管q3发射极与三极管q1源极相连接，所述三极管q1栅极与连接电阻r2与电阻r3的导线相连接，所述三极管q1与三极管q3之间并联有电阻r4以及三极管q2，所述电阻r4一端与三极管q1栅极相连接，所述电阻r4另一端接...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚国民，陈焕焕，段威，唐培杰，
申请(专利权)人：上海技涵电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：