一种串并联多级旋转磁流变阻尼器的设计方法技术

技术编号:41375548 阅读:28 留言:0更新日期:2024-05-20 10:19
本发明专利技术提供一种串并联多级旋转磁流变阻尼器的设计方法,包括以下步骤:首先确定串并联多级旋转磁流变阻尼器的级数,包括径向多级和轴向多级;对阻尼器工作区域部位的磁力线走向进行分析,由于磁路走向涉及到并联分流和曲折磁路,建立工作区域的等效磁路;根据导磁材料、磁流变液和隔磁环的磁阻,建立多级设计条件;根据多级设计条件以及磁阻公式,对磁路部分的尺寸参数进行设计;根据磁路以及导磁材料的近似磁导率,计算出等效磁路的总磁阻,并且根据磁路欧姆定律计算所需要的安匝数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要属于磁流变阻尼器,尤其涉及一种串并联多级旋转磁流变阻尼器的设计方法


技术介绍

1、旋转磁流变阻尼器是一种灌装磁流变液的半主动阻尼元器件,在磁场的作用下磁流变液发生流变输出可控的阻尼力矩,具有阻尼力矩输出范围宽、响应速度快、可控性好等优点,在旋转工况具有较好的应用前景。但是旋转磁流变阻尼器还存在一些问题,例如输出阻尼力矩小,磁流变液利用率不高等。对于旋转磁流变阻尼器,设计难点在于在有限的体积提升其阻尼力矩。

2、目前,在旋转磁流变阻尼器的结构设计过程中,一方面主要是改变阻尼器的结构,例如t型旋转磁流变阻尼器,另一方面增加旋转磁流变阻尼器的盘数或筒数,例如多盘式磁流变阻尼器;目的都是为了增大有效阻尼面积,从而提高输出阻尼力矩。但是目前存在的旋转式阻尼器并没有对装配的体积进行充分的利用,磁流变液的利用率低,磁力线垂直穿过的实际有效阻尼面积小等缺点。


技术实现思路

1、为了解决旋转磁流变阻尼器在结构和磁路的设计方面存在的上述缺点,本专利技术提出一种串并联多级旋转磁流变阻尼器的设计方法。...

【技术保护点】

1.一种串并联多级旋转磁流变阻尼器的设计方法,其特征在于,阻尼器由多个转筒和多个定筒组成多级结构,第一个转筒和第一个定筒组成的区域为串并联多级旋转磁流变阻尼器的1级结构,第二个转筒和第二个定筒组成的区域为它的2级结构,以此类推,在多级结构中,磁力线会发生并联分流;

2.根据权利要求1所述的一种串并联多级旋转磁流变阻尼器的设计方法,其特征在于,步骤S2所述的对阻尼器工作区域部位的磁力线走向进行分析,建立工作区域的等效磁路,将等效磁路简化分析;

3.根据权利要求1所述的一种串并联多级旋转磁流变阻尼器的设计方法,其特征在于,所述的1级结构需要满足两个设计条件才能形成串并...

【技术特征摘要】

1.一种串并联多级旋转磁流变阻尼器的设计方法,其特征在于,阻尼器由多个转筒和多个定筒组成多级结构,第一个转筒和第一个定筒组成的区域为串并联多级旋转磁流变阻尼器的1级结构,第二个转筒和第二个定筒组成的区域为它的2级结构,以此类推,在多级结构中,磁力线会发生并联分流;

2.根据权利要求1所述的一种串并联多级旋转磁流变阻尼器的设计方法,其特征在于,步骤s2所述的对阻尼器工作区域部位的磁力线走向进行分析,建立工作区域的等效磁路,将等效磁路简化分析;

3.根据权利要求1所述的一种串并联多级旋转磁流变阻尼器的设计方法,其特征在于,所述的1级结构需要满足两个设计条件才能形成串并联分流磁路,第一个条件是1级结构转筒上的第一个隔磁环大于之后磁力线经过的区域的磁阻之和;第二个条件是1级结构定筒的磁阻等于之后磁力线经过的区域的磁阻之和,即1级结构的设计条件如下式:

4...

【专利技术属性】
技术研发人员:王群赵秋洁李永卿于云飞
申请(专利权)人:北京工业大学
类型:发明
国别省市:

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