【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及芯片，具体地，涉及一种芯片失效检测保护装置及电源芯片。
技术介绍
1、现有技术中，可用于地失效检测的技术选择相对有限。其中一种常见的方法是通过高边开关驱动器进行地失效检测。这种方法的实施过程具体为：通过监测芯片的供电电压，当电压降到一定程度时，即会触发地失效检测阈值。
2、然而，该技术存在显著的不足之处：该技术涉及繁琐的程序操作，仅能检测单一地失效，无法满足多样化的应用场景，导致该技术的适用范围相对较窄，无法满足各种应用需求。
技术实现思路
1、本文中描述的实施例提供了一种芯片失效检测保护装置以及电源芯片，旨在提供地失效检测以及地失效保护双重功能，满足更多应用需求。
2、根据本公开的第一方面，提供了一种芯片失效检测保护装置，所述芯片中的电源芯片为芯片上的模组供电；所述模组的模组地与芯片的系统地连接，所述电源芯片自身的地与所述模组地连接，所述芯片失效检测保护装置包括：
3、芯片地失效检测电路，用于在检测到电源芯片自身的地与模组地之间的连接...
【技术保护点】
1.一种芯片失效检测保护装置，其特征在于，所述芯片中的电源芯片为芯片上的模组供电；所述模组的模组地与芯片的系统地连接，所述电源芯片自身的地与所述模组地连接，所述芯片失效检测保护装置包括：
2.根据权利要求1所述的芯片失效检测保护装置，其特征在于，所述控制电路还用于在所述芯片地失效使能信号以及所述模组地失效使能信号不使能情况下，打开所述电源芯片的供电输出。
3.根据权利要求1所述的芯片失效检测保护装置，其特征在于，所述芯片地失效检测电路包括：参考回路以及多个并联的芯片地失效检测回路；
4.根据权利要求3所述的芯片失效检测保护装置，其特...
【技术特征摘要】
1.一种芯片失效检测保护装置，其特征在于，所述芯片中的电源芯片为芯片上的模组供电；所述模组的模组地与芯片的系统地连接，所述电源芯片自身的地与所述模组地连接，所述芯片失效检测保护装置包括：
2.根据权利要求1所述的芯片失效检测保护装置，其特征在于，所述控制电路还用于在所述芯片地失效使能信号以及所述模组地失效使能信号不使能情况下，打开所述电源芯片的供电输出。
3.根据权利要求1所述的芯片失效检测保护装置，其特征在于，所述芯片地失效检测电路包括：参考回路以及多个并联的芯片地失效检测回路；
4.根据权利要求3所述的芯片失效检测保护装置，其特征在于，所述第一参考n型mos管与所述第一n型mos管的宽长比为n:1，所述参考电流源的电流与所述第一电流源的输出电流比为n：1。
5.根据权利要求3所述的芯片失效检测保护装置，其特征在于，所述第二参考n型mos管与所述第一n型mos管的宽长比为2n...
【专利技术属性】
技术研发人员：王侠，刘富梅，卢昭阳，李灏南，李润德，王强，张玉枚，
申请(专利权)人：芯洲科技北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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