辐射发射器和制造辐射发射器的方法技术

本发明专利技术的示例性实施例涉及制造辐射发射器(100)的方法，包括以下步骤：在衬底(10)之上制造下层堆叠(20)，下层堆叠(20)包括下接触层(21)和至少一个下反射器(22)；在下层堆叠(20)之上制造中间层堆叠(30)，中间层堆叠(30)包括至少一个有源层(31)和至少一个孔隙层(32)；在中间层堆叠(30)之上制造上层堆叠(40)，上层堆叠(40)包括至少一个上反射器(42)和上接触层(41)；和通过局部去除至少上层堆叠(40)，形成至少包括上层堆叠(40)的台面段的台面。在形成台面之后或之前，在上层堆叠(40)的台面段内部蚀刻深度(D)小于上层堆叠(40)厚度(T)的至少一个盲孔(60)，并用导热材料(70)填充至少一个盲孔(60)。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍

1、垂直腔面发射激光器(vcsel)和边发射激光器(eel)是快速增加系统光谱的关键装置。众所周知，vcsel是工作站集群或超级计算机中的短距离和中距离互连件的主要光源，因为它们具有较高的比特率和较低的每比特能耗。比特率增加和能耗(定义为能量与数据比edr)这两个参数目前都是获得了重大进展的主题。在这些参数之间需要权衡。edr随着比特率的增加而快速增加。因此，给定系统的vcsel的最佳特性取决于其比特率[larisch等人，《光学快报》(optics express)，2020年6月28日]。

2、人们迫切需要通过进一步增加给定或未来工作站集群的光学互连件的比特率，特别是发光vcsel的比特率来增加这些工作站集群的容量。它们的比特率随驱动电流的平方根增加。增加该电流受到给定饱和电流下输出功率饱和的限制，超过所述给定饱和电流，输出功率就会下降。这种饱和是由于装置的有源区域加热，导致其发射波长偏离与通常由布拉格反射器组成的输出镜的窄透射曲线的共振。

3、工作站集群或超级计算机的工作负载是不稳定的。处理器根据实际需求快速调整其本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制造辐射发射器(100)的方法，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，

4.根据权利要求3所述的方法，其中，

5.根据前述权利要求3至4中任一项所述的方法，其中所述上接触材料和所述导热材料(70)是不同的材料。

6.根据前述权利要求3至4中任一项所述的方法，其中所述上接触材料和所述导热材料(70)是相同的材料。

7.根据前述权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，用所述导热材料(70)填充所述至少一个盲孔(60)的步骤和为所述上接触层(41)提供...

【技术特征摘要】

1.一种制造辐射发射器(100)的方法，所述方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，

4.根据权利要求3所述的方法，其中，

5.根据前述权利要求3至4中任一项所述的方法，其中所述上接触材料和所述导热材料(70)是不同的材料。

6.根据前述权利要求3至4中任一项所述的方法，其中所述上接触材料和所述导热材料(70)是相同的材料。

7.根据前述权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，用所述导热材料(70)填充所述至少一个盲孔(60)的步骤和为所述上接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：田思聪，迪特尔·宾贝格，曼苏尔·艾哈迈德，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：