基于相关关系的套刻键标定心系统及其方法技术方案

技术编号:41365891 阅读:17 留言:0更新日期:2024-05-20 10:13
本发明专利技术公开了一种能够精确地寻找套刻键标图案的中心坐标,以能够精确地测量和检查形成在晶圆上的精细图案的对准状态的基于相关关系的套刻键标定心系统及其方法。所述基于相关关系的套刻键标定心方法包括粗略搜索步骤和精确搜索步骤,在所述粗略搜索步骤中,将套刻目标图像的尺寸调整为预设尺寸,并且通过在调整后的图像中计算第一相关关系值来计算粗略中心坐标的步骤,在所述精确搜索步骤中,在套刻目标图像的原始图像中以粗略中心坐标为基准来计算第二相关关系值,从而计算精确中心坐标。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体工艺,更具体地,涉及一种在半导体工艺中基于相关关系对套刻键标进行定心(centering)的套刻键标定心系统及其方法。


技术介绍

1、在半导体工艺中,在晶圆的表面形成感光膜(photo resist),并在使用步进器(stepper)的曝光工艺中,转移至倍缩式掩膜(reticle)上的晶圆表面上的感光膜,并对已完成曝光工艺的感光膜进行显影。之后,对于显影后的感光膜,使用蚀刻掩膜(mask)并通过蚀刻晶圆表面的光刻(photolithography)工艺,在晶圆表面形成电路图案,并通过重复光刻工艺,在晶圆上形成具有电路图案的多层膜,从而制造半导体器件。

2、在半导体工艺中,为了在半导体基板上形成精细图案而进行的曝光工艺具体如下:在半导体基板上涂覆光刻胶(photo-resist),并对涂覆有光刻胶的半导体基板施加热量的同时,使形成于掩膜的图案与半导体基板表面上的图案一致后,使部分光线透过,从而对相应区域的光刻胶进行曝光,并在曝光工艺后,喷射显影液,从而基于化学作用来去除曝光时光线透过的部分或光线不透过的部分,并且在半导体基板上本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于相关关系的套刻键标定心系统,其中,

2.根据权利要求1所述的基于相关关系的套刻键标定心系统,其中,

3.根据权利要求2所述的基于相关关系的套刻键标定心系统,其中,

4.根据权利要求3所述的基于相关关系的套刻键标定心系统,其中,

5.根据权利要求2所述的基于相关关系的套刻键标定心系统,其中,

6.根据权利要求1所述的基于相关关系的套刻键标定心系统,其中,

7.根据权利要求6所述的基于相关关系的套刻键标定心系统,其中,

8.根据权利要求1所述的基于相关关系的套刻键标定心系统,其中,

9...

【技术特征摘要】

1.一种基于相关关系的套刻键标定心系统,其中,

2.根据权利要求1所述的基于相关关系的套刻键标定心系统,其中,

3.根据权利要求2所述的基于相关关系的套刻键标定心系统,其中,

4.根据权利要求3所述的基于相关关系的套刻键标定心系统,其中,

5.根据权利要求2所述的基于相关关系的套刻键标定心系统,其中,

6.根据权利要求1所述的基于相关关系的套刻键标定心系统,其中,

7.根据权利要求6所述的基于相关关系的套刻键标定心系统,其中,

8.根据权利要求1所述的基于相关关系的套刻键标定心系统,其中,

9.一种基于...

【专利技术属性】
技术研发人员:牟秀研林熙哲
申请(专利权)人:奥路丝科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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