【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及表面抛光处理，具体涉及一种氧化铈抛光液的制备及其使用方法。
技术介绍
1、化学机械抛光(cmp)技术是表面抛光处理领域中获得全局平坦化的一种手段，是为了能够获得既平坦、又无划痕和杂质玷污的表面的一种技术手段，在集成电路制造、精密光学玻璃抛光、金属及非金属材料加工等领域具有广泛应用。
2、目前，氧化铈抛光液已被应用于集成电路制造工艺中，尤其是在浅沟槽隔离(sti)和层间介质(ild)等工艺中，已有大量报道，例如专利201611231305.9，201310495424.5，200510069987.3。由于二氧化铈对二氧化硅的高抛光活性，并且其在较低的固含量下即可实现很高的抛光效果。因此，以氧化铈为抛光料的化学机械抛光液在性能和成本上相比于传统的氧化硅或氧化铝材料具有更大的应用前景和市场优势。
3、氧化铈的颗粒特性对抛光效果的影响至关重要。如在sti抛光应用中，氧化铈颗粒尺寸、形貌特征对抛光过程中缺陷的产生和抛光速率选择比均有着重要影响。传统的高温焙烧法合成氧化铈，存在颗粒烧结、团聚问题，氧化铈粉体需...
【技术保护点】
1.一种氧化铈抛光液的制备方法，其特征在于：
2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：
3.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：
4.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：
5.按照权利要求1或2所述的方法，其特征在于：
6.按照权利要求1或3所述的方法，其特征在于：
7.按照权利要求1或4所述的方法，其特征在于：
8.一种权利要求1-7所述的方法制备获得的氧化铈抛光液。
9.一种权利要求8所述的氧化铈抛光液可作为一种化学机械抛光液被应用于抛光工艺中。
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【技术特征摘要】
1.一种氧化铈抛光液的制备方法，其特征在于：
2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：
3.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：
4.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：
5.按照权利要求1或2所述的方法，其特征在于：
6.按照权利要求1或3所述的方...
【专利技术属性】
技术研发人员：王峰，张志鑫，王业红，石振，
申请(专利权)人：中国科学院大连化学物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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