图像传感器及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括以矩阵形状布置的多个单位像素，每个像素设置在由沿第一方向延伸的栅极线和沿与所述第一方向不同的第二方向延伸的数据线限定的区域中。每个单位像素包括开关二极管和感测二极管。所述开关二极管具有电连接到所述栅极线的正端子和电连接到信号节点的负端子。所述感测二极管具有电连接到所述数据线的正端子和电连接到所述信号节点的负端子。因此，可以在感测模块没有移动的情况下一次感测二维图像，从而可以缩短扫描时间（图像感测时间）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的示例性实施例涉及一种，更具体地讲，涉及这样一种，即，该图像传感器能够缩短感测时间并具有用于简化制造工艺的结构。
技术介绍
随着办公自动化的发展，提供了越来越多的办公设备，如复印机、扫描仪等。复印机打印纸上的照片、绘画、字符，扫描仪读取纸上的照片、绘画、字符，以将它们存储为电子文件的格式。近来，这些设备变成数字类型。此外，因为提供了个人计算机和计算机网络，所以已经引入了集成有复印机、打印机、传真机、图像扫描仪等的数字多功能设备。图1是示出具有传统图像传感器的扫描仪或复印机的示意图。参照图1，当驱动模块140通过驱动器130沿着从纸101的一端向纸101的另一端的方向移动时，传统的设备IOO(例如，传统的扫描^f义或传统的复印机)感测支撑件110上的纸101的图像。设备100的感测模块120包括光源121和图4象传感器122。光源121向纸101提供光，图像传感器122接收由纸101反射的光，以扫描纸101的图像。由沿着从一端向另一端的方向移动的感测模块120逐行扫描的图像通过A/D转换器150转换为数字值，从而成为数字化图像，数字化图像被存储在存储器160中。然而，根据传本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器，包括以矩阵形状布置的多个单位像素，每个像素设置在由沿第一方向延伸的栅极线和沿与所述第一方向不同的第二方向延伸的数据线限定的区域中，每个单位像素包括：　开关二极管，具有电连接到所述栅极线的正端子和电连接到信号节点的负端子 ；　感测二极管，具有电连接到所述数据线的正端子和电连接到所述信号节点的负端子。

【技术特征摘要】
KR 2008-9-8 10-2008-00881941、一种图像传感器，包括以矩阵形状布置的多个单位像素，每个像素设置在由沿第一方向延伸的栅极线和沿与所述第一方向不同的第二方向延伸的数据线限定的区域中，每个单位像素包括开关二极管，具有电连接到所述栅极线的正端子和电连接到信号节点的负端子；感测二极管，具有电连接到所述数据线的正端子和电连接到所述信号节点的负端子。2、 根据权利要求1所述的图像传感器，其中， 所述开关二极管包括共电极，形成在基板上；第一N型半导体层，形成在所述共电极上；第一本征半导体层，形成在所述第一N型半导体层上；第一P型半导体层，形成在所述第一本征半导体层上；第一透明电极，形成在所述第一P型半导体层上，所述感测二^l管包括所述共电才及；第二N型半导体层，形成在所述共电极上，使得所述第二N型半导体层 与所述开关二极管的第一 N型半导体层分隔开；第二本征半导体层，形成在所述第二N型半导体层上，使得所述第二本 征半导体层与所述开关二极管的第 一本征半导体层分隔开；第二P型半导体层，形成在所述第二本征半导体层上，使得所述第二P 型半导体层与所述开关二极管的第一P型半导体层分隔开；第二透明电极，形成在所述第二P型半导体层上，使得所述第二透明电 极与所述开关二极管的第 一 透明电极分隔开。3、 根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述共电极具有用于提高 反射率的图案。4、 根据权利要求2所述的图像传感器，所述图像传感器还包括设置在所 述开关二极管上的光阻挡层。5、 根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述开关二极管的第一本征半导体层和所述感测二极管的第二本征半导体层具有非晶硅层和微晶硅层 的多层结构或者具有其中随机分布有微晶硅的纳米团簇的非晶硅的结构。6、 根据权利要求2所述的图像传感器，其中，三个相邻的单位像素限定 像素部件，红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器分别设置在所述像素部件 的三个相邻的单位^像素上。7、 根据权利要求1所述的图像传感器，其中， 所述开关二极管包括第一本征半导体层，形成在基板的下表面上； 第一P型半导体层，形成在所述第一本征半导体层的下表面上； 第一电极，形成在所述第一P型半导体层的下表面上，并电连接到所述 栅极线；第一N型半导体层，形成在所述第一本征半导体层的下表面上，使得所 述第一 N型半导体层与所述第一 P型半导体层分隔开； 共电极，形成在所述第一N型半导体层的下表面上； 所述感测二极管包括第二本征半导体层，形成在所述基板的下表面上，使得所述第二本征半导体层与所述第 一本征半导体层分隔开；第二P型半导体层，形成在所述第二本征半导体层的下表面上； 第二电极，形成在所述第二P型半导体层的下表面上，并电连接到所述数据线；第二N型半导体层，形成在所述第二本征半导体层的下表面上，使得所 述第二 N型半导体层与所述第二 P型半导体层分隔开，并与所述第一 N型半 导体层相邻；所述共电极，形成在所述第二N型半导体层的下表面上，使得所述共电 极由所述开关二极管和所述感测二极管共用。8、 根据权利要求7所述的图像传感器，其中，所述共电极和所述第二电 极具有用于提高反射率的图案。9、 根据权利要求7所述的图像传感器，所述图像传感器还包括设置在所 述基板的上表面上的光阻挡层，使得所述光阻挡层设置在所述开关二极管上。10、 根据权利要求7所述的图像传感器，其中，所述开关二极管的第一 本征半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔丙召，秋大镐，
申请(专利权)人：株式会社世泫，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]