一种高频高功率密度的碳化硅模块制造技术

本技术公开了一种高频高功率密度的碳化硅模块，属于碳化硅器件技术领域；包括放电器件，放电器件的输入端连接电源正极端，放电器件的输出端连接电源负极端；直流支撑器件，直流支撑器件的输入端连接电源正极端，直流支撑器件的输出端连接电源负极端；碳化硅芯片，包括三个整流逆变支路，三个整流逆变支路并联于电源正极端和电源负极端，每个整流逆变支路包括串联连接的第一开关管和第二开关管，之间引出一信号输出端；采集部，连接在信号输出端。上述技术方案的有益效果是：采用碳化硅来提高模块的性能和功率密度，减小了模块的体积，延长了模块的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及碳化硅器件，尤其涉及一种高频高功率密度的碳化硅模块。

技术介绍

1、近年来，碳化硅器件发展迅速，碳化硅作为第三代半导体电力电子器件的代表，具有开关频率高、开关损耗低等特性优点，能够提高模块的性能和功率密度，同时可以减小周边元件的体积从而缩小模块的体积，使得模块具有很大的提升空间，因此碳化硅模块具有较大的应用前景。

2、在现有技术中，大多数模块都是在硅基功率器件的基础上进行设计，而硅基功率器件的开关频率受到特性的严重限制，较低的开关频率会迫使变压器等磁性元件的体积偏大从而无法做到小型化，同时也会降低模块的功率密度；此外，碳基功率器件的开关损耗较高，会带来更高的结温波动，降低功率器件的寿命，进而降低整个模块的使用寿命。

技术实现思路

1、本技术的目的在于，提供一种高频高功率密度的碳化硅模块，解决以上技术问题；

2、一种高频高功率密度的碳化硅模块，包括，

3、放电器件，所述放电器件的输入端连接一电源正极端，所述放电器件的输出端连接一电源负极端；>

4、直流支撑本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高频高功率密度的碳化硅模块，其特征在于，包括，

2.根据权利要求1所述的高频高功率密度的碳化硅模块，其特征在于，所述第一开关管的漏极连接所述电源正极端(DC+)，所述第一开关管的源极连接所述第二开关管的漏极，所述第二开关管的源极连接所述电源负极端(DC-)。

3.根据权利要求1所述的高频高功率密度的碳化硅模块，其特征在于，每个所述整流逆变支路还包括一吸收电容，所述吸收电容的第一端连接所述第一开关管的漏极，所述吸收电容的第二端连接所述第二开关管的源极。

4.根据权利要求1所述的高频高功率密度的碳化硅模块，其特征在于，所述直流支撑器件为直流支撑电容...

【技术特征摘要】

1.一种高频高功率密度的碳化硅模块，其特征在于，包括，

2.根据权利要求1所述的高频高功率密度的碳化硅模块，其特征在于，所述第一开关管的漏极连接所述电源正极端(dc+)，所述第一开关管的源极连接所述第二开关管的漏极，所述第二开关管的源极连接所述电源负极端(dc-)。

3.根据权利要求1所述的高频高功率密度的碳化硅模块，其特征在于，每个所述整流逆变支路还包括一吸收电容，所述吸收电容的第一端连接所述第一开关管的漏极，所述吸收电容的第二端连接所述第二开关管的源极。

4.根据权利要求1所述的高频高功率密度的碳化硅模块，其特征在于，所述直流支撑器件为直流支撑电容。

5.根据权利要求1所述的高频高功率密度的碳化硅模块，其特征在于，所述采集部包括，

6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹亢，苗亚，胡金杭，王起亮，王洋洋，雍定涛，
申请(专利权)人：澄瑞电力科技上海股份公司，
类型：新型
国别省市：