【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路，内容为一种低功耗高电源抑制比的正温度系数电流产生电路。
技术介绍
1、带隙基准电路是模拟集成电路中最为基础并且是最为重要的电路之一，其主要作用为产生一个与温度无关的电压并且能够在一定程度上抑制电源纹波的干扰。产生的电压将会给电路中的各个模块供电，所以带隙基准电路对整体电路的性能至关重要。
2、而由带隙基准衍生而来的ptat电流也是其中的一个关键模块，目的就是为了产生一个正温度系数的电流，然后这股电流在给电路中的其他子模块供电，通常使用正温度系数电流的目的是为了恒定运放的跨导或者恒定电源电流等。
3、随着模拟集成电路的发展，市场对带隙基准的要求变得越来越高，需要其不仅要有高精度，低温漂，低功耗，小面积等，在造价方面也有着许多严苛的要求。但是只要能满足其中的几点，那么就会有非常大的市场空间。
4、本文提出了一种低功耗高电源抑制比的正温度系数电路产生电路，该电路无需传统带隙基准所需的启动电路以及放大器等模块。该电路使用了交叉耦合的结构，用以产生正温度系数电流，除此之外，电路将启动电路...
【技术保护点】
1.一种新型低功耗高电源抑制比的正温度系数电流产生电路，其特征在于通过交叉耦合的结构，无需使用运放来保持两条支路的电流一致，且启动电路嵌套在内部中，节省了许多面积以及功耗。
2.根据权利要求1所述的一种新型低功耗高电源抑制比的正温度系数电流产生电路，其特征在于在传统的交叉耦合结构中加入了启动电路，无需额外的电流镜电路来复制电流以使得两条支路电流一致，且启动电路由PJFT和二极管构成。
3.根据权利要求2所述的低功耗高电源抑制比的正温度系数电流产生电路，其特征在于Q5的并联数为N，而其他的BJT管子数量为1，从而产生deltaVbe，进而产生正温...
【技术特征摘要】
1.一种新型低功耗高电源抑制比的正温度系数电流产生电路，其特征在于通过交叉耦合的结构，无需使用运放来保持两条支路的电流一致，且启动电路嵌套在内部中，节省了许多面积以及功耗。
2.根据权利要求1所述的一种新型低功耗高电源抑制比的正温度系数电流产生电路，其特征在于在传统的交叉耦合结构中加入了启动电路，无需额外的电流镜电路来复制电流以使得两条支路电流一致，且启动电路由pjft和二极管构成。
3.根据权利要求2所述的低功耗高电源...
【专利技术属性】
技术研发人员：张国俊，杨鑫，文云鹏，李富洋，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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