基于QLC固态硬盘的TRIM数据上电恢复方法和装置制造方法及图纸

技术编号:41354519 阅读:34 留言:0更新日期:2024-05-20 10:06
本申请涉及一种基于QLC固态硬盘的TRIM数据上电恢复方法、装置、计算机设备和存储介质,其中该方法包括:获取TRIM命令后,将所述TRIM命令指定范围内的映射表项设置为无映射;将映射表写入NAND,并将当前完成第一次编程写入点位置和最后一次编程写入点位置与所述映射表的数据一起写入NAND;异常断电后,从NAND读取保存的映射表以及对应的第一次编程写入点位置和最后一次编程写入点位置;从最后一次编程写入点位置开始向后扫描数据,进行映射表恢复。本发明专利技术对于需要多次编程的QLC NAND,处理TRIM命令时能够避免无效数据填充,有效地降低了TRIM处理的写放大并缩短了耗时,提升了SSD的寿命与性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及固态硬盘,特别是涉及一种基于qlc固态硬盘的trim数据上电恢复方法、装置、计算机设备和存储介质。


技术介绍

1、ssd(固态硬盘)已经被广泛应用于各种场合,目前在pc市场,已经逐步替代传统的hdd,从可靠性和性能方面为用户提供较好的体验。随着nand工艺的演进,已经从早期的1bit/cell(slc)依次演进为2bit/cell(mlc),3bit/cell(tlc),4bit/cell(qlc),其存储的数据容量越来越大,但由于每个cell的bit数量增加,导致其编程模型越来越复杂。典型的nand如slc/mlc/tlc,其只需要一次编程就可以完成数据的存储,其后即可正常读取,而qlc由于其nand cell电压分布复杂,需要多次编程才能真正完成数据存储以便其后的数据读取。

2、trim是主机发送给ssd的一种指令,通知ssd指定的逻辑地址的数据已经不再有效,ssd可以释放这些数据的物理空间。传统的trim处理方案,会将指定的逻辑地址在映射表中标记为无映射,并将映射表保存到nand上,之后应答主机trim完成。能够保证在tri本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于QLC固态硬盘的TRIM数据上电恢复方法,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的基于QLC固态硬盘的TRIM数据上电恢复方法,其特征在于,在所述从最后一次编程写入点位置开始向后扫描数据,进行映射表恢复的步骤之后还包括:

3.根据权利要求2所述的基于QLC固态硬盘的TRIM数据上电恢复方法,其特征在于,在所述根据扫描数据的LPA查询映射表,判断是否为有效映射的步骤之后还包括:

4.根据权利要求3所述的基于QLC固态硬盘的TRIM数据上电恢复方法,其特征在于,在所述若为无效映射则继续判断当前扫描位置是否位于所述第一次编程写入点位置之后的步骤之...

【技术特征摘要】

1.一种基于qlc固态硬盘的trim数据上电恢复方法,所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的基于qlc固态硬盘的trim数据上电恢复方法,其特征在于,在所述从最后一次编程写入点位置开始向后扫描数据,进行映射表恢复的步骤之后还包括:

3.根据权利要求2所述的基于qlc固态硬盘的trim数据上电恢复方法,其特征在于,在所述根据扫描数据的lpa查询映射表,判断是否为有效映射的步骤之后还包括:

4.根据权利要求3所述的基于qlc固态硬盘的trim数据上电恢复方法,其特征在于,在所述若为无效映射则继续判断当前扫描位置是否位于所述第一次编程写入点位置之后的步骤之后还包括:

5.一种基于qlc固态硬盘的trim数据上电恢复装置,其特征在于,所述装置包括:

6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:王孜顺李建邱一霄
申请(专利权)人:苏州忆联信息系统有限公司
类型:发明
国别省市:

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