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基于微波负阻电路补偿技术的高分辨率气体传感器制造技术

技术编号:41353151 阅读:23 留言:0更新日期:2024-05-20 10:05
本发明专利技术涉及传感器技术领域,尤其涉及基于微波负阻电路补偿技术的高分辨率气体传感器。包括无源谐振腔体和负阻电路,无源谐振腔体由第一介质基板、第二介质基板、第三介质基板和第四介质基板组成,第一介质基板位于第二介质基板的顶部,第二介质基板位于第三介质基板的顶部,第三介质基板位于第四介质基板的顶部,第一介质基板中均匀开设有多个第一金属通孔。本发明专利技术提供的基于微波负阻电路补偿技术的高分辨率气体传感器,将谐振腔体采用封闭式结构,电磁波能量在等效金属壁的作用下,无法辐射到腔体外部,从而保证了无源谐振腔较高的品质因数;另外腔体结构的设计,也为气体进入腔体内部进行响应提供了空间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及传感器,尤其涉及基于微波负阻电路补偿技术的高分辨率气体传感器


技术介绍

1、气体浓度作为一项重要指标,影响着工业生产、环境安全、身体健康等方面,其检测技术已成为传感器领域的热点。对于挥发性有机化合物气体,由于其毒性高,长时间接触有机化合物气体将会对身体器官造成严重危害,甚至会带来致癌的风险。

2、另外,有机化合物气体对我们的生活环境也产生着巨大影响,比如气候变化、臭氧层的形成。因此开发能够检测有机化合物气体浓度的传感器是非常有必要的。

3、目前,已经报道了多种气体检测方法,比如光学检测方法、半导体金属氧化物检测方法、电阻式检测方法、导电聚合物检测方法以及微波检测方法。金属氧化物检测方法灵敏度高,但是其工作环境要求高温状态。导电聚合物检测方法虽然不要求高温状态,但其缺乏稳定性。微波检测方法由于其低成本,稳定响应,工作于常温等优势成为极具潜力的一种方法。基于微波技术的传感器已广泛应用于液体、固体、位移以及气体方面的测量,对于微波气体传感器,采用重入式谐振腔,可以高度集中电场,其腔体结构也为气体响应留出一定的空间。对于气体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.基于微波负阻电路补偿技术的高分辨率气体传感器,其特征在于,包括无源谐振腔体(1)和负阻电路(2),所述无源谐振腔体(1)由第一介质基板(11)、第二介质基板(12)、第三介质基板(13)和第四介质基板(14)组成,所述第一介质基板(11)位于第二介质基板(12)的顶部,第二介质基板(12)位于第三介质基板(13)的顶部,第三介质基板(13)位于第四介质基板(14)的顶部,所述第一介质基板(11)中均匀开设有多个第一金属通孔(111),所述第二介质基板(12)中均匀开设有多个第二金属通孔(121),所述第三介质基板(13)中均匀开设有多个第三金属通孔(131),所述第四介质基板(14)...

【技术特征摘要】

1.基于微波负阻电路补偿技术的高分辨率气体传感器,其特征在于,包括无源谐振腔体(1)和负阻电路(2),所述无源谐振腔体(1)由第一介质基板(11)、第二介质基板(12)、第三介质基板(13)和第四介质基板(14)组成,所述第一介质基板(11)位于第二介质基板(12)的顶部,第二介质基板(12)位于第三介质基板(13)的顶部,第三介质基板(13)位于第四介质基板(14)的顶部,所述第一介质基板(11)中均匀开设有多个第一金属通孔(111),所述第二介质基板(12)中均匀开设有多个第二金属通孔(121),所述第三介质基板(13)中均匀开设有多个第三金属通孔(131),所述第四介质基板(14)中均匀开设有多个第四金属通孔(141);

2.根据权利要求1所述的基于微波负阻电路补偿技术的高分辨率气体传感器,其特征在于,所述第一介质基板(11)的底部开设有第一矩形阶梯槽,所述第一矩形阶梯槽由第一矩形槽(113)和第二矩形槽(114)组成,所述第一介质基板(11)的内部开设有第一未金属孔(112),所述第一未金属孔(112)的内侧与第一矩形槽(113)连接。

3.根据权利要求1所述的基于微波负阻电路补偿技术的高分辨率气体传感器,其特征在于,所述第二介质基板(12)的顶部固定有第一矩形金属层(123),所述第二介质基板(12)的底部固定有第二介质基板底层金属(124),所述第三介质基板(13)的顶部固定有第三介质基板顶层金属(134),所述第三介质基板(13)的底部固定有第二矩形金属层(133)。

4.根据权利要求3所述的基于微波负阻电路补偿技术的高分辨率气体传感器,其特征在于,所述第二介质基板(12)的中心区域开设有矩形阵列的第五金属化通孔(122),所述第三介质基板(13)的中心区域开设有矩形阵列的第六金属化通孔(132),且第五金属化通孔(122)与第六金属化通孔(132)的大小与排列方式相同;

5.根据权利要求4所述的基于微波负阻电路补偿技术的高分辨率气体传感器,其特征在于,所述第六金属化通孔(132)的顶部与第三介质基板顶层金属(134)相连,所述第六金属化通孔(132)的底部与第二矩形金属层(133)...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄杰叶峰
申请(专利权)人:西南大学
类型:发明
国别省市:

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