【技术实现步骤摘要】
本技术涉及领域清洁设备，具体地说，涉及一种银离子产生装置及清洁系统。
技术介绍
1、清洁系统通常包括有清洁设备和基站，清洁机器人可以用于清洗地面并存储地面上的垃圾，基站可以对清洁设备在清洁工作中所存储的脏污进行转移收集，对清洁设备的清水箱进行清水补充，以及对清洁设备的清洁件进行清洁。
2、为了提高清洁效果，现有的清洁设备或基站的水箱可设置除菌装置，如在水箱的供水路中设置电极片，通过电解产生银离子释放到供水路中，使清洁水具备杀菌能力，从而在清洁设备对地面进行清洗时，或基站对清洁设备进行清洁时，可以达到灭菌的效果。然而，现有的银离子除菌装置在水箱持续供水时会出现银离子浓度相差较大的情况，导致清洁效果不佳。
技术实现思路
1、本技术的目的是提供一种银离子产生装置及清洁系统，解决水箱持续供水过程中银离子浓度相差较大的问题。
2、为了实现上述目的，第一方面，本技术的银离子产生装置包括：
3、壳体，所述壳体内形成有电解腔，所述壳体具有连通所述电解腔的进水口和出水口；
4、电解组件，位于所述电解腔内，包括相对设置的第一电极片和第二电极片，所述第一电极片作为电解阳极，且为银质材料；
5、其中，所述进水口的进水方向与所述电解组件错位布置，且正对所述电解腔的腔壁。
6、可选地，在一个实施例中，所述进水口设有延伸至所述电解腔内的进水管，所述进水管的延伸方向与所述电解组件错位布置。
7、可选地，在一个实施例中，在水平方向上
8、可选地，在一个实施例中，所述第一电极片和所述第二电极片的厚度为0.8～1.2mm；和/或，
9、所述第一电极片和所述第二电极片之间的距离不超过5mm。
10、可选地，在一个实施例中，所述电解腔呈通道状，所述进水口和所述出水口分别位于所述电解腔的两端，两电极片平行或垂直于所述电解腔的通道延伸方向布置。
11、可选地，在一个实施例中，所述进水口的进水方向和所述出水口的出水方向垂直于所述电解腔的通道延伸方向。
12、可选地，在一个实施例中，所述通道状的电解腔竖直布置，所述进水口位于所述电解腔的底部，所述出水口位于所述电解腔的顶部，所述电解组件安装在所述电解腔的底部。
13、可选地，在一个实施例中，所述第一电极片和所述第二电极片均为银片。
14、可选地，在一个实施例中，所述壳体内还形成有可用于容纳线路板的容置腔，所述线路板与外界电源电连接，所述电解腔的腔壁上开设有贯通至所述容置腔的第一插口和第二插口，所述第一电极片和第二电极片分别密封穿插于所述第一插口和第二插口中，并电连接至所述线路板。
15、可选地，在一个实施例中，所述电解组件与所述出水口之间设有过滤网，和/或，
16、所述进水口与所述电解组件之间设有过滤网。
17、第二方面，本技术的清洁系统包括清洁设备和基站，所述清洁设备和所述基站的至少其中之一设有如上所述的银离子产生装置。
18、与现有技术相比，本技术的有益之处在于：
19、本实施例的银离子产生装置，电解组件电解产生的银离子聚集在第一极片附近，即第一极片附近的银离子浓度最高。进水口的进水方向与电解组件错位布置，即进水口沿进水方向的投影与电解组件中的第一电极片、第二电极片均无重叠。由于进水口的进水方向与电解组件错位布置，进水口在进水时，水流不会直接冲击电极片，也就是水流不会直接将第一极片附近的银离子冲至出水口，导致刚流出银离子产生装置的水中银离子浓度与之后流出银离子产生装置的水中银离子浓度相差较大。且进水口的进水方向正对电解腔的腔壁，可以适当减缓水流速度，进而提高银离子浓度分布的均匀性。
20、本实施例中，在进水口处设置延伸至电解腔内的进水管，进水管的延伸方向与电解组件错位布置，使从进水口进入的水流方向与电解组件产生更明显的错位。
21、本技术的银离子产生装置，可以应用在清洁系统的清洁设备或基站中，与清洁设备或基站的供水组件或出水组件连通，并产生银离子混合在水中，由于银离子具有较好的杀菌消毒作用，从而在清洁设备清洗地面或基站对清洁设备进行清洁时，起到杀菌效果，以使清洁系统具备杀菌功能，提高清洁系统的清洁能力。
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1.一种银离子产生装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的银离子产生装置，其特征在于，所述进水口设有延伸至所述电解腔内的进水管，所述进水管的延伸方向与所述电解组件错位布置。
3.根据权利要求1所述的银离子产生装置，其特征在于，在水平方向上，所述进水口的中轴线与所述电解组件的近端极片之间的距离为5～8mm。
4.根据权利要求1所述的银离子产生装置，其特征在于，所述第一电极片和所述第二电极片的厚度为1.0～1.6mm；和/或，
5.根据权利要求1所述的银离子产生装置，其特征在于，所述电解腔呈通道状，所述进水口和所述出水口分别位于所述电解腔的两端，两电极片平行或垂直于所述电解腔的通道延伸方向布置。
6.根据权利要求5所述的银离子产生装置，其特征在于，所述进水口的进水方向和所述出水口的出水方向垂直于所述电解腔的通道延伸方向。
7.根据权利要求5或6所述的银离子产生装置，其特征在于，所述通道状的电解腔竖直布置，所述进水口位于所述电解腔的底部，所述出水口位于所述电解腔的顶部，所述电解组件安装在所述电解腔的底部。
8.根据权利要求1所述的银离子产生装置，其特征在于，所述壳体内还形成有可用于容纳线路板的容置腔，所述线路板与外界电源电连接，所述电解腔的腔壁上开设有贯通至所述容置腔的第一插口和第二插口，所述第一电极片和第二电极片分别密封穿插于所述第一插口和第二插口中，并电连接至所述线路板。
9.根据权利要求1所述的银离子产生装置，其特征在于，所述电解组件与所述出水口之间设有过滤网，和/或，
10.一种清洁系统，其特征在于，所述清洁系统包括清洁设备和基站，所述清洁设备和所述基站的至少其中之一设有如权利要求1～9任一项所述的银离子产生装置。
...【技术特征摘要】
1.一种银离子产生装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的银离子产生装置，其特征在于，所述进水口设有延伸至所述电解腔内的进水管，所述进水管的延伸方向与所述电解组件错位布置。
3.根据权利要求1所述的银离子产生装置，其特征在于，在水平方向上，所述进水口的中轴线与所述电解组件的近端极片之间的距离为5～8mm。
4.根据权利要求1所述的银离子产生装置，其特征在于，所述第一电极片和所述第二电极片的厚度为1.0～1.6mm；和/或，
5.根据权利要求1所述的银离子产生装置，其特征在于，所述电解腔呈通道状，所述进水口和所述出水口分别位于所述电解腔的两端，两电极片平行或垂直于所述电解腔的通道延伸方向布置。
6.根据权利要求5所述的银离子产生装置，其特征在于，所述进水口的进水方向和所述出水口的出水方向垂直于所述电解腔...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱泽春，颜果，梁月潇，
申请(专利权)人：尚科宁家中国科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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