一种二维锗基卤化物钙钛矿反铁电材料及其制备方法与储能应用技术

本发明专利技术涉及一种二维锗基卤化物钙钛矿反铁电材料及其制备方法与储能应用，该二维锗基卤化物钙钛矿反铁电材料的分子式为[(CH<subgt;3</subgt;)<subgt;2</subgt;CHCH<subgt;2</subgt;NH<subgt;3</subgt;]<subgt;2</subgt;CsGe<subgt;2</subgt;I<subgt;7</subgt;。本发明专利技术的二维锗基卤化物钙钛矿反铁电材料，该二维锗基卤化物钙钛矿反铁电材料无铅毒、居里温度高、极化值大、储能密度大、储能效率高；而且该材料可用溶液降温法制备得到，其反应条件温和，简单易行，成本低廉；由于其储能密度大、储能效率高，在储能器件等领域具备光明的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功能材料领域，具体涉及一种二维锗基卤化物钙钛矿反铁电材料及其制备方法与储能应用。

技术介绍

1、反铁电体是一类重要的功能材料，一定温度范围内相邻离子联线上的偶极子呈反平行排列，宏观上极化值为零。当在外加电场的诱导下，反铁电相可以转变为暂稳态的铁电相，这一过程伴随着体积、极化值及电能的变化，为反铁电体在储能及换能等领域开辟了广阔的应用前景。科研工作人员一直致力于探索和发现高性能的反铁电材料，如无机氧化物、氢键有机化合物及有机无机杂化物。尤其是新兴的二维卤化物钙钛矿反铁电体吸引了广泛的科研兴趣。其合成方法简单、结构灵活多变，是一类颇具发展潜力的功能材料，有望为电活性材料的发展提供新的机遇。但这类材料受制于铅毒性、极化小、工作温度范围窄等问题，其进一步的开发和应用受阻，这促使科研人员探索新的替代材料。

2、近年来，锡基(sn)和锗基(ge)杂化钙钛矿因其低的毒性、与极化性更强的ns2孤对电子相关的更多样的结构和性质引发了科研工作者的广泛关注。特别是，ge2+上6s2孤对电子的强立体化学表达引起大的八面体畸变，这会导致锗基钙钛矿中强二次谐本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种二维锗基卤化物钙钛矿反铁电材料，其特征在于：所述的二维锗基卤化物钙钛矿反铁电材料的分子式为[(CH3)2CHCH2NH3]2CsGe2I7。

2.根据权利要求1所述的一种二维锗基卤化物钙钛矿反铁电材料，其特征在于：所述的二维锗基卤化物钙钛矿反铁电材料在室温下属于正交晶系，空间群为Pmmn,晶胞参数为α＝90°，β＝90°，γ＝90°。

3.根据权利要求1所述的一种二维锗基卤化物钙钛矿反铁电材料，其特征在于：所述的二维锗基卤化物钙钛矿反铁电材料在402K发生反铁电相—顺电相的结构转变，在顺电相时，该化合物的空间群转变为Cmmn，晶胞参数为α＝90°，β＝90...

【技术特征摘要】

1.一种二维锗基卤化物钙钛矿反铁电材料，其特征在于：所述的二维锗基卤化物钙钛矿反铁电材料的分子式为[(ch3)2chch2nh3]2csge2i7。

2.根据权利要求1所述的一种二维锗基卤化物钙钛矿反铁电材料，其特征在于：所述的二维锗基卤化物钙钛矿反铁电材料在室温下属于正交晶系，空间群为pmmn,晶胞参数为α＝90°，β＝90°，γ＝90°。

3.根据权利要求1所述的一种二维锗基卤化物钙钛矿反铁电材料，其特征在于：所述的二维锗基卤化物钙钛矿反铁电材料在402k发生反铁电相—顺电相的结构转变，在顺电相时，该化合物的空间群转变为cmmn，晶胞参数为α＝90°，β＝90°，γ＝90°。

4.权利要求1-3中任一项所述的一种二维锗...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗军华，李霄琪，刘希涛，
申请(专利权)人：闽都创新实验室，
类型：发明
国别省市：