【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及测量,特别是一种抛光垫面形和正交网格沟槽在位测量方法。
技术介绍
1、随着现代科技的进步与发展,各种光学系统对光学元件的需求越来越大。化学机械抛光(chemical mechanical polishing,cmp)是获得高表面精度和表面质量光学元件的重要加工工艺。cmp过程去除率分析主要基于preston公式,即mmr=kpv,其中k是preston系数,可以通过试验标定的方法获得;v是工件和工具的相对运动速度,可以根据工件和工具盘的相对位置和运动速度计算得到;p是工件上的接触压力,主要受抛光载荷、工件形状、抛光垫面形和抛光垫上沟槽网格的影响。因此,抛光垫面形数据和抛光沟槽网格的精确快速测量对抛光过程材料去除率分布以及工件和工具盘面形演化的实时分析至关重要。
2、目前抛光垫的沟槽形状可分为放射状、同心圆状、正交网格状和螺旋状(正对数螺旋状和负对数螺旋状)4种基本类型,从抛光液利用率上看,使用同心圆状沟槽时利用率最高,其次为正交网格状,再次为放射状。这是因为放射状沟槽为抛光液的外流提供了最短的路径,使其在抛光垫
...【技术保护点】
1.一种抛光垫面形和正交网格沟槽在位测量方法,采用抛光垫面形和正交网格沟槽在位测量装置进行测量,所述抛光垫(2)为具有正交网格沟槽的抛光垫(2);
2.根据权利要求1所述一种抛光垫面形和正交网格沟槽在位测量方法,其特征在于:所述数据组数M满足2<=M<9。
3.根据权利要求1所述一种抛光垫面形和正交网格沟槽在位测量方法,其特征在于:步骤B2中所述数据采集的数据量计算方法如下:
4.根据权利要求1所述一种抛光垫面形和正交网格沟槽在位测量方法,其特征在于:所述标准块(6)为圆形块,直径为100~200mm,平面度高于5μm。
【技术特征摘要】
1.一种抛光垫面形和正交网格沟槽在位测量方法,采用抛光垫面形和正交网格沟槽在位测量装置进行测量,所述抛光垫(2)为具有正交网格沟槽的抛光垫(2);
2.根据权利要求1所述一种抛光垫面形和正交网格沟槽在位测量方法,其特征在于:所述数据组数m满足2<=m<9。
...【专利技术属性】
技术研发人员:周平,彭智颖,李凯强,侯长余,闫英,
申请(专利权)人:大连理工大学,
类型:发明
国别省市:
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