【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏领域，尤其涉及太阳能电池。
技术介绍
1、晶体硅太阳能电池中，由于费米能级钉扎现象导致的肖特基势垒高度过高，在金属电极与低掺杂硅界面容易出现严重的载流子复合，并伴随着过高的接触电阻，这会阻碍晶硅太阳电池转换效率的提高。解决这类问题的一种可行方法是在金属/硅界面中采用薄界面层或叠层，以实现出色的界面钝化和欧姆接触。
2、目前，转换效率超过26％的太阳能电池主要是通过在金属/硅界面中应用掺杂的非晶硅和本征非晶硅、以及隧穿氧化和钝化接触来实现的。尽管非晶硅和多晶硅在太阳电池背面接触钝化中得到了成功的应用，但是，非晶硅和多晶硅都存在寄生光吸收损耗。非晶硅的厚度减薄有利于减少寄生光吸收，但掺杂非晶硅与金属电极的接触性能会随着厚度的减薄而变差，这导致寄生光吸收难以有效地减少。
技术实现思路
1、本申请实施例提供了一种多晶硅薄膜及其制备方法、太阳能电池，以解决寄生光吸收难以有效减少的技术问题。
2、第一方面，本申请实施例提供一种多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜的一面为平面...
【技术保护点】
1.一种多晶硅薄膜，其特征在于，所述多晶硅薄膜的一面为平面，另一面表面分为凸起区和凹陷区，所述凹陷区在所述多晶硅薄膜的另一面阵列设置，所述凸起区内多晶硅薄膜的厚度高于所述凹陷区内多晶硅薄膜的厚度。
2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜，其特征在于，所述多晶硅薄膜在所述凸起区内的厚度为100-140nm，所述多晶硅薄膜在所述凹陷区的厚度为40-60nm。
3.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜，其特征在于，所述多晶硅薄膜的材料为磷掺杂的多晶硅。
4.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅薄膜，其特征在于，所述多晶硅薄膜的一面为平面，另一面表面分为凸起区和凹陷区，所述凹陷区在所述多晶硅薄膜的另一面阵列设置，所述凸起区内多晶硅薄膜的厚度高于所述凹陷区内多晶硅薄膜的厚度。
2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜，其特征在于，所述多晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘志锋，余竹云，朱玉娟，李钡，纪桂平，黄伟，朱骏，
申请(专利权)人：中环新能安徽先进电池制造有限公司，
类型：新型
国别省市：
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