【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于有机光电材料，具体涉及一类含有硒原子的共轭稠合大环材料及其制备方法和应用。
技术介绍
1、作为目前微电子学中应用最广泛的有源器件之一的场效应晶体管，由于它具有输入功耗低、噪声小、拥有宽的安全工作区域、阻抗高、没有二次击穿现象等优点，现已成为双极型晶体管的强大竞争者，成为微电子行业的重要元件之一。自其诞生以来，其制备所用的材料一直以硅、锗和其他无机半导体材料为主，而无机场效应晶体管存在着诸如制造成本高、单晶难于制备、需要高温工艺、衬底只能用硬性材料以及难于实现大表面积制备等缺点，并且无机场效应晶体管已经接近小型化的自然极限。相比于无机半导体材料，有机半导体材料具有生产成本低、材料来源广泛、工艺简单、无需高温以及可采用柔性衬底等优点。
2、传统的高迁移率有机半导体材料大都为线性稠合小分子或者单键相连的聚合物共轭体系，而全稠合共轭大环(大环化的石墨烯片段和碳纳米带等)作为一类新型的有机光电半导体材料，由于其独特的电子和空间几何结构特征而有望在有机光电子器件和高迁移率发光超分子材料领域获得突破性应用，其中主要的挑战是全...
【技术保护点】
1.一类含有硒原子的共轭稠合大环材料，其特征在于，其结构通式如式1)或式2)所示：
2.如权利要求1所述的含有硒原子的共轭稠合大环材料，其特征在于，R1、R2独立的选自如式3)-式5)中的化学基团中的一种：
3.一种如权利要求1所述的含有硒原子的共轭稠合大环材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：以化合物A与化合物B1或B1为起始原料，依次经Suzuki偶联反应制得相应产物C1或C2，再以C1或C2为原料，依次经Wittig反应和Friedel-Crafts反应，制得如式1)或式2)所示含有硒原子的共轭稠合大环材料，其合成路线如下：
<...【技术特征摘要】
1.一类含有硒原子的共轭稠合大环材料，其特征在于，其结构通式如式1)或式2)所示：
2.如权利要求1所述的含有硒原子的共轭稠合大环材料，其特征在于，r1、r2独立的选自如式3)-式5)中的化学基团中的一种：
3.一种如权利要求1所述的含有硒原子的共轭稠合大环材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：以化合物a与化合物b1或b1为起始原料，依次经suzuki偶联反应制得相应产物c1或c2，再以c1或c2为原料，依次经wittig反应和friedel-crafts反应，制得如式1)或式2)所示含有硒原子的共轭稠合大环材料，其合成路线如下：
4.如权利要求3所述的含有硒原子的共轭稠合大环材料的制备方法，其特征在于，suzuki偶联反应条件如下：在溶剂中，在碱、催化剂以及配体存在的情况下，将化合物a与化合物b1或b2进行suzuki偶联反应，得到相应的产物c1或c2。
5.如权利要求4所述的含有硒原子的共轭稠合大环材料的制备方法，其特征在于，所述的溶剂选自水、苯、甲苯、二甲苯、十氢化萘、二乙醚、二异丙基醚、甲基叔丁基醚、甲基叔戌基醚、二噁烷、四氢呋喃、2-甲基四氢呋喃、1,2-二甲氧基乙烷、1,2-二乙氧基乙烷、1,1-二乙氧基甲烷、三氯甲烷、1,2-二氯乙烷或苯甲醚中的一种或多种；所述的碱选自叔丁醇钠t-buona、叔丁醇钾t-buok、碳酸钾k2co3、碳酸钠na2co3或磷酸钾k3po4中的一种或多种；所述的催化剂选自四(三苯基膦)钯pd(pph3)4、双二亚苄基丙酮钯pd(dba)2、三(二亚苄基丙酮)二钯合三氯甲pd2(dba)3·chcl3、三(二亚苄基丙酮)二钯pd2(dba)3、醋酸钯pd(o...
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