一种锌卟啉共价修饰石墨烯量子点的忆阻器及其制备和应用制造技术

本发明专利技术属于有机信息存储技术领域，具体提供了一种锌卟啉共价修饰石墨烯量子点的忆阻器及其制备和应用。该器件结构为经典的三明治结构，底电极是涂有ITO的玻璃基板，活性层为一种ZnTPP‑g‑GQDs:PVP的薄膜，顶电极为Al。通过对该器件施加不同的电压，器件显示出反复可擦写存储性能，表现出只需调节电压方向且功耗较小的非易失性存储可重写开关性质。此外，该器件在一个小的扫描电压下表现出可连续调控的电流，通过制备的阻变存储器件模拟了生物突触的增强和抑制，在制备小型化器件以及降低存储器件能量损耗方面具有优异的前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于有机神经形态信息存储，涉及一种具备非易失性存储可重写性质的石墨烯量子点存储器件及其制备方法和应用。具体涉及一种锌卟啉共价修饰石墨烯量子点和pvp复合材料作为活性层的神经形态器件及其制备方法和应用。

技术介绍

1、开发高性能的阻变存储器件已成为下一代信息存储技术的一个重要创新领域。非易失性阻变存储器电阻的变化不仅可以用来存储信息，还可以根据对外加电压或流经电荷的反应来处理数据，从而实现信息存储和计算在单个器件中的融合。通过合理的化学结构设计和合成，复合材料的电学性能可以在分子水平上得到有效控制，这有望满足未来对高密度信息存储与仿生运算的巨大需求。目前全球对基于复合材料的阻变存储器的研究主要集中在两个方面，如阻变材料的设计、合成及其在信息存储和计算中的应用，以及利用这种阻变现象模拟突触间电信号的传递。石墨烯及其衍生物，如go、rgo、和gqds，因拥有卓尔不群的物理化学性质，受到了光电材料、光电催化、光热治疗等领域研究人员的关注。低维石墨烯材料表现出随厚度变化的可调控带隙、良好的欧姆接触和高载流子迁移率，使其在非易失性阻变存储领域中具有一定的应用本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种锌卟啉共价修饰石墨烯量子点阻变存储器件，其特征在于：其结构组成自下而上为：

2.如权利要求1所述的一种锌卟啉共价修饰石墨烯量子点阻变存储器件，其特征在于，具有非易失性可重写存储功能：在不同的电压下器件表现出明显的不同的电阻状态，将其定义为开启和关闭状态后可以作为二进制中的“0”和“1”来存储数据，并且在断电后仍能保存数据。

3.如权利要求1所述的一种锌卟啉共价修饰石墨烯量子点阻变存储器件，其特征在于，所述锌卟啉共价修饰石墨烯ZnTPP-g-GQDs:PVP复合材料薄膜活性层的厚度为100nm-200nm。

4.如权利要求1所述的一种锌卟啉共价修...

【技术特征摘要】

1.一种锌卟啉共价修饰石墨烯量子点阻变存储器件，其特征在于：其结构组成自下而上为：

2.如权利要求1所述的一种锌卟啉共价修饰石墨烯量子点阻变存储器件，其特征在于，具有非易失性可重写存储功能：在不同的电压下器件表现出明显的不同的电阻状态，将其定义为开启和关闭状态后可以作为二进制中的“0”和“1”来存储数据，并且在断电后仍能保存数据。

3.如权利要求1所述的一种锌卟啉共价修饰石墨烯量子点阻变存储器件，其特征在于，所述锌卟啉共价修饰石墨烯zntpp-g-gqds:pvp复合材料薄膜活性层的厚度为100nm-200nm。

4.如权利要求1所述的一种锌卟啉共价修饰石墨烯量子点阻变存储器件，其特征在于，所述铝电极厚度100-200nm。

5.如权利要求1所述的一种锌卟啉共价修饰...

【专利技术属性】
技术研发人员：李金勇，赵磊，时珺乐，王佳欢，胡冰洋，彭国栋，李伟，张斌，
申请(专利权)人：华东理工大学，
类型：发明
国别省市：