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一种仲钨酸铵晶体的真空蒸发结晶方法技术

技术编号:41340529 阅读:26 留言:0更新日期:2024-05-20 09:58
本发明专利技术属于化学工程工业结晶技术领域,具体涉及一种仲钨酸铵晶体的真空蒸发结晶方法。包括:在真空度为30‑50kPa,温度为60‑90℃的条件下,对仲钨酸铵原料液进行真空蒸发结晶,至仲钨酸铵原料液体积变为原体积的90‑95%,其次加入晶种进行诱导并继续进行真空蒸发结晶,待仲钨酸铵原料液体积变为原体积的65‑70%,而后恒温养晶1‑2h,得到仲钨酸铵晶体。最终得到的晶体产品主粒度为75μm,D50为72‑80μm,D90为100‑120μm,堆密度为2.3g/cm<supgt;3</supgt;,能够有效改善其粉体性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于化学工程工业结晶,具体涉及一种仲钨酸铵晶体的真空蒸发结晶方法


技术介绍

1、仲钨酸铵是制备三氧化钨、蓝色氧化钨、高纯钨粉及其他钨化合物的重要原料,所制备的钨粉不但可加工为钨条、钨丝等电子真空材料,也是硬质合金、碳化钨、合金磨具、耐高温机械装备部件等合金系列钨材的重要原料。除此之外,氢还原仲钨酸铵制备的高纯金属钨粉,具备优异的高温、高压强化性能,在航天领域的钨材中也得到应用,是一种关键的金属资源。

2、作为生产含钨产品的重要中间体,仲钨酸铵的粉体性能,如形貌、平均粒径、松装密度、流动性等,都对后续粉末冶金制品如钨粉、钨丝、钨合金等材料性能具有很大影响。目前国内的仲钨酸铵产品普遍存在晶体分散性差、晶体聚结严重等问题,与此同时,市场上对apt产品的性能要求日益增高,单分散晶体因其流动性好、松装密度大,被认为是制备高性能含钨材料的粉体原料。


技术实现思路

1、本专利技术的目的是为了克服现有技术存在的晶体聚结严重,分散性差等问题,提供一种仲钨酸铵的结晶方法,通过该方法可以得到单分散的仲钨酸铵本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种仲钨酸铵晶体的真空蒸发结晶方法,其特征在于,所述真空蒸发结晶方法包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的真空蒸发结晶方法,其特征在于,所述仲钨酸铵原料液的溶质为仲钨酸铵,溶剂为氨水;

3.根据权利要求1所述的真空蒸发结晶方法,其特征在于,所述晶种以直接或溶于氨水的方式加入仲钨酸铵原料液中;

4.根据权利要求1所述的真空蒸发结晶方法,其特征在于,所述真空蒸发结晶是在搅拌条件下进行的,所述搅拌的速率为200-400rpm。

5.根据权利要求1所述的真空蒸发结晶方法,其特征在于,所述养晶是在常压状态进行的;

>6.根据权利要求1...

【技术特征摘要】

1.一种仲钨酸铵晶体的真空蒸发结晶方法,其特征在于,所述真空蒸发结晶方法包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的真空蒸发结晶方法,其特征在于,所述仲钨酸铵原料液的溶质为仲钨酸铵,溶剂为氨水;

3.根据权利要求1所述的真空蒸发结晶方法,其特征在于,所述晶种以直接或溶于氨水的方式加入仲钨酸铵原料液中;

4.根据权利要求1所述的真空蒸发结晶方法,其特征在于,所述真空蒸发结晶是在搅拌条件下进行的,所述搅拌的速率为200-400rpm。

5.根据权利要求1所述的真空蒸...

【专利技术属性】
技术研发人员:龚俊波陈明洋李俊杰蔡经伟彭浩宇尹秋响侯宝红王静康
申请(专利权)人:天津大学
类型:发明
国别省市:

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