一种含呋咱环的低介电聚酰亚胺及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种含呋咱环的低介电聚酰亚胺及其制备方法，通过聚酰亚胺分子主链中植入呋咱环，经嵌段聚合，本征的实现了材料的介电常数降低，无需牺牲材料的热稳定性、低吸水率及力学性能等优良综合性能的前提下，从根本上降低材料的介电常数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于高分子材料领域，尤其涉及一种含呋咱环的低介电聚酰亚胺及其制备方法。

技术介绍

1、随着微电子工业的迅猛发展，集成电路芯片集成度迅速提高，芯片中互连线密度急剧增加，导致电阻、布线中的电容增大，电阻、电容延迟产生的寄生效应显著，引发信号容阻延迟、串扰以及功耗增大等问答题，严重制约了微电子工业的产业升级和高功能化发展脚步。聚酰亚胺(pi)是具有良好的热稳定性和化学稳定性，高机械性能、强绝缘性等优异性能，是作为层间绝缘的理想材料，完全满足于微电子工业集成电路对材料的要求，用pi来替代传统绝缘材料已经是必然选择。但是pi材料由于自身分子结构的特殊性，目前市售的聚酰亚胺介电常数都在3.3左右，大大限制了器件性能的提升，无法满足高密度集成电路的要求，为此要使pi成为微电子
绝缘层的完全替代者，开发出一种新型的综合性能稳定的低介电常数的聚酰亚胺迫在眉睫。

2、应用于高功能化微电子行业的高性能聚酰亚胺，目前国外成熟产品很少，其具体的制备工艺尚处于严格保密之中，国内尚处于起步阶段，更多的是高校和科研院所进行的试验研究，技术尚不成熟。在不改变现有本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种含呋咱环的低介电聚酰亚胺，其特征在于：其结构式由式(1)和式(2)两段聚酰亚胺嵌段组成：

2.根据权利要求1所述的一种含呋咱环的低介电聚酰亚胺，其特征在于：所述二酐类化合物选自均苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐、2,3,3',4'-联苯四甲酸二酐、2,3,3',4'-二苯醚四甲酸二酐、3,3',4,4'-二苯醚四甲酸二酐、3,3',4,4'-二苯酮四酸二酐、双酚A型二醚二酐、4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的一种含呋咱环的低介电聚酰亚胺，其特征在于：所述二胺类化合物含有以下基团中的至少一种：

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【技术特征摘要】

1.一种含呋咱环的低介电聚酰亚胺，其特征在于：其结构式由式(1)和式(2)两段聚酰亚胺嵌段组成：

2.根据权利要求1所述的一种含呋咱环的低介电聚酰亚胺，其特征在于：所述二酐类化合物选自均苯四甲酸二酐、3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐、2,3,3',4'-联苯四甲酸二酐、2,3,3',4'-二苯醚四甲酸二酐、3,3',4,4'-二苯醚四甲酸二酐、3,3',4,4'-二苯酮四酸二酐、双酚a型二醚二酐、4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的一种含呋咱环的低介电聚酰亚胺，其特征在于：所述二胺类化合物含有以下基团中的至少一种：

4.权利要求1-3任意一项所述的一种含呋咱环的低介电聚酰亚胺的制备方法，其特征在于：将3,4-二氨基呋咱、二酐类化合物加入有机溶剂a中，聚合获得含呋咱环的聚酰胺酸a，将二酐类化合物与二胺类化合物...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘安练，向立，刘杰，王进，杨军，彭超义，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：

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