【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体激光器领域，更为具体地涉及多结型vcsel激光器及其制造方法和vcsel阵列。
技术介绍
1、vcsel（vertical-cavity surface-emitting laser，垂直腔面发射激光器）是沿垂直于其衬底的方向出射激光的一种半导体激光器。vcsel具有发散角小、光束对称、波长热稳定性高、光束质量稳定等特点，在通讯、消费、车载领域都有巨大的应用潜力。目前，vcsel产品已广泛应用于近距离光纤通信、人脸识别、3d传感等行业。
2、在典型的vcsel结构中，如图1所示，vcsel自下而上包括n型金属电极层、n型衬底层、n-dbr层、有源区部分、限制层、p-dbr层、p型接触层和p型金属电极层。n型衬底层和n-dbr层所在区域为n型区域，p-dbr层所在区域为p型区。在n型区内，自由电子为多子，空穴几乎为零，为少子；在p型区内，空穴为多子，自由电子为少子。进一步地，在典型的vcsel机构中，所述p型金属电极层形成vcsel的阳极，所述n型金属电极层形成vcsel的阴极。
3、在典型的vcs...
【技术保护点】
1.一种多结型VCSEL激光器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多结型VCSEL激光器，其中，所述有源区部分还包括至少一有源区限制层，所述有源区限制层与所述PN结结构相互叠置。
3.根据权利要求2所述的多结型VCSEL激光器，其中，至少一所述有源区限制层位于两个相邻的所述PN结结构之间，其中，每个位于两个相邻的所述PN结结构之间的有源区限制层被定义为结间限制层。
4.根据权利要求1所述的多结型VCSEL激光器，其中，所述有源区部分还包括至少一所述有源区隧道结，所述有源区隧道结与所述PN结结构相互叠置。
5.根...
【技术特征摘要】
1.一种多结型vcsel激光器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的多结型vcsel激光器，其中，所述有源区部分还包括至少一有源区限制层，所述有源区限制层与所述pn结结构相互叠置。
3.根据权利要求2所述的多结型vcsel激光器，其中，至少一所述有源区限制层位于两个相邻的所述pn结结构之间，其中，每个位于两个相邻的所述pn结结构之间的有源区限制层被定义为结间限制层。
4.根据权利要求1所述的多结型vcsel激光器，其中，所述有源区部分还包括至少一所述有源区隧道结，所述有源区隧道结与所述pn结结构相互叠置。
5.根据权利要求4所述的多结型vcsel激光器，其中，至少一所述有源区隧道结位于两个相邻的所述pn结结构之间，其中，每个位于两个相邻的所述pn结结构之间的有源区隧道结被定义为结间隧道结。
6.根据权利要求3所述的多结型vcsel激光器，其中，所述有源区部分还包括至少一所述有源区隧道结，所述有源区隧道结与所述pn结结构相互叠置。
7.根据权利要求6所述的多结型vcsel激光器，其中，至少一所述有源区隧道结位于两个相邻的所述pn结结构之间，其中，每个位于两个相邻的所述pn结结构之间的有源区隧道结被定义为结间隧道结。
8.根据权利要求7所述的多结型vcsel激光器，其中，每两个相邻的所述pn结结构之间的所述结间限制层和所述结间隧道结形成一组结间结构，至少一组结间结构中所述有源区限制层位于所述有源区隧道结的下方。
9.根据权利要求7所述的多结型vcsel激光器，其中，每两个相邻的所述pn结结构之间的所述结间限制层和所述结间隧道结形成一组结间结构，至少一组结间结构中所述有源区限制层位于所述有源区隧道结的上方。
10.根据权利要求2所述的多结型vcsel激光器，其中，至少一所述有源区限制层位于所述有源区部分中最底层的所述pn结结构与所述顶部镜部分之间，其中，每个位于所述有源区部分中最顶层的所述pn结结构与所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖威廷，李念宜，郭铭浩，
申请(专利权)人：浙江睿熙科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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