化合物及其制造方法以及含有该化合物的抗蚀剂组合物技术

本发明专利技术提供一种为了进一步提高化学放大型的抗蚀剂组合物的灵敏度而利用的具有酸增殖功能的化合物及使用该化合物的抗蚀剂组合物。该化合物是由式（Ⅰ）或（Ⅰ’）表示的化合物。（式（Ⅰ）中，Ｚ↑［１］及Ｚ↑［２］分别独立地表示氢原子、Ｃ１～Ｃ１２的烷基或Ｃ３～１２的环状饱和烃基。其中，在Ｚ↑［１］及Ｚ↑［２］中，至少一方为Ｃ１～１２的烷基或Ｃ３～１２的环状饱和烃基。环Ｙ↑［１］及环Ｙ↑［２］分别独立地表示可被取代的Ｃ３～２０的脂环式烃基。Ｑ↑［１］～Ｑ↑［４］及Ｑ↑［’１］～Ｑ↑［’４］分别独立地表示氟原子或Ｃ１～６的全氟烷基。ｍ及ｎ分别独立地表示０～５的整数）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种化合物及其制造方法以及含有该化合物的抗蚀剂组合物。
技术介绍
化学放大型抗蚀剂是利用将在放射线照射部位从酸发生剂发生的酸作为催化剂的反应，改变照射部位中的抗蚀剂相对碱显影液的溶解性的化学放大型抗蚀剂，由此给予正型或负型的图案。 化学放大型正型抗蚀剂通过在放射线照射部发生的酸在之后的热处理(post exposure bake以下有时简称为PEB)的作用下发生扩散，使树脂等保护基脱离，同时再生成酸，来使该照射部位成为碱可溶。 另外，化学放大型负型抗蚀剂通过在照射部位发生的酸在PEB的作用下发生扩散，作用于交联剂，从而使该照射部位的基础树脂固化。 这样，提出了通过与在放射线的照射下在抗蚀剂中发生酸的放射线-酸反应，组合在酸的作用下在抗蚀剂中自身催化地分解从而放大地重新发生酸的酸增殖反应，由此大幅度地加速酸催化反应的方法。另外，还提出了在这样的方法中使用的各种酸增殖剂(例如专利文献1等)。 在该专利文献1中公开了具有下述式所示的结构的化合物，作为在适用于利用来自KrF的激元激光(excimer laser)的光刻法(lithography)的树脂组合物中含有的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化合物，其是由式（Ⅰ）或（Ⅰ’）表示的化合物，　＊＊＊　（Ⅰ）　式（Ⅰ）中，Ｚ↑［１］及Ｚ↑［２］分别独立地表示氢原子、碳原子数１～１２的烷基或碳原子数３～１２的环状饱和烃基，在Ｚ↑［１］及Ｚ↑［２］中，至少一方为碳原子数 １～１２的烷基或碳原子数３～１２的环状饱和烃基，　环Ｙ↑［１］及环Ｙ↑［２］分别独立地表示可被取代的碳原子数３～２０的脂环式烃基，Ｑ↑［１］～Ｑ↑［４］分别独立地表示氟原子或碳原子数１～６的全氟烷基，　ＣＨ↓［３］（ＣＨ↓［２］ ）↓［ｍ］－ＯＣＨ↓［２］Ｏ－＊－＊－＊－＊－ＯＣＨ↓［２］Ｏ－（ＣＨ↓［２］）↓［ｎ］ＣＨ↓...

【技术特征摘要】
JP 2008-9-2 2008-2250721.一种化合物，其是由式(I)或(I’)表示的化合物，式(I)中，Z1及Z2分别独立地表示氢原子、碳原子数1～12的烷基或碳原子数3～12的环状饱和烃基，在Z1及Z2中，至少一方为碳原子数1～12的烷基或碳原子数3～12的环状饱和烃基，环Y1及环Y2分别独立地表示可被取代的碳原子数3～20的脂环式烃基，Q1～Q4分别独立地表示氟原子或碳原子数1～6的全氟烷基，式(I’)中，Q’1～Q’4分别独立地表示氟原子或碳原子数1～6的全氟烷基，m及n分别独立地表示0～5的整数。2.根据权利要求1所述的化合物，其中，Q1～Q4及Q’1～Q’4为氟原子。3.一种化合物的制造方法，其是使式(II)所示的化合物与式(III)及式(IV)所示的化合物发生反应而制造式(I)所示的化合物的化合物的制造方法，式(I)～式(IV)...

【专利技术属性】
技术研发人员：武元一树，安藤信雄，畑光宏，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]