【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及中红外焦平面探测器热成像，更具体地，涉及一种基于sn掺杂pbse量子点的中红外焦平面探测器制备方法。
技术介绍
1、至今为止红外探测器已经经历了从第一代到第四代的发展，从单像素探测器逐渐发展为大面阵、小型化、低成本、双色以及多列阵的焦平面探测器。按照大气窗口透过的工作红外波长划分，可以将红外探测器划分为近红外探测器（1-3μm），中红外探测器（3-5μm）和远红外探测器（8-10μm）。另外，根据探测器的使用温度不同，又可以将红外探测器分成制冷型和非制冷型探测器。制冷型探测器由于其探测率高，信噪比低而受到广泛应用，但由于其体积大（杜瓦瓶封装）以及能耗大（液氮循环制冷）也限制了进一步的发展。非制冷型探测器由于其芯片级尺寸，室温工作温度而受到民用市场青睐，按照其工作原理不同又可分为热敏型探测器和光子型探测器。其中，光子型探测器的响应速度要比热敏型探测器高1-2个数量级，因此在焦平面列阵的热成像方面具备较大的优势。
2、目前，国内外非制冷型光子型红外探测器已经实现近红外区（1-3μm）焦平面探测器阵列的突破并且实现了...
【技术保护点】
1.一种基于Sn掺杂PbSe量子点的中红外焦平面探测器制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的基于Sn掺杂PbSe量子点的中红外焦平面探测器制备方法，其特征在于，Sn掺杂的PbSe量子点和PbS量子点通过热注入法合成，其中Sn掺杂的PbSe量子点在合成之后应用室温氧化法和液相碘化法进行表面改性处理。
3.根据权利要求2所述的基于Sn掺杂PbSe量子点的中红外焦平面探测器制备方法，其特征在于，所述步骤S2包括：
4.根据权利要求3所述的基于Sn掺杂PbSe量子点的中红外焦平面探测器制备方法，其特征在于，所述步骤S
<...【技术特征摘要】
1.一种基于sn掺杂pbse量子点的中红外焦平面探测器制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的基于sn掺杂pbse量子点的中红外焦平面探测器制备方法，其特征在于，sn掺杂的pbse量子点和pbs量子点通过热注入法合成，其中sn掺杂的pbse量子点在合成之后应用室温氧化法和液相碘化法进行表面改性处理。
3.根据权利要求2所述的基于sn掺杂pbse量子点的中红外焦平面探测器制备方法，其特征在于，所述步骤s2包括：
4.根据权利要求3所述的基于sn掺杂pbse量子点的中红外焦平面探测器制备方法，其特征在于，所述步骤s21包括：
5. 根据权利要求4所述的基于sn掺杂pbse量子点的中红外焦平面探测器制备方法，其特征在于，所述步骤s211具体包括：称取适量氧化铅于容器a中，再在容器a中加入氧化铅重量2~3倍的ode和oa溶液，将容器a在100℃~110℃下真空加热一段时间，待温度升至140℃~150℃。
6.根据权利要求2所述的基于sn掺杂pbse量子点的中红外焦平面...
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