【技术实现步骤摘要】
本申请属于显示面板，尤其涉及一种发光二极管显示面板的检测方法、预处理方法和显示设备。
技术介绍
1、microled（micro light emitting diode display，微发光二极管显示器）和miniled（次毫米发光二极管）具有高亮度、高对比、高色域、高解析度、反应时间快、节能、低功耗等优点，被认为是显示革命技术的新方向。
2、为了提升并确保microled和miniled这类发光二极管显示面板的良率，检测技术也是另一个重点。由于发光二极管显示面板产品使用的晶片数量众多，需要正确且快速的检测并修复巨量而细小的led晶片。
3、由于发光二极管显示面板的显示屏的像素分辨率都非常高，晶片数量众多，如果要正确且快速的检测并修复巨量而细小的led晶片，由于目前检测手段存在一定的瓶颈，不能对发光二极管显示面板所有的晶片都进行检测；
4、现有技术对发光二极管显示面板检测的方式通常是进行巨量转移后再进行检测，假设以一台解析度为3840×2160 的4k的发光二极管显示面板为例，总共需转移二千多万颗...
【技术保护点】
1.一种发光二极管显示面板的检测方法，其特征在于，所述发光二极管显示面板包括二极管显示基板，所述二极管显示基板的下层设置有LED晶体，所述LED晶体的结构依次设置有N型半导体层，量子阱层和P型半导体层，所述N型半导体层上方覆有阴极导电层，使得所述二极管显示基板的表面上方形成有阴极电极，每个所述阴极电极对应一个像素单元，每个像素单元对应所述发光二极管显示面板的n个LED晶体，所述检测方法包括：
2.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述LED晶体的N型半导体层覆盖有经过图案化处理的第一绝缘层，其中，阳极导电层相对于所述LED晶体的结构设有第一开孔，且所...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管显示面板的检测方法，其特征在于，所述发光二极管显示面板包括二极管显示基板，所述二极管显示基板的下层设置有led晶体，所述led晶体的结构依次设置有n型半导体层，量子阱层和p型半导体层，所述n型半导体层上方覆有阴极导电层，使得所述二极管显示基板的表面上方形成有阴极电极，每个所述阴极电极对应一个像素单元，每个像素单元对应所述发光二极管显示面板的n个led晶体，所述检测方法包括：
2.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述led晶体的n型半导体层覆盖有经过图案化处理的第一绝缘层，其中，阳极导电层相对于所述led晶体的结构设有第一开孔，且所述第一开孔沉积于所述led晶体的n型半导体层，以使得第一绝缘层形成表面是阳极的阳极导电层；
3.如权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述对所述发光二极管显示面板发射电子束，使得所述电子束与所述二极管显示基板的表面的阴极电极发生反应，以触发所述像素单元产生电子二次感应信号，包括：
4.如权利要求1-3任一项所述的检测方法，其特征在于，所述基于所述电子二次感应信号，检测所述像素单元是否正常，包括：
5.如权利...
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