【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体材料制备领域，具体涉及一种在硅衬底上制备氧化镓薄膜的方法。
技术介绍
1、近年来，物化性能优异的超宽禁带半导体氧化镓(ga2o3)引起了科研界和产业界的广泛关注。氧化镓的带隙值宽达4.5-5.1ev，具有高达8mv·cm-1的抗击穿特性，用以表征功率器件电学特性的巴利加优值高达3214.1，是制作下一代高功率电子器件的优异材料。另一方面，氧化镓的光响应峰值直接对应于日盲紫外波段，且在吸收边附近的吸收系数高达105cm-1，在光电器件领域存在巨大的潜在应用价值。
2、薄膜形态是半导体材料与微电子工艺最为兼容的结构形态，氧化镓薄膜可用于功率器件的沟道层或光电器件的光吸收层。氧化镓薄膜的制备主要分为同质外延和异质外延。由于不存在晶格失配和热失配，同质外延的氧化镓薄膜往往质量较高，但当前氧化镓衬底价格高昂且p型掺杂问题未能解决，制作电子器件时存在较大的限制性。异质外延氧化镓薄膜的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅等。相比于蓝宝石和碳化硅，硅材料作为衬底具有大尺寸、成本低、热导率高和与硅基微电子器件集成等不可比拟的优点。...
【技术保护点】
1.一种在硅衬底上制备氧化镓薄膜的方法，其特征在于，按照以下方法进行：
2.根据权利要求1所述的一种在硅衬底上制备氧化镓薄膜的方法，其特征在于：所述氧化铪缓冲层的厚度在30nm到70nm。
3.根据权利要求1或2所述的一种在硅衬底上制备氧化镓薄膜的方法，其特征在于：所述氧化镓薄膜层的厚度在50nm到200nm。
4.根据权利要求3所述的一种在硅衬底上制备氧化镓薄膜的方法，其特征在于：所述步骤2)中原子层沉积法连续工艺中包含300-700循环周期的氧化铪缓冲层和1000-4000循环周期的氧化镓薄膜层。
5.根据权利要求4...
【技术特征摘要】
1.一种在硅衬底上制备氧化镓薄膜的方法，其特征在于，按照以下方法进行：
2.根据权利要求1所述的一种在硅衬底上制备氧化镓薄膜的方法，其特征在于：所述氧化铪缓冲层的厚度在30nm到70nm。
3.根据权利要求1或2所述的一种在硅衬底上制备氧化镓薄膜的方法，其特征在于：所述氧化镓薄膜层的厚度在50nm到200nm。
4.根据权利要求3所述的一种在硅衬底上制备氧化镓薄膜的方法，其特征在于：所述步骤2)中原子层沉积法连续工艺中包含300-700循环周期的氧化铪缓冲层和1000-4000循环周期的氧化镓薄膜层。
5.根据权利要求4所述的一种在硅衬底上制备氧化镓薄膜的方法，其特征在于：所述氧化铪缓冲层的每个周期包含四个脉冲，采用temah...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘祥泰，王嘉洋，王少青，贾一凡，陆芹，王湛，陈海峰，
申请(专利权)人：西安邮电大学，
类型：发明
国别省市：
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