【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及频域电磁计算领域,具体涉及一种频域电磁计算方法、共形及非共形网格的频域电磁计算方法。
技术介绍
1、随着封装级系统集成技术的发展,芯片上的器件密度越来越大,电路结构日趋复杂,引发的电磁干扰不可避免,如何实现良好的电磁建模从而优化封装设计越来越重要,而电磁建模的核心是电磁数值计算方法,就目前而言传统的电磁数值计算方法因其普适性、通用性等要求,其准确率低,计算效率低,并不十分适宜复杂集成电路结构的计算。
2、因此,需要一种适用于复杂集成电路结构的频域高效电磁计算方法。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服现有技术的缺点,提供一种频域电磁计算方法、共形及非共形网格的频域电磁计算方法,能够实现复杂集成电路结构的高效电磁计算,提高计算效率。
2、本专利技术采取如下技术方案实现上述目的,第一方面,本专利技术提供一种频域电磁计算方法,所述方法包括:
3、s1、根据集成电路结构的材料分布特性将所计算的区域划分为外区域和内区域两部分;
4、
...【技术保护点】
1.频域电磁计算方法,其特征在于,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的频域电磁计算方法,其特征在于,S1具体包括对于集成电路结构中的非均匀介质、背景介质以及各向异性介质划分为外区域,对于高电导率介质及其他结构划分为内区域。
3.根据权利要求1所述的频域电磁计算方法,其特征在于,S2具体包括对于外区域场分布的求解,首先由非齐次亥姆霍兹方程得到外区域及边界满足二维有限元分析的标准形式的方程,方程如下:
4.根据权利要求3所述的频域电磁计算方法,其特征在于,S3具体包括:由二维有限元分析最终方程求解出外区域包含其边界的纵向电场根据纵向
...【技术特征摘要】
1.频域电磁计算方法,其特征在于,所述方法包括:
2.根据权利要求1所述的频域电磁计算方法,其特征在于,s1具体包括对于集成电路结构中的非均匀介质、背景介质以及各向异性介质划分为外区域,对于高电导率介质及其他结构划分为内区域。
3.根据权利要求1所述的频域电磁计算方法,其特征在于,s2具体包括对于外区域场分布的求解,首先由非齐次亥姆霍兹方程得到外区域及边界满足二维有限元分析的标准形式的方程,方程如下:
4.根据权利要求3所述的频域电磁计算方法,其特征在于,s3具体包括:由二维有限元分析最终方程求解出外区域包含其边界的纵向电场根据纵向电场...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨顺川,李姣姣,王彦霖,朱泽昆,吴威波,
申请(专利权)人:北京航空航天大学,
类型:发明
国别省市:
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