本发明专利技术揭示了一种半导体制冷设备及供电控制方法。所述半导体制冷设备包括电源模块、主控单元、PWM控制器、温区和供冷模块，供冷模块与温区一一对应；电源模块包括高压区和低压区；主控单元用于控制所述供冷模块可选择地与电源模块的高压区或低压区连接；PWM控制器与所述供冷模块一一对应。所述供电控制方法包括：采集温区的实际温度，获取温区实际温度与设定温度的差值，控制温区的供冷模块选择与电源模块的高压区连接或与电源模块的低压区连接或断开与电源模块的连接。本发明专利技术电源模块的低压区可用于小温差范围温度控制，利于提升PWM的控制精度，降低能耗。电源模块的高压区可用于大温差范围温度控制，确保制冷量。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及制冷领域，特别涉及一种半导体制冷设备及供电控制方法。
技术介绍
1、目前通过半导体供冷模块制冷的半导体制冷设备，例如酒柜，一般采用单一的电压输出范围给半导体供冷模块供电，为了保证足够的制冷量，电压需要较大的范围。当通过pwm(脉冲宽度调制)控制模块控制半导体供冷模块的供电时，较大的电压范围使pwm控制精度低。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种pwm控制精度高的半导体制冷设备及供电控制方法。
2、为实现上述专利技术目的之一，本专利技术一实施方式提供一种半导体制冷设备，包括电源模块、复数个温区和复数个供冷模块，所述供冷模块与所述温区一一对应且所述供冷模块向所述温区供冷，所述电源模块向所述供冷模块供电；
3、所述电源模块包括高压区和低压区，所述高压区的电压大于所述低压区；
4、所述半导体制冷设备还包括：
5、主控单元，用于控制所述供冷模块可选择地与所述电源模块的高压区或低压区连接；
6、复数个pwm控制器，所述pwm控制器与所述供冷模块一一对应，所述pwm控制器设置于所述电源模块与所述供冷模块之间。
7、作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述半导体制冷设备还包括：
8、第一单刀多掷开关，所述第一单刀多掷开关在所述主控单元的控制下使所述供冷模块选择性地与所述电源模块的低压区或高压区连接；
9、选择开关，当选择开关闭合时，复数个所述供冷模块同时与所述电源模块连接；</p>10、第二单刀多掷开关，设置于所述第一单刀双掷开关和选择开关之间，当所述选择开关断开时，所述第一单刀多掷开关通过所述第二单刀多掷开关可选择地与复数个所述供冷模块连接。
11、作为本专利技术一实施方式的进一步改进，每个所述供冷模块通过一第三单刀多掷开关与所述电源模块连接，所述第三单刀多掷开关在所述主控单元的控制下使所述供冷模块可选择地与所述高压区连接或低压区连接。
12、为实现上述专利技术目的之一，本专利技术一实施方式提供一种半导体制冷设备的供电控制方法，所述方法包括以下步骤：
13、采集制冷设备的第一温区和第二温区的实际温度；
14、获取第一温区实际温度与设定温度的差值△t1，获取第二温区实际温度与设定温度的差值△t2；
15、判断△t1和△t2的和值与预设的第二阈值的大小；
16、若△t1和△t2的和值大于第二阈值，则判断△t1和△t2的大小；在△t1大于△t2时，控制第一温区的供冷模块连接电源模块的高压区，第二温区的供冷模块连接电源模块的低压区或断开与电源模块的连接；在△t2大于△t1时，控制第一温区的供冷模块与电源模块的低压区连接或断开与电源模块的连接，第二温区的供冷模块连接电源模块的高压区。
17、作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：
18、判断△t1和△t2的和值与预设的第一阈值的大小，其中，第一阈值小于第二阈值；
19、在△t1和△t2的和值在第一阈值和第二阈值之间时，控制第一温区和第二温区的供冷模块与电源模块的高压区连接；
20、在△t1和△t2的和值小于第一阈值时，控制第一温区和第二温区的供冷模块与电源模块的低压区连接；
21、在△t1和△t2的和值大于第二阈值时，判断△t1和△t2的大小；△t1大于△t2，控制第一温区的供冷模块与电源模块的高压区连接，第二温区的供冷模块断开与电源模块的连接；△t2大于△t1，控制第一温区的供冷模块断开与电源模块的连接，第二温区的供冷模块与电源模块的高压区连接。
22、作为本专利技术一实施方式的进一步改进，所述方法还包括：
23、判断△t1、△t2与预设的第一阈值的大小，其中，第一阈值小于第二阈值；
24、在△t1和△t2均大于第一阈值，且△t1和△t2的和值大于第二阈值时，判断△t1和△t2的大小；在△t1大于△t2时，控制第一温区的供冷模块与电源模块的高压区连接，第二温区的供冷模块与电源模块的低压区连接；△t2大于△t1，控制第一温区的供冷模块与电源模块的低压区连接，第二温区的供冷模块与电源模块的高压区连接；
25、在△t1和△t2均大于第一阈值，且△t1和△t2的和值小于等于第二阈值时，控制第一温区和第二温区的供冷模块与电源模块的高压区连接。
26、作为本专利技术一实施方式的进一步改进，在△t1大于第一阈值，△t2小于等于第一阈值时，控制第一温区的供冷模块与电源模块的高压区连接，第二温区的供冷模块与电源模块的低压区连接；
27、在△t1小于等于第一阈值，△t2大于第一阈值时，控制第一温区的供冷模块与电源模块的低压区连接，第二温区的供冷模块与电源模块的高压区连接。
28、作为本专利技术一实施方式的进一步改进，在△t1和△t2均小于等于第一阈值时，判断△t1与△t2的和值与第一阈值的大小；
29、在△t1和△t2的和值大于第一阈值时，判断△t1和△t2的大小；在△t1大于△t2时，控制第一温区的供冷模块与电源模块的低压区连接，第二温区的供冷模块断开与电源模块的连接；在△t2大于△t1时，控制第一温区的供冷模块断开与电源模块的连接，第二温区的供冷模块与电源模块的低压区连接；
30、在△t1和△t2的和值小于等于第一阈值时，控制第一温区和第二温区的供冷模块与电源模块的低压区连接。
31、为实现上述专利技术目的之一，本专利技术一实施方式一种半导体制冷设备的供电控制方法，所述方法包括以下步骤：
32、采集制冷设备第一温区、第二温区和第三温区的实际温度；
33、获取第一温区实际温度与设定温度的差值△t1，获取第二温区实际温度与设定温度的差值△t2；获取第三温区实际温度与设定温度的差值△t3；其中，△t1≤△t2≤△t3；
34、判断△t1、△t2、△t3与预设的第一阈值的大小；
35、在第一阈值≤△t1≤△t2≤△t3时，判断△t1、△t2、△t3的和值与预设的第二阈值的大小，其中，第二阈值大于第一阈值；
36、在△t1、△t2、△t3的和值大于第二阈值时，控制第二温区和第三温区的供冷模块与电源模块的高压区连接，第一温区的供冷模块与电源模块的低压区连接；
37、在△t1、△t2、△t3的和值小于等于第二阈值时，控制第一温区、第二温区和第三温区的供冷模块与电源模块的高压区连接。
38、作为本专利技术一实施方式的进一步改进，在△t1≤第一阈值≤△t2≤△t3时，判断△t2与△t3的和值与预设的第二阈值的大小；
39、在△t2与△t3的和值大于第二阈值时，控制第一温区的供冷模块断开与电源模块的连接，第二温区的供冷模块与电源模块的低压区连接，第三温区的供冷模块与电源模块的高压区连接；
40、在△t2与△t3的和值小于等于第二阈值时，控制第一温区的供冷模块与电源模块的低压区连接本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种半导体制冷设备，包括电源模块、复数个温区和复数个供冷模块，所述供冷模块与所述温区一一对应且所述供冷模块向所述温区供冷，所述电源模块向所述供冷模块供电；
2.根据权利要求1所述的半导体制冷设备，其特征在于，每个所述供冷模块通过一第三单刀多掷开关与所述电源模块连接，所述第三单刀多掷开关在所述主控单元的控制下使所述供冷模块可选择地与所述高压区连接或低压区连接。
3.一种半导体制冷设备的供电控制方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体制冷设备的供电控制方法，其特征在于，在△T1≤第一阈值≤△T2≤△T3时，判断△T2与△T3的和值与预设的第二阈值的大小；
5.根据权利要求3所述的半导体制冷设备的供电控制方法，其特征在于，在△T1≤△T2≤第一阈值≤△T3时，判断△T1与△T2的和值与第一阈值的大小；
6.根据权利要求3所述的半导体制冷设备的供电控制方法，其特征在于，在△T1≤△T2≤△T3≤第一阈值时，判断△T1、△T2、△T3的和值与第一阈值的大小；
7.根据权利要求6所述的半导体制冷设备的供电控制方法，其特征在于，在△T1、△T2、△T3的和值大于第一阈值时，判断第一阈值与△T3的差值与跃迁阈值的大小；
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【技术特征摘要】
1.一种半导体制冷设备，包括电源模块、复数个温区和复数个供冷模块，所述供冷模块与所述温区一一对应且所述供冷模块向所述温区供冷，所述电源模块向所述供冷模块供电；
2.根据权利要求1所述的半导体制冷设备，其特征在于，每个所述供冷模块通过一第三单刀多掷开关与所述电源模块连接，所述第三单刀多掷开关在所述主控单元的控制下使所述供冷模块可选择地与所述高压区连接或低压区连接。
3.一种半导体制冷设备的供电控制方法，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体制冷设备的供电控制方法，其特征在于，在△t1≤第一阈值≤△t2≤△t...
【专利技术属性】
技术研发人员：李彦玫，蒋彬，芦树龙，
申请(专利权)人：青岛海尔特种电冰柜有限公司，
类型：发明
国别省市：
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