【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于农业育苗，具体涉及一种大葱育苗的方法。
技术介绍
1、大葱育苗是大葱栽培的基础，而培育壮苗又是大葱丰产的前提。
2、申请号为cn201610025890.0的中国专利技术专利公开了一种大葱工厂化育苗方法，按常规方法搭建苗棚，在苗棚内设置苗床，并平整苗床中的土壤，做好畦埂，具体包括1.苗床铺设纱网；2.苗盘填充基质；3.种子播种前处理；4.播种；5.覆膜；6.苗床管理；7.苗期病害防治；8.促根壮苗。上述大葱工厂化育苗方法解决了大葱育苗产量低及根系不发达的技术问题。但是，由于大棚内温度较高，大葱育苗根部容易缺水，需要较大的灌溉量才能维持大葱根系及壮苗的正常生长，且土壤中育苗原根易分散于土中相互盘绕，起苗定植时大量断根发生，导致定植后发生生长停滞、缓苗恢复期过长等现象。
技术实现思路
1、鉴于此，本申请提供一种大葱育苗的方法，以解决
技术介绍
中存在的大葱幼苗在起苗定植后发生生长停滞，缓苗恢复期过长的技术问题。
2、为实现上述目的，本申请采用以下方案：
3、一种大葱育苗的方法，包括以下步骤：
4、a1、大棚内设置育苗床，所述育苗床底部地面上设置保湿层，所述育苗床与所述保湿层之间形成保湿性密闭空间，所述保湿性密闭空间可透光，所述保湿性密闭空间的湿度大于70％；
5、a2、所述育苗床上放置穴盘，所述的穴盘内铺设基质；
6、a3、将处理后的种子播到所述穴盘内。
7、优选的，步骤a1中，所述保湿层包括
8、优选的，步骤a1中，所述保湿层包括由鹅卵石组成的保温层，所述保温层铺设于所述储水层上方。
9、优选的，还包括以下步骤：根据大葱葱苗的生长阶段，调节所述保湿性密闭空间的高度。
10、优选的，出苗期间，所述保湿性密闭空间的高度为30cm-40cm；幼苗生长中期，所述保湿性密闭空间的高度为50cm-60cm；炼苗期间，所述保湿性密闭空间的高度为70cm-80cm。
11、优选的，步骤a2中，所述基质由包括以下步骤的配置方法配置：
12、a31、草炭、珍珠岩、蛭石按照3:1:1的体积混合均匀，制备混合物a；
13、a32、向1m3的所述混合物a中混入全溶性复混肥1kg-2kg，多菌灵可湿性粉剂150g-200g，得到混合物b；
14、a33、向所述混合物b中均匀加水使其含水量达到55％-60％左右，拌好后用塑料薄膜封闭至少7d待用。
15、优选的，所述a3步骤中还包括：
16、a41、盖种，播后覆盖基质，淋透水；
17、a42、覆膜，覆盖塑料薄膜；
18、a43、撤膜，待60％-70％种子顶土时，及时撤膜。
19、优选的，还包括播种后田间管理步骤，所述播种后田间管理步骤包括“
20、b1、水分管理，种到岀苗期间保持基质湿润；幼苗2-3片叶前适当控水，基质相对含水量保持在55％-60％；幼苗生长中后期增加基质含水量至60％-70％，保持苗床土湿润；定植前3d-5d减少浇水量，加大育苗棚通风时间以炼苗，使基质相对含水量保持在50％-55％；
21、b2、营养管理，基质育苗采用喷淋装置进行补肥，1叶期后开始追肥，用全溶性复混肥按照0.1％-0.2％的浓度交替喷施，前期每10d-15d施肥一次，苗龄40天以后可适当增高施肥频率，但每次施肥间隔不低于5d；
22、b3、温度管理，大葱适宜生长温度为白天20℃-25℃，夜间10℃-15℃；播种至出苗，保持在20℃-25℃；1叶期至4叶期，保持在18℃-23℃；4叶期以后，保持在15℃-25℃。
23、本申请采用的技术方案能够达到以下有益效果：
24、本申请提供一种大葱育苗的方法，所述育苗床底部地面上设置保湿层，所述育苗床与所述保湿层之间形成保湿性密闭空间，使得大葱育苗的根部不易缺水，具有节水保湿的有益效果。另外，由于保湿性密闭空间内湿度较大且能够透光，当向穴盘内播种后，前期容易发芽，且出苗整齐度高；幼苗生长期间，一方面通过保湿性密闭空间管理能够增强幼苗的根系生长，避免穴盘内基质发生缺水造成的危害；一方面通过透光管理，根系基本可在穴盘内形成富集生长，从而保障根系生长在穴盘基质内，避免了地面育苗中常见的根系扎入土中后在移盘和起苗时，因大量断根导致幼苗缓苗恢复期过长，定植后易死苗、缓苗慢等问题，为实现大葱宜机化轻简栽培，对合格用苗迫切需求的有效供给提供可行的技术支撑。
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1.一种大葱育苗的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的大葱育苗的方法，其特征在于，步骤A1中，所述保湿层包括由细沙组成的储水层。
3.根据权利要求2所述的大葱育苗的方法，其特征在于，步骤A1中，所述保湿层包括由鹅卵石组成的保温层，所述保温层铺设于所述储水层上方。
4.根据权利要求1所述的大葱育苗的方法，其特征在于，还包括以下步骤：根据大葱葱苗的生长阶段，调节所述保湿性密闭空间的高度。
5. 根据权利要求4所述的大葱育苗的方法，其特征在于，出苗期间，所述保湿性密闭空间的高度为30cm-40 cm；幼苗生长中期，所述保湿性密闭空间的高度为50cm-60cm；生长后期和炼苗期间，所述保湿性密闭空间的高度为70cm-80cm。
6.根据权利要求1所述的大葱育苗的方法，其特征在于，步骤A2中，所述基质由包括以下步骤的配置方法配置：
7.根据权利要求6所述的大葱育苗的方法，其特征在于，所述A3步骤中还包括：
8.根据权利要求6所述的大葱育苗的方法，其特征在于，还包括播种后田间管理步骤，所
...【技术特征摘要】
1.一种大葱育苗的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的大葱育苗的方法，其特征在于，步骤a1中，所述保湿层包括由细沙组成的储水层。
3.根据权利要求2所述的大葱育苗的方法，其特征在于，步骤a1中，所述保湿层包括由鹅卵石组成的保温层，所述保温层铺设于所述储水层上方。
4.根据权利要求1所述的大葱育苗的方法，其特征在于，还包括以下步骤：根据大葱葱苗的生长阶段，调节所述保湿性密闭空间的高度。
5. 根据权利要求4所述的大葱育苗的方法，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：李程，曲玲，赵健，沙新林，邵宝平，翟宝龙，王惠军，王志强，郭松，裴红霞，张庆华，陈淑萍，陈淑娟，马蛟龙，李虹，马江伟，
申请(专利权)人：宁夏农林科学院园艺研究所宁夏设施农业工程技术研究中心，
类型：发明
国别省市：
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