【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及分析仪器，特别涉及一种低压高功率三维可调he微波诱导等离子体离子源。
技术介绍
1、微波诱导等离子体离子源(microwave induced plasma ion source简称mip)是一种利用微波能量来产生和激发等离子体的装置。它通常由一个微波发生器和一个微波谐振腔组成。
2、在微波诱导等离子体离子源中，微波能量输入到微波谐振腔中的气体中，通过微波与样品之间的相互作用，激发和电离样品的气体分子，形成等离子体。这种等离子体具有高温、高能量的特点，从而实现元素的电离。然而不同元素在等离子体中的最佳电离区域不同。因此，磁质谱的接口无法对准不同元素的最佳电离区域，测定的精确度低。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的是提供一种低压高功率三维可调he微波诱导等离子体离子源，旨在提供一种可以对真空波纹管进行多方向微调的低压高功率三维可调he微波诱导等离子体离子源。
2、为实现上述目的，本专利技术提出的低压高功率三维可调he微波诱导等离子体离子源，包括：
3、壳体，所述壳体设有具有第一开口和第二开口的容设腔，所述第一开口和所述第二开口相对设置；
4、真空波纹管，所述真空波纹管靠近所述壳体的端部设有调节组件，所述调节组件活动设于所述容设腔，所述调节组件设有多个调节部，多个所述调节部穿设于所述壳体并在所述壳体的外侧显露，所述真空波纹管形成有对接口，所述对接口在所述第二开口处显露并用以对接分析仪，所述真空波纹管内设有外管，所述外管
5、微波发生器，所述微波发生器设于所述外管并与所述微波谐振腔相连通，用以在所述微波谐振腔内产生微波；以及
6、双层炬管，所述双层炬管设于所述真空波纹管，并位于所述微波谐振腔，所述双层炬管远离所述对接口的的一端设有加样端。
7、在本专利技术的一实施例中，所述调节组件包括：
8、轴向调节盘，所述轴向调节盘可移动地设于所述容设腔，所述轴向调节盘背向所述真空波纹管的一侧设有前后调节杆，所述前后调节杆在所述壳体的外侧显露；和
9、径向调节盘，所述轴向调节盘形成有内腔，所述径向调节盘可移动地设于所述内腔，所述径向调节盘沿周向分别设有上下调节杆和左右调节杆，所述上下调节杆和所述左右调节杆在所述壳体的外侧显露。
10、在本专利技术的一实施例中，所述前后调节杆、所述上下调节杆以及所述左右调节杆均与所述壳体螺接；和
11、所述前后调节杆、所述上下调节杆以及所述左右调节杆均设有标识部。
12、在本专利技术的一实施例中，所述低压高功率三维可调he微波诱导等离子体离子源还包括炬管固定筒，所述炬管固定筒设于所述径向调节盘并位于所述外管的外周，所述炬管固定筒形成有低压腔；
13、所述真空波纹管设有真空泵，所述真空泵与所述低压腔相连通。
14、在本专利技术的一实施例中，所述低压高功率三维可调he微波诱导等离子体离子源还包括冷却系统，所述冷却系统包括：
15、接口水冷管，所述接口水冷管设于所述炬管固定筒；和
16、离子源水冷管，所述离子源水冷管设于所述外管并位于所述低压腔。
17、在本专利技术的一实施例中，所述微波发生器的功率为p，800w≤p≤1000w。
18、在本专利技术的一实施例中，所述双层炬管包括内炬管和套设于所述内炬管的外炬管，所述外炬管设于所述外管并位于所述微波谐振腔，所述外炬管的一端设有辅助气入口，所述内炬管远离所述对接口的一端设有加样端；
19、所述辅助气入口和所述加样端分别用以加注辅助气和样品。
20、在本专利技术的一实施例中，所述辅助气为氦气。
21、在本专利技术的一实施例中，所述外炬管的材质为石英材质；和/或
22、所述内炬管由氮化硼和氮化硅组成。
23、在本专利技术的一实施例中，所述外炬管的端部设有外支撑管，所述外支撑管设有圆槽，所述圆槽设有内支撑管，所述内支撑管与所述内炬管卡接固定。
24、在本专利技术技术方案中，提出了一种低压高功率三维可调he微波诱导等离子体离子源，包括壳体、真空波纹管、微波发生器以及双层炬管，其中，真空波纹管形成有微波谐振腔，双层炬管设于该微波谐振腔内，微波发生器可以向微波谐振腔发射微波以使得双层炬管内的样品产生等离子体，真空波纹管靠近壳体的端部设有调节组件，调节组件活动设于容设腔，调节组件设有多个调节部，多个调节部穿设于壳体并在壳体的外侧显露，当针对不同类型样品进行电离时，操作人员可以通过调节不同的调节部来调节真空波纹管的位置，从而使得磁质谱的接口可以对准元素的最佳电离区域，从而达到更好的分析效果。
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1.一种低压高功率三维可调He微波诱导等离子体离子源，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的低压高功率三维可调He微波诱导等离子体离子源，其特征在于，所述调节组件包括：
3.如权利要求2所述的低压高功率三维可调He微波诱导等离子体离子源，其特征在于，所述前后调节杆、所述上下调节杆以及所述左右调节杆均与所述壳体螺接；和
4.如权利要求2所述的低压高功率三维可调He微波诱导等离子体离子源，其特征在于，所述低压高功率三维可调He微波诱导等离子体离子源还包括炬管固定筒，所述炬管固定筒设于所述径向调节盘并位于所述外管的外周，所述炬管固定筒形成有低压腔；
5.如权利要求4所述的低压高功率三维可调He微波诱导等离子体离子源，其特征在于，所述低压高功率三维可调He微波诱导等离子体离子源还包括冷却系统，所述冷却系统包括：
6.如权利要求1至5中任一项所述的低压高功率三维可调He微波诱导等离子体离子源，其特征在于，所述微波发生器的功率为P，800W≤P≤1000W。
7.如权利要求1至5中任一项所述的低压高功率三维可调He微
8.如权利要求7所述的低压高功率三维可调He微波诱导等离子体离子源，其特征在于，所述辅助气为氦气。
9.如权利要求7所述的低压高功率三维可调He微波诱导等离子体离子源，其特征在于，所述外炬管的材质为石英材质；和/或
10.如权利要求7所述的低压高功率三维可调He微波诱导等离子体离子源，其特征在于，所述外炬管的端部设有外支撑管，所述外支撑管设有圆槽，所述圆槽设有内支撑管，所述内支撑管与所述内炬管卡接固定。
...【技术特征摘要】
1.一种低压高功率三维可调he微波诱导等离子体离子源，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的低压高功率三维可调he微波诱导等离子体离子源，其特征在于，所述调节组件包括：
3.如权利要求2所述的低压高功率三维可调he微波诱导等离子体离子源，其特征在于，所述前后调节杆、所述上下调节杆以及所述左右调节杆均与所述壳体螺接；和
4.如权利要求2所述的低压高功率三维可调he微波诱导等离子体离子源，其特征在于，所述低压高功率三维可调he微波诱导等离子体离子源还包括炬管固定筒，所述炬管固定筒设于所述径向调节盘并位于所述外管的外周，所述炬管固定筒形成有低压腔；
5.如权利要求4所述的低压高功率三维可调he微波诱导等离子体离子源，其特征在于，所述低压高功率三维可调he微波诱导等离子体离子源还包括冷却系统，所述冷却系统包括：
6.如权利要求1至5中任一项所述的低压高功...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔺洁，刘勇胜，刘箴一，赵高升，刘文贵，姜昕，陈力飞，
申请(专利权)人：中国地质大学武汉，
类型：发明
国别省市：
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