低压高功率三维可调He微波诱导等离子体离子源制造技术

技术编号:41302578 阅读:21 留言:0更新日期:2024-05-13 14:49
本发明专利技术涉及分析仪器技术领域,并公开了一种低压高功率三维可调He微波诱导等离子体离子源,包括壳体、真空波纹管、微波发生器以及双层炬管,壳体设有具有第一开口和第二开口的容设腔,第一开口和第二开口相对设置,真空波纹管靠近壳体的端部设有调节组件,调节组件活动设于容设腔,调节组件设有多个调节部,多个调节部穿设于壳体并在壳体的外侧显露,真空波纹管形成有对接口,对接口在第二开口处显露并用以对接分析仪,真空波纹管内设有外管,外管内形成有微波谐振腔。在本发明专利技术技术方案中,当针对不同样品电离时,操作人员可通过调节不同的调节部来调节真空波纹管的位置,从而使得磁质谱的接口可以对准元素的最佳电离区域,达到更好的分析效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及分析仪器,特别涉及一种低压高功率三维可调he微波诱导等离子体离子源。


技术介绍

1、微波诱导等离子体离子源(microwave induced plasma ion source简称mip)是一种利用微波能量来产生和激发等离子体的装置。它通常由一个微波发生器和一个微波谐振腔组成。

2、在微波诱导等离子体离子源中,微波能量输入到微波谐振腔中的气体中,通过微波与样品之间的相互作用,激发和电离样品的气体分子,形成等离子体。这种等离子体具有高温、高能量的特点,从而实现元素的电离。然而不同元素在等离子体中的最佳电离区域不同。因此,磁质谱的接口无法对准不同元素的最佳电离区域,测定的精确度低。


技术实现思路

1、本专利技术的主要目的是提供一种低压高功率三维可调he微波诱导等离子体离子源,旨在提供一种可以对真空波纹管进行多方向微调的低压高功率三维可调he微波诱导等离子体离子源。

2、为实现上述目的,本专利技术提出的低压高功率三维可调he微波诱导等离子体离子源,包括:</p>

3、壳体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低压高功率三维可调He微波诱导等离子体离子源,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的低压高功率三维可调He微波诱导等离子体离子源,其特征在于,所述调节组件包括:

3.如权利要求2所述的低压高功率三维可调He微波诱导等离子体离子源,其特征在于,所述前后调节杆、所述上下调节杆以及所述左右调节杆均与所述壳体螺接;和

4.如权利要求2所述的低压高功率三维可调He微波诱导等离子体离子源,其特征在于,所述低压高功率三维可调He微波诱导等离子体离子源还包括炬管固定筒,所述炬管固定筒设于所述径向调节盘并位于所述外管的外周,所述炬管固定筒形成有低压腔;...

【技术特征摘要】

1.一种低压高功率三维可调he微波诱导等离子体离子源,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的低压高功率三维可调he微波诱导等离子体离子源,其特征在于,所述调节组件包括:

3.如权利要求2所述的低压高功率三维可调he微波诱导等离子体离子源,其特征在于,所述前后调节杆、所述上下调节杆以及所述左右调节杆均与所述壳体螺接;和

4.如权利要求2所述的低压高功率三维可调he微波诱导等离子体离子源,其特征在于,所述低压高功率三维可调he微波诱导等离子体离子源还包括炬管固定筒,所述炬管固定筒设于所述径向调节盘并位于所述外管的外周,所述炬管固定筒形成有低压腔;

5.如权利要求4所述的低压高功率三维可调he微波诱导等离子体离子源,其特征在于,所述低压高功率三维可调he微波诱导等离子体离子源还包括冷却系统,所述冷却系统包括:

6.如权利要求1至5中任一项所述的低压高功...

【专利技术属性】
技术研发人员:蔺洁刘勇胜刘箴一赵高升刘文贵姜昕陈力飞
申请(专利权)人:中国地质大学武汉
类型:发明
国别省市:

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