【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光刻，具体地，涉及一种用于z箍缩放电等离子体源的碎屑清除装置及其应用。
技术介绍
1、在半导体光刻
，极紫外光刻技术近年来已取得显著进展，芯片特征尺寸不断减小，但仍面临一些关键挑战，特别是在满足大批量制造的高吞吐量需求方面。其中，极紫外光收集镜的污染问题尤为突出。收集镜负责收集来自光源的极紫外光，并将其反射至后续光学传输链。由于暴露于光源等离子体相，收集镜会受到离子和中性碎屑的影响，这些碎屑由等离子体膨胀产生，并以溅射、植入和沉积的形式降低收集镜的反射率。
2、此外，光源功率的持续增加也是一大挑战。虽然增加源功率利于减少曝光时间，但这一过程不可避免地会产生更多的碎屑。传统商用极紫外光刻系统的碎屑清除方案已无法满足当前需求。因此，亟待开发行之有效的替代方案来解决这一问题。
技术实现思路
1、针对现有技术中的缺陷，本专利技术的目的是提供一种用于z箍缩放电等离子体源的碎屑清除装置及其应用。
2、根据本专利技术的一个方面，提供一种用于z箍缩放电等离子体源的碎屑清除装置，包括：
3、机械碰撞部，所述机械碰撞部通过碰撞阻扰高、低能量碎屑以及电荷中性碎屑的运动，降低碎屑的射程；
4、气体吹扫部，所述气体吹扫部利用气体分子撞击碎屑并改变其运动轨迹，进行碎屑清除；
5、箔片过滤部，所述箔片过滤部进行带外滤光，兼具碎屑过滤作用。
6、优选地，所述机械碰撞部、气体吹扫部、箔片过滤部按照以下位置设置：
...【技术保护点】
1.一种用于Z箍缩放电等离子体源的碎屑清除装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种用于Z箍缩放电等离子体源的碎屑清除装置，其特征在于，所述机械碰撞部、气体吹扫部、箔片过滤部按照以下位置设置：
3.根据权利要求1所述的一种用于Z箍缩放电等离子体源的碎屑清除装置，其特征在于，所述机械碰撞部为叶片陷，所述叶片陷包括呈环形阵列的多个薄六面体。
4.根据权利要求1所述的一种用于Z箍缩放电等离子体源的碎屑清除装置，其特征在于，所述气体吹扫部为高压气泵提供的缓冲气幕。
5.根据权利要求4所述的一种用于Z箍缩放电等离子体源的碎屑清除装置，其特征在于，所述缓冲气幕包括氢气、氖气、氦气、氩气的一种或者多种。
6.根据权利要求4所述的一种用于Z箍缩放电等离子体源的碎屑清除装置，其特征在于，所述气体吹扫部采用不同气体与流量的组合，实现不同的碎屑清除效果。
7.根据权利要求1所述的一种用于Z箍缩放电等离子体源的碎屑清除装置，其特征在于，所述箔片过滤部包括双重的金属陷，所述金属陷同时具有带内透射率和带外滤光性能。
<...【技术特征摘要】
1.一种用于z箍缩放电等离子体源的碎屑清除装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种用于z箍缩放电等离子体源的碎屑清除装置，其特征在于，所述机械碰撞部、气体吹扫部、箔片过滤部按照以下位置设置：
3.根据权利要求1所述的一种用于z箍缩放电等离子体源的碎屑清除装置，其特征在于，所述机械碰撞部为叶片陷，所述叶片陷包括呈环形阵列的多个薄六面体。
4.根据权利要求1所述的一种用于z箍缩放电等离子体源的碎屑清除装置，其特征在于，所述气体吹扫部为高压气泵提供的缓冲气幕。
5.根据权利要求4所述的一种用于z箍缩放电等离子体源的碎屑清除装置，其特征在于，所述缓冲气幕包括氢气、氖气、氦气、氩气的一种或者多种。
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【专利技术属性】
技术研发人员：张建华，郑佳乐，凌晓，辛涵申，李浩源，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：
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