System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种磁量热装置及探测系统制造方法及图纸_技高网

一种磁量热装置及探测系统制造方法及图纸

技术编号:41281894 阅读:6 留言:0更新日期:2024-05-11 09:32
本申请涉及量热技术领域,提供一种磁量热装置及探测系统,磁量热装置包括磁量热芯片、屏蔽基座、高导磁壳及超导磁壳,高导磁壳与屏蔽基座共同限定出外屏蔽腔,超导磁壳设置于外屏蔽腔内,超导磁壳与屏蔽基座共同限定出内屏蔽腔,磁量热芯片设置于内屏蔽腔内。本申请实施例的磁量热装置,通过外屏蔽腔罩设于内屏蔽腔外的耦合方式,能够减少环境磁场对磁量热芯片的干扰,提高磁量热装置的精准度。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及量热,尤其涉及一种磁量热装置及探测系统


技术介绍

1、磁量热装置(metallic magnetic calorimeter,mmc)是基于量热法的低温粒子探测器,磁量热装置包括磁量热芯片、顺磁温度传感器和拾波线圈等。放射源的射线束的能量转化为热量,使得顺磁温度传感器的磁化强度发生变化,由于拾波线圈中存在超导电流,如此,磁化强度信号转化为磁通信号,继而通过磁量热芯片获取磁通信号。

2、相关技术中,磁量热装置对环境磁场的屏蔽性能不佳,导致磁量热装置的精准度低。


技术实现思路

1、有鉴于此,本申请实施例期望提供一种磁量热装置及探测系统,能够提高磁量热装置的精准度。

2、本申请第一方面提供一种磁量热装置,包括:

3、磁量热芯片;

4、屏蔽基座;

5、高导磁壳,与所述屏蔽基座共同限定出外屏蔽腔;

6、超导磁壳,设置于所述外屏蔽腔内,所述超导磁壳与所述屏蔽基座共同限定出内屏蔽腔,所述磁量热芯片设置于所述内屏蔽腔内。

7、一些实施例中,所述屏蔽基座包括:

8、内屏蔽座,所述超导磁壳形成有内屏蔽腔以及与所述内屏蔽腔连通的第一开口,所述内屏蔽座遮蔽所述第一开口;

9、外屏蔽座,所述高导磁壳形成有外屏蔽腔以及与所述外屏蔽腔连通的第二开口,所述外屏蔽座遮蔽所述第二开口。

10、一些实施例中,所述内屏蔽座的周向面与所述超导磁壳的内壁面螺纹配合,所述外屏蔽座的周向面与所述高导磁壳的内壁面螺纹配合。

11、一些实施例中,所述超导磁壳朝向第一开口的端面抵接所述外屏蔽座。

12、一些实施例中,所述屏蔽基座包括导热件,所述内屏蔽座和所述外屏蔽座之间填充所述导热件。

13、一些实施例中,所述屏蔽基座形成有与所述内屏蔽腔连通的过线孔。

14、一些实施例中,所述磁量热装置包括安装座和支撑件,所述安装座和所述支撑件均设置于所述内屏蔽腔内,所述支撑件沿第一方向的两端分别连接所述屏蔽基座和所述安装座,所述磁量热芯片设置于所述安装座沿第一方向远离所述屏蔽基座的一侧。

15、一些实施例中,所述屏蔽基座包括内屏蔽座和导热件,所述内屏蔽座和所述支撑件之间填充所述导热件。

16、一些实施例中,所述磁量热装置包括形成有第一定位孔的底座,所述底座设置于所述屏蔽基座沿第一方向远离所述超导磁壳的一侧,所述屏蔽基座形成有第一限位孔,第一紧固件沿第一方向穿设所述第一定位孔及第一限位孔。

17、一些实施例中,所述磁量热装置包括放射源,所述放射源设置于所述外屏蔽腔内,且所述放射源位于所述磁量热芯片远离所述屏蔽基座的一侧。

18、一些实施例中,所述超导磁壳沿第一方向远离所述屏蔽基座的部位形成有放射孔,所述放射孔连通所述内屏蔽腔和所述外屏蔽腔,所述放射源的射线束穿过所述放射孔以照射所述磁量热芯片。

19、本申请第二方面提供一种探测系统,包括:

20、处理器;

21、低温平台;

22、上述任一项所述的磁量热装置,所述磁量热装置设置于所述低温平台上并与所述处理器电连接。

23、本申请实施例提供的磁量热装置,高导磁壳形成有高导磁通路,环境磁场从高导磁壳内通过,使得进入外屏蔽腔内的环境磁场减少,超导磁壳在超导态下发生迈纳斯效应,使得环境磁场无法进入内屏蔽腔。如此,通过外屏蔽腔罩设于内屏蔽腔外的耦合方式,能够减少环境磁场对磁量热芯片的干扰,提高磁量热装置的精准度。

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【技术保护点】

1.一种磁量热装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的磁量热装置,其特征在于,所述屏蔽基座包括:

3.根据权利要求2所述的磁量热装置,其特征在于,所述内屏蔽座的周向面与所述超导磁壳的内壁面螺纹配合,所述外屏蔽座的周向面与所述高导磁壳的内壁面螺纹配合。

4.根据权利要求2所述的磁量热装置,其特征在于,所述超导磁壳朝向第一开口的端面抵接所述外屏蔽座。

5.根据权利要求2所述的磁量热装置,其特征在于,所述屏蔽基座包括导热件,所述内屏蔽座和所述外屏蔽座之间填充所述导热件。

6.根据权利要求1所述的磁量热装置,其特征在于,所述屏蔽基座形成有与所述内屏蔽腔连通的过线孔。

7.根据权利要求1所述的磁量热装置,其特征在于,所述磁量热装置包括安装座和支撑件,所述安装座和所述支撑件均设置于所述内屏蔽腔内,所述支撑件沿第一方向的两端分别连接所述屏蔽基座和所述安装座,所述磁量热芯片设置于所述安装座沿第一方向远离所述屏蔽基座的一侧。

8.根据权利要求7所述的磁量热装置,其特征在于,所述屏蔽基座包括内屏蔽座和导热件,所述内屏蔽座和所述支撑件之间填充所述导热件。

9.根据权利要求1所述的磁量热装置,其特征在于,所述磁量热装置包括形成有第一定位孔的底座,所述底座设置于所述屏蔽基座沿第一方向远离所述超导磁壳的一侧,所述屏蔽基座形成有第一限位孔,第一紧固件沿第一方向穿设所述第一定位孔及第一限位孔。

10.根据权利要求1所述的磁量热装置,其特征在于,所述磁量热装置包括放射源,所述放射源设置于所述外屏蔽腔内,且所述放射源位于所述磁量热芯片远离所述屏蔽基座的一侧。

11.根据权利要求10所述的磁量热装置,其特征在于,所述超导磁壳沿第一方向远离所述屏蔽基座的部位形成有放射孔,所述放射孔连通所述内屏蔽腔和所述外屏蔽腔,所述放射源的射线束穿过所述放射孔以照射所述磁量热芯片。

12.一种探测系统,其特征在于,包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种磁量热装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的磁量热装置,其特征在于,所述屏蔽基座包括:

3.根据权利要求2所述的磁量热装置,其特征在于,所述内屏蔽座的周向面与所述超导磁壳的内壁面螺纹配合,所述外屏蔽座的周向面与所述高导磁壳的内壁面螺纹配合。

4.根据权利要求2所述的磁量热装置,其特征在于,所述超导磁壳朝向第一开口的端面抵接所述外屏蔽座。

5.根据权利要求2所述的磁量热装置,其特征在于,所述屏蔽基座包括导热件,所述内屏蔽座和所述外屏蔽座之间填充所述导热件。

6.根据权利要求1所述的磁量热装置,其特征在于,所述屏蔽基座形成有与所述内屏蔽腔连通的过线孔。

7.根据权利要求1所述的磁量热装置,其特征在于,所述磁量热装置包括安装座和支撑件,所述安装座和所述支撑件均设置于所述内屏蔽腔内,所述支撑件沿第一方向的两端分别连接所述屏蔽基座和所述安装座,所述磁量热芯片设置于所述安装座沿...

【专利技术属性】
技术研发人员:周宗正徐利军刘蕴韬张雨禾夏文毛娜请陈克胜罗瑞朱保吉朱亨
申请(专利权)人:中国原子能科学研究院
类型:发明
国别省市:

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