【技术实现步骤摘要】
本披露一般涉及表面处理。更具体地，本披露涉及一种表面处理方法和钕铁硼磁体产品。
技术介绍
1、烧结钕铁硼磁体是在电子器件领域广泛应用的功能材料。由于钕铁硼磁体基材易被腐蚀，目前多采用在基材表面电镀镀层等方式进行保护。随着电子器件领域的功能器件向高性能小型化方向发展，对于磁体的性能要求也越来越高，而镀层的厚度大小成为了影响磁体性能的重要因素。磁体表面的镀层厚度较大，可能影响磁体的磁性能；磁体表面的镀层厚度较小，可能影响磁体的耐腐蚀性能。磁体表面的镀层厚度的均匀性也同样重要，会影响磁体表面整体的性能效果和耐久性等。
2、有鉴于此，亟需提供一种用于钕铁硼材料的表面处理方案，以便有利于提高钕铁硼磁体表面镀层的均匀性。
技术实现思路
1、为了至少解决如上所提到的一个或多个技术问题，本披露在多个方面中提出了一种表面处理方法和钕铁硼磁体产品。
2、在第一方面中，本披露提供一种表面处理方法，包括：将钕铁硼磁体基体置于第一电镀液中进行第一镀铜处理，以形成第一镀铜磁体，其中所述第一电镀液中包括铜盐，并且在第一镀铜处理过程中，将所述第一电镀液中的铜离子浓度保持在2－3g/l；以及将所述第一镀铜磁体置于第二电镀液中进行第二镀铜处理，以形成第二镀铜磁体，其中所述第二电镀液中包括铜盐，并且在第二镀铜处理过程中，将所述第二电镀液中的铜离子浓度保持在8.5－9.5g/l。
3、在一些实施方式中，所述表面处理方法进一步包括：在所述第一电镀液中设置至少一个可溶性阳极和至少一个第一不
4、在另一些实施方式中，在所述第一电镀液中设置至少一个第二不溶性阳极和至少一个阴极，以形成第二电解回路；以及在第一镀铜处理过程中，根据所述第一电镀液中的铜离子浓度，控制所述第二电解回路的开启和关闭。
5、在又一些实施方式中，根据所述第一电镀液中的铜离子浓度，控制所述第二电解回路的开启和关闭包括：响应于所述第一电镀液中的铜离子浓度小于2.2g/l，关闭所述第二电解回路；响应于所述第一电镀液中的铜离子浓度大于2.4g/l，开启所述第二电解回路。
6、在一些实施方式中，所述可溶性阳极包括铜阳极；所述第一不溶性阳极包括石墨阳极和/或不锈钢阳极；所述第二不溶性阳极包括石墨阳极和/或不锈钢阳极。
7、在另一些实施方式中，所述第一电镀液还包括80－140g/l的络合剂和2－4ml/l的湿润剂溶液。
8、在又一些实施方式中，所述湿润剂溶液包括磷酸烷基醚钠盐的溶液，所述磷酸烷基醚钠盐的溶液浓度为5－10wt％。
9、在一些实施方式中，所述第一镀铜处理还包括：控制所述第一电镀液的温度为17－23℃，ph值为9.6－10。
10、在另一些实施方式中，控制所述第一镀铜处理的电镀时间为1－2小时，电流密度为0.05－0.15asd。
11、在又一些实施方式中，在进行第一镀铜处理之前，所述表面处理方法还包括：将所述钕铁硼磁体基体浸泡在预处理液中进行预处理，其中所述预处理液包括络合剂和ph调节剂，所述络合剂的浓度为80－140g/l，所述ph调节剂用于调节所述预处理液的ph值为9.6－10。
12、在一些实施方式中，所述ph调节剂包括氢氧化钾。
13、在另一些实施方式中，所述第一镀铜处理还包括：检测所述第一电镀液中的络合剂的浓度变化，以确定向所述第一电镀液中补加络合剂的补加量和补加时间，其中所述补加时间按照安培小时计算；以及根据所述补加量和所述补加时间，向所述第一电镀液中补加所述络合剂。
14、在又一些实施方式中，在进行所述第一镀铜处理时，还包括：对所述第一电镀液进行冷却处理，以在进行所述第一镀铜处理过程中使得所述第一电镀液的温度保持在17－23℃。
15、在一些实施方式中，所述第二电镀液还包括络合剂、第一添加剂和第二添加剂，其中，所述络合剂的浓度为110－170g/l；所述第一添加剂包括质量比例为1－5wt％的无水硝酸铋，1－5wt％的甘氨酸和1－10wt％的碳酸钾；所述第二添加剂包括质量比例为1－10wt％的亚氯酸钠和1－10wt％的硫酸钠。
16、在另一些实施方式中，在开始进行第二镀铜处理时，所述第二电镀液中所述第一添加剂与所述第二添加剂的体积比为1：4。
17、在又一些实施方式中，所述第二添加剂在所述第二电镀液中的体积含量为7－9ml/l。
18、在另一些实施方式中，所述表面处理方法进一步包括：在所述第二镀铜处理过程中，向所述第二电镀液中一次或多次补加所述第一添加剂和所述第二添加剂，每次补加操作中的所述第一添加剂与所述第二添加剂的体积比为1：2。
19、在又一些实施方式中，所述表面处理方法还包括：在所述第二镀铜处理过程中，向所述第二电镀液中自动补液，以控制第二电镀液的最高液位高度与最低液位高度之间的差值在预设范围内，使得所述第二电镀液中的铜离子浓度差的波动范围在2％以下。
20、在一些实施方式中，所述第二镀铜处理还包括：控制所述第二电镀液的温度为57－63℃，ph值为9.4－9.8。
21、在另一些实施方式中，控制第二镀铜处理的电镀时间为3－4小时，电流密度为0.05－0.15asd。
22、在又一些实施方式中，在进行所述第一镀铜处理和/或所述第二镀铜处理之前，施加冲击电流，所述冲击电流的大小为电镀时电流大小的1.4－2倍，施加冲击电流的时间为10－30分钟。
23、在一些实施方式中，所述络合剂包括hedp。
24、在另一些实施方式中，所述表面处理方法还包括：在所述第二镀铜磁体的表面电镀第三镀层，所述第三镀层包括镍镀层、镍磷镀层和环氧镀层中的至少一种。
25、在第二方面中，本披露提供一种根据本披露在第一方面中提供的任一所述的表面处理方法制备得到的钕铁硼磁体产品。
26、通过如上所提供的钕铁硼磁体基体的表面处理方法，本披露实施方式通过将钕铁硼磁体基体依次进行第一镀铜处理和第二镀铜处理，并在第一镀铜处理中保持铜离子浓度在2－3g/l，以及在第二镀铜处理中保持铜离子浓度在8.5-9.5g/l，能够得到具有超薄铜镀层的钕铁硼磁体，并且使得批量生产的单个产品铜镀层的公差均能够在±1μm范围内，以保证铜镀层的厚度的均匀性，以及有利于提高磁体镀层的精度和性能的稳定性。
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1.一种表面处理方法，包括：
2.根据权利要求1所述的表面处理方法，进一步包括：
3.根据权利要求2所述的表面处理方法，其中根据所述第一电镀液中的铜离子浓度，控制所述第二电解回路的开启和关闭包括：
4.根据权利要求2所述的表面处理方法，其中
5.根据权利要求1-4任一所述的表面处理方法，其中所述第一电镀液还包括80-140g/L的络合剂和2-4ml/L的湿润剂溶液；
6.根据权利要求1-5任一所述的表面处理方法，其中所述第一镀铜处理还包括：
7.根据权利要求1所述的表面处理方法，在进行第一镀铜处理之前，所述表面处理方法还包括：
8.根据权利要求5所述的表面处理方法，其中所述第一镀铜处理还包括：
9.根据权利要求6所述的表面处理方法，其中在进行所述第一镀铜处理时，还包括：
10.根据权利要求1所述的表面处理方法，其中所述第二电镀液还包括络合剂、第一添加剂和第二添加剂，其中，
11.根据权利要求10所述的表面处理方法，进一步包括：
12.根据权利要求1所
13.根据权利要求1所述的表面处理方法，其中所述第二镀铜处理还包括：
14.根据权利要求1所述的表面处理方法，其中，
15.根据权利要求5或7或8或10所述的表面处理方法，其中所述络合剂包括HEDP。
16.根据权利要求1-15任一所述的表面处理方法，还包括：
17.一种根据权利要求1-16任一所述的表面处理方法制备得到的钕铁硼磁体产品。
...【技术特征摘要】
1.一种表面处理方法，包括：
2.根据权利要求1所述的表面处理方法，进一步包括：
3.根据权利要求2所述的表面处理方法，其中根据所述第一电镀液中的铜离子浓度，控制所述第二电解回路的开启和关闭包括：
4.根据权利要求2所述的表面处理方法，其中
5.根据权利要求1-4任一所述的表面处理方法，其中所述第一电镀液还包括80-140g/l的络合剂和2-4ml/l的湿润剂溶液；
6.根据权利要求1-5任一所述的表面处理方法，其中所述第一镀铜处理还包括：
7.根据权利要求1所述的表面处理方法，在进行第一镀铜处理之前，所述表面处理方法还包括：
8.根据权利要求5所述的表面处理方法，其中所述第一镀铜处理还包括：
9.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆文钏，陈红，樊秀华，王浩颉，胡蝶，
申请(专利权)人：宁波科宁达工业有限公司，
类型：发明
国别省市：
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