【技术实现步骤摘要】
本申请属于射频电路领域，具体涉及一种耦合器、耦合方法、装置、电子设备及存储介质。
技术介绍
1、微带定向耦合器是一种常用于射频功率采样的微波/毫米波部件，可应用于功率的监测、源输出功率稳幅、信号源隔离、传输和反射的扫频测试等场景，目前，用于功率采样的定向耦合器常采用的是贴片式独立器件或微带交指耦合器，微带定向耦合器在射频收发系统中能够提供反馈信号所需的耦合功率，对于建设基站设备具有重要意义。目前在5g通信系统中，针对末级功率放大器(power amplifier，pa)与耦合器共腔体使用的场景等，要求耦合器需要具有高耦合度。
2、而现有的传统耦合器，在有限的面积和体积内，现有的传统耦合器具有耦合度差的问题，难以满足信号收发系统对定向耦合器高耦合的需求。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种耦合器、耦合方法、装置、电子设备及存储介质，能够解决耦合器耦合度差，难以满足信号收发系统对定向耦合器高耦合的需求的问题。
2、第一方面，本申请实施例提供了一种耦合器，该耦合器包括：第一介质层，所述第一介质层的第一面上设置有信号传输结构和第一信号耦合结构；第二介质层，所述第二介质层的第一面连接所述第一介质层的第二面，所述第二介质层的第二面接地；第二信号耦合结构，所述第二信号耦合结构设置在所述第二介质层的第一面与所述第一介质层的第二面之间，用于增大所述第一信号耦合结构与所述信号传输结构之间的耦合电容。
3、第二方面，本申请实施例提供了一种耦合方法，该方法包括：用于
4、第三方面，本申请实施例提供了一种耦合装置，该装置包括：接收模块，用于通过信号传输结构接收待耦合信号；调整模块，用于通过第二信号耦合结构增强第一信号耦合结构的耦合强度和方向性，其中，所述第二信号耦合结构位于所述信号传输结构和第一信号耦合结构的下方；耦合模块，通过所述第一信号耦合结构对所述待耦合信号进行耦合。
5、第四方面，本申请实施例提供了一种电子设备，该电子设备包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的程序或指令，所述程序或指令被所述处理器执行时实现如第一方面所述的方法的步骤。
6、第五方面，本申请实施例提供了一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储程序或指令，所述程序或指令被处理器执行时实现如第一方面所述的方法的步骤。
7、在本申请实施例中，耦合器包括第一介质层，第一介质层的第一面上设置有信号传输结构和第一信号耦合结构；第二介质层，第二介质层的第一面连接第一介质层的第二面，第二介质层的第二面接地；第二信号耦合结构，第二信号耦合结构设置在第二介质层的第一面与第一介质层的第二面之间，用于增大第一信号耦合结构与信号传输结构之间的耦合电容，可以在不改变原有耦合间距的情况下，提高第一信号耦合结构的耦合强度和方向性，解决了耦合度差的问题，能够满足信号收发系统对高耦合度的要求，通过设置第二信号耦合结构以实现提高第一信号耦合结构的耦合度和方向性，不设置其他附加结构，使得耦合器能够满足小型化设计需求，同时能够降低成本，并且，信号传输结构和第一信号耦合结构均分布在第一介质层的第一面上，在第一面上无附加结构，保证了耦合器的阻抗与整体系统电路走线阻抗保持一致，使的整体系统电路具有良好的阻抗匹配能力。
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1.一种耦合器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的耦合器，其特征在于，所述第二信号耦合结构的宽度由待耦合信号对应的工作频段决定。
3.根据权利要求1所述的耦合器，其特征在于，所述第二信号耦合结构位于所述第二介质层的第一面且位于所述信号传输结构和所述第一信号耦合结构的下方。
4.根据权利要求1所述的耦合器，其特征在于，所述第二介质层的数量为多个，多个所述第二介质层的第一面上设置有一个或多个所述第二信号耦合结构。
5.根据权利要求4所述的耦合器，其特征在于，多个所述第二介质层包括第一层和第二层，所述多个所述第二介质层的第一面上设置有一个或多个所述第二信号耦合结构，包括：
6.根据权利要求1所述的耦合器，其特征在于，所述耦合器还包括：
7.一种耦合方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的耦合方法，其特征在于，所述通过第二信号耦合结构增强第一信号耦合结构的耦合强度和方向性，包括：
9.根据权利要求7所述的耦合方法，其特征在于，所述第二信号耦合结构的宽度由所述待耦合信号对应的
10.根据权利要求7所述的耦合方法，其特征在于，所述信号传输结构和所述第一信号耦合结构的电路阻抗与所述信号传输结构和所述第一信号耦合结构所在的系统的电路阻抗相同。
11.一种耦合装置，其特征在于，包括：
12.一种电子设备，其特征在于，包括处理器，存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的程序或指令，所述程序或指令被所述处理器执行时实现如权利要求7-10任一项所述的耦合方法的步骤。
13.一种可读存储介质，其特征在于，所述可读存储介质上存储程序或指令，所述程序或指令被处理器执行时实现如权利要求7-10任一项所述的耦合方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种耦合器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的耦合器，其特征在于，所述第二信号耦合结构的宽度由待耦合信号对应的工作频段决定。
3.根据权利要求1所述的耦合器，其特征在于，所述第二信号耦合结构位于所述第二介质层的第一面且位于所述信号传输结构和所述第一信号耦合结构的下方。
4.根据权利要求1所述的耦合器，其特征在于，所述第二介质层的数量为多个，多个所述第二介质层的第一面上设置有一个或多个所述第二信号耦合结构。
5.根据权利要求4所述的耦合器，其特征在于，多个所述第二介质层包括第一层和第二层，所述多个所述第二介质层的第一面上设置有一个或多个所述第二信号耦合结构，包括：
6.根据权利要求1所述的耦合器，其特征在于，所述耦合器还包括：
7.一种耦合方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的耦合方...
【专利技术属性】
技术研发人员：张昆明，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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