【技术实现步骤摘要】
本技术涉及存储设备，具体涉及一种散热风道结构及高密度存储设备。
技术介绍
1、随着存储设备的性能越来越高，容量越来越大，放置的功能模块和硬盘等越来越多，功耗也也越来越大，对散热的要求也越来越高。目前，存储设备的散热还是以风冷散热为主，常规的风道设计还是以系统风扇抽风，控制器风扇回风为主；这种风道设计很容易造成部分模块漏风，导致散热过不了，影响模块性能，进而影响整个存储设备的性能。
技术实现思路
1、针对现有技术的上述不足，本技术提供一种散热风道结构及高密度存储设备，以解决上述技术问题。
2、第一方面，本技术提供一种散热风道结构，包括：
3、第一风道，所述第一风道的进风口由机箱前面板的上端开孔组成，所述第一风道经过硬盘主体、硬盘连接器空间、硬盘大底板背部通孔，所述第一风道的出风口为机箱后面板的上端抽风通道，所述抽风通道内设置有风扇组；
4、第二风道，所述第二风道的进风口由机箱前面板的底端开孔组成，所述第二风道包括第一部分通道和第二部分通道，所述第一部分通道为进风口至控制器之间的由硬盘连接器缝隙组成的通道，所述第二部分通道为第一部分通道与所述抽风通道之间的连通通道，所述第二部分通道经过硬盘主体缝隙、硬盘大底板背部通孔；
5、第三风道，所述第三风道为机箱底部区域的回风风道，通过io卡的开孔进入腔体，所述腔体为硬盘主体与风扇组之间的空间。
6、在一个可选的实施方式中，所述硬盘大底板背部通孔的位置与抽风通道的位置在同一水平面。>
7、在一个可选的实施方式中，第一风道、第二风道和第三风道的阻力比为7:2:1。
8、第二方面，本技术提供一种高密度存储设备，包括：
9、机箱，所述机箱包括上层区域和下层区域，所述上层区域用于放置硬盘主体，下层区域用于放置存储关联部件，上层区域与下层区域之间存在间隔区域，所述间隔区域用于放置连接器，所述连接器用于连接硬盘主体和存储关联部件；
10、机箱后面板的上端位置设有抽风通道，所述抽风通道内设有风扇组；机箱的前面板的上端和下端位置均设有多组开孔；
11、所述硬盘主体之间存在缝隙，且硬盘大底板背部的上端存在通孔；
12、所述存储关联部件包括控制器和io卡，所述io卡靠近机械后端，所述控制器在所述io卡与前端面板之间，所述控制器与io卡之间的间隔区域内设有阻塞介质；
13、控制器和io卡的位置对应的机箱面板设有对外开孔；
14、其中，机箱前面板的上端开孔、硬盘大底板背部的通孔和抽风通道组成第一风道；机箱前面板的下端开孔、控制器前方的下层区域、控制器前方通道及控制器后方硬盘大底板背部通孔和抽风通道组成第二风道；io卡对应的对外开孔、硬盘主体与风扇组之间的空间和抽风通道组成第三风道。
15、在一个可选的实施方式中，间隔区域与下层区域之间设有隔板，在隔板上与所述控制器对应的位置开设有通风口。
16、在一个可选的实施方式中，所述io卡的前端设有挡风墙，所述挡风墙预留3mm高度用于回风。
17、在一个可选的实施方式中，第一风道、第二风道和第三风道的阻力比为7:2:1。
18、在一个可选的实施方式中，所述风扇组包括5个对旋散热风扇。
19、本技术的有益效果在于，本技术提供的散热风道结构及高密度存储设备，通过创新性的风道设计，使用5个高性能对旋8080风扇进行抽风，取消了前面板控制器风扇回风的常规设计，在后面板io卡和光模块区域进行回风。这种设计，不仅保证了硬盘和控制器散热的通风，同时保证了io卡和光模块等其他模块的散热；系统整体散热良好，运行稳定，提升了产品竞争力。
20、本技术通过合理安排风道设计，采用5个系统风扇在设备后面板上方位置进行抽风，设备后面板下方位置的io卡和光模块区域进行回风，实现系统不漏风设计，保证系统的散热效率，突破散热瓶颈区域，提升系统运行稳定性。
21、此外，本技术设计原理可靠，结构简单，具有非常广泛的应用前景。
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1.一种散热风道结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的散热风道结构，其特征在于，所述硬盘大底板背部通孔的位置与抽风通道的位置在同一水平面。
3.根据权利要求1所述的散热风道结构，其特征在于，第一风道、第二风道和第三风道的阻力比为7:2:1。
4.一种高密度存储设备，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的高密度存储设备，其特征在于，包括：
6.根据权利要求4所述的高密度存储设备，其特征在于，所述IO卡的前端设有挡风墙，所述挡风墙预留3mm高度用于回风。
7.根据权利要求4所述的高密度存储设备，其特征在于，第一风道、第二风道和第三风道的阻力比为7:2:1。
8.根据权利要求4所述的高密度存储设备，其特征在于，所述风扇组包括5个对旋散热风扇。
【技术特征摘要】
1.一种散热风道结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的散热风道结构，其特征在于，所述硬盘大底板背部通孔的位置与抽风通道的位置在同一水平面。
3.根据权利要求1所述的散热风道结构，其特征在于，第一风道、第二风道和第三风道的阻力比为7:2:1。
4.一种高密度存储设备，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的高密...
【专利技术属性】
技术研发人员：秦清松，颜俐君，张帅豪，
申请(专利权)人：苏州元脑智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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