【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微型低能量点火和起爆，具体涉及一种爆炸箔制备方法。
技术介绍
1、低能量点火和高起爆能力，是实现点火和起爆的发展趋势，爆炸箔起爆器又叫冲击片雷管，通常由晶圆基片、爆炸桥箔、飞片层、加速膛和药剂组成，是一种极其安全可靠的点火和起爆装置，爆炸箔是冲击片雷管的核心元件，而爆炸箔材料作为影响爆炸特性的重要因素之一，爆炸箔的比热、汽化热以及密度都会导致其爆炸特性大有不同。
2、然而，当前ag、cu、al、au、au-pt等材料制成的金属箔初始电阻率较大且升华热较低，导致爆炸箔起爆器的发火能量较高，不易激发产生电爆炸，推动飞片能力低，不能可靠起爆顿感炸药。因此，如何提供一种能够降低爆炸箔的发火能量，使其具有较高的作用能力，确保可靠引爆非敏感炸药的爆炸箔制备方法，是本领域技术人员亟需解决的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种爆炸箔制备方法，本专利技术能够有效降低爆炸箔起爆能量，使其易于被激发产生电爆炸，提高推动飞片能力，可靠起爆非敏感炸药。
2、为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
3、一种爆炸箔制备方法，包括：
4、s10，清理晶圆基片：
5、去除晶圆基片表面杂质沾污；
6、s20，沉积薄膜：
7、首先，溅射金属钛钨薄膜，然后蒸发金属镍薄膜和金薄膜，且钛钨薄膜、金属镍薄膜和金薄膜从下向上顺次排布成型；
8、s30，光刻爆炸箔；
9、将桥箔图形转
10、s40，清理杂质；
11、将晶圆基片表面的未被光刻胶覆盖的金薄膜/镍薄膜/钛钨薄膜腐蚀，并清洗腐蚀后晶圆基片的表面杂质。
12、优选的，步骤s10中，使用boe溶液清洗基片，去除晶圆基片表面的杂质沾污。
13、优选的，钛钨薄膜的厚度为30nm～60nm，镍薄膜的厚度为300nm～400nm，金薄膜的厚度为3500nm～4000nm，爆炸箔的电阻值范围为25mω～50mω。
14、优选的，步骤s20中，先预溅射15～30min后，再将样品架移动至靶材上方，往复3次，镀上3层薄膜。
15、优选的，步骤s30中，通过涂胶、前烘、光刻、显影、坚膜工艺将掩模板上的桥箔图形转移到晶圆基片上。
16、优选的，在步骤s30中，使用光刻法光刻制阵列桥形的桥箔。
17、优选的，步骤s40中，先配置腐蚀液，对晶圆基片表面未被光刻胶覆盖的金属薄膜进行腐蚀处理，后使用丙酮和酒精浸泡清洗去除晶圆基片表面的光刻胶，最终爆炸箔成型。
18、本专利技术的有益效果在于：
19、本专利技术单个桥箔电爆炸产生的等离子体束汇聚在一起，可形成更高密度的等离子体流，另外钛钨薄膜以及镍薄膜作为粘接层，可提高桥箔导电能力，降低起爆能量，金薄膜作为桥箔换能元材料，可提高电爆炸产生等离子体的做功能力；相比较于现有爆炸箔，本专利技术能够有效降低爆炸箔起爆能量，使其易于被激发产生电爆炸，提高推动飞片能力，可靠起爆顿感炸药。本专利技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显。
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1.一种爆炸箔制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种爆炸箔制备方法，其特征在于：步骤S10中，使用BOE溶液清洗基片，去除晶圆基片表面的杂质沾污。
3.根据权利要求1所述的一种爆炸箔制备方法，其特征在于：钛钨薄膜的厚度为30nm～60nm，镍薄膜的厚度为300nm～400nm，金薄膜的厚度为3500nm～4000nm，爆炸箔的电阻值范围为25mΩ～50mΩ。
4.根据权利要求1所述的一种爆炸箔制备方法，其特征在于：步骤S20中，先预溅射15～30min后，再将样品架移动至靶材上方，往复3次，镀上3层薄膜。
5.根据权利要求1所述的一种爆炸箔制备方法，其特征在于：步骤S30中，通过涂胶、前烘、光刻、显影、坚膜工艺将掩模板上的桥箔图形转移到晶圆基片上。
6.根据权利要求1所述的一种爆炸箔制备方法，其特征在于：在步骤S30中，使用光刻法光刻制阵列桥形的桥箔。
7.根据权利要求1所述的一种爆炸箔制备方法，其特征在于：步骤S40中，先配置腐蚀液，对晶圆基片表面未被光刻胶覆盖的金属薄膜进行腐蚀处理，后
...【技术特征摘要】
1.一种爆炸箔制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种爆炸箔制备方法，其特征在于：步骤s10中，使用boe溶液清洗基片，去除晶圆基片表面的杂质沾污。
3.根据权利要求1所述的一种爆炸箔制备方法，其特征在于：钛钨薄膜的厚度为30nm～60nm，镍薄膜的厚度为300nm～400nm，金薄膜的厚度为3500nm～4000nm，爆炸箔的电阻值范围为25mω～50mω。
4.根据权利要求1所述的一种爆炸箔制备方法，其特征在于：步骤s20中，先预溅射15～30min后，再将样品架移动...
【专利技术属性】
技术研发人员：董晓芬，王端，李思宇，郭宇轩，王蔚，李乾，
申请(专利权)人：中北大学，
类型：发明
国别省市：
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