【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，特别是涉及一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法。
技术介绍
1、氧化镓(ga2o3)具有超宽的禁带宽度、高理论击穿电场、低成本大尺寸的衬底制备方法，成为下一代高压大功率电子电力器件最有应用前景的半导体材料之一。为了提高功率器件的整流效率，减小功率损耗，在二极管开关过程中实现一个低的开启电压，减小反向泄漏电流，保持一个不错的击穿电压至关重要。制备肖特基二极管时，通常会选用一个高功函数金属与半导体材料形成具有整流特征的肖特基接触，高功函数金属在反向操作时具备较好的抑制泄漏电流的能力，但在正向操作时会引入一个较大的开启电压，因此在二极管开关操作时会引入一个较大的功率损耗。制备具有低开启电压的二极管，一般是采用具有低功函数的金属与ga2o3形成肖特基接触。在不考虑非理想因素(例如界面态会引入费米能级钉扎效应，使得金属功函数与金属-半导体接触形成的势垒高度不是线性对应的)时的平衡状态下，低功函数金属与ga2o3形成之间形成的内建电势较低。在该状态下，正向导通时，只需要施加较低的正向电压就能实现二极管导通，反向截止时，由于低功函...
【技术保护点】
1.一种氧化镓肖特基二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的氧化镓肖特基二极管，其特征在于，所述第一部分远离所述漂移层的一侧生长有第一金属层且通过所述第一金属层与所述第二部分接触，所述第二部分远离所述漂移层的一侧生长有第二金属层；
3.根据权利要求1所述的氧化镓肖特基二极管，其特征在于，在所述氧化镓肖特基二极管的至少一个横截面中，所述第一部分的横截面包括问隔且对称分布的至少两个第一区域，所述第二部分的横截面包括第二区域和第三区域，所述第二区域分布于所述第一部分的横截面远离所述漂移层的一侧，所述第三区域分布于相邻两个所述第一区域之间。
4.根...
【技术特征摘要】
1.一种氧化镓肖特基二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的氧化镓肖特基二极管，其特征在于，所述第一部分远离所述漂移层的一侧生长有第一金属层且通过所述第一金属层与所述第二部分接触，所述第二部分远离所述漂移层的一侧生长有第二金属层；
3.根据权利要求1所述的氧化镓肖特基二极管，其特征在于，在所述氧化镓肖特基二极管的至少一个横截面中，所述第一部分的横截面包括问隔且对称分布的至少两个第一区域，所述第二部分的横截面包括第二区域和第三区域，所述第二区域分布于所述第一部分的横截面远离所述漂移层的一侧，所述第三区域分布于相邻两个所述第一区域之间。
4.根据权利要求3所述的氧化镓肖特基二极管，其特征在于，相邻两个所述第一区域的间隔在100纳米至10微米之间；
5.根据权利要求4所述的氧化镓肖特基二极管，...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐光伟，李秋艳，郝伟兵，向学强，龙世兵，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：
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