【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体上涉及碳化硅粉末的生产，并且更具体地涉及通过使石墨粉末与硅蒸气在真空条件下反应来生产碳化硅粉末的系统和方法。
技术介绍
1、通常用艾奇逊(acheson)方法生产的碳化硅(sic)粉末已经在多种工业中使用了数十年。艾奇逊方法涉及在炉中加热二氧化硅(sio2；例如硅土、石英砂、粘土)和碳(例如粉末状焦炭)的混合物。使二氧化硅在石墨棒周围熔化以形成芯。使电流通过石墨棒，这将混合物加热到1700℃至2500℃。发生了在石墨棒周围产生碳化硅层并释放一氧化碳(co)的碳热反应。
2、艾奇逊方法具有几个缺点。例如，显著的温度要求导致能量浪费和相对大的环境/碳足迹。此外，该方法是分批方法，这增加了低效率和能量浪费。该方法的再一个缺点是所产生的sic颗粒的大小不容易控制并且因此通常需要进一步处理以用于颗粒大小调节或精制。
3、因此，需要能够以减少的能量浪费、降低的生产成本、提高的效率和/或提高的产品质量生产碳化硅粉末的系统和方法。此外，结合附图以及前述
和
技术介绍
，本专利技术的其他期望的特征和特点将根据后续具体实施方式和所附权利要求书变得明显。
技术实现思路
1、提供本
技术实现思路
以便以简化形式描述所选概念，这些概念在具体实施方式中进一步描述。本
技术实现思路
不旨在识别要求保护的主题的关键特征或基本特征，也不旨在用于帮助确定要求保护的主题的范围。
2、提供了一种用于生产碳化硅的系统。该系统包括：外壳，该外壳被配置成维持在真空条件下且处于高于硅的
3、提供了一种用于生产碳化硅的方法。该方法包括：将外壳维持在真空条件下且处于高于硅的熔化温度的处理温度，向该外壳供应硅蒸气，将石墨粉末的料流提供到该外壳中，将该石墨粉末在该外壳内保持足以使该石墨粉末与该硅蒸气反应以产生碳化硅粉末的处理时间，以及将该碳化硅粉末的料流提供到该外壳之外。
4、另外，根据随后的具体实施方式和所附权利要求书，结合附图和前述
技术介绍
，该系统和方法的其他期望的特征和特性将变得显而易见。
【技术保护点】
1.一种系统，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述输送系统被配置成致使所述石墨粉末下落穿过所述外壳，同时使所述石墨粉末与所述硅蒸气接触。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述输送系统包括斜槽，并且所述输送系统被配置成致使所述石墨粉末在所述外壳内沿着所述斜槽滑动，同时使所述石墨粉末与所述硅蒸气接触。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述输送系统包括传送带，并且所述输送系统被配置成致使所述石墨粉末在所述外壳内沿着所述传送带行进，同时使所述石墨粉末与所述硅蒸气接触。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述输送系统包括被配置成使所述外壳旋转的设备，并且所述输送系统被配置成致使所述石墨粉末在所述外壳旋转期间在所述外壳内从所述外壳的第一端转移到所述外壳的第二端，同时使所述石墨粉末与所述硅蒸气接触。
6.一种方法，包括：
7.根据权利要求6所述的方法，还包括致使所述石墨粉末下落穿过所述外壳，同时与所述硅蒸气接触。
8.根据权利要求6所述的方法，还包括使所述石墨粉末在所述外壳内沿着斜槽滑动，同时使所
9.根据权利要求6所述的方法，还包括在所述外壳内沿着传送带输送所述石墨粉末，同时使所述石墨粉末与所述硅蒸气接触。
10.根据权利要求6所述的方法，还包括使所述外壳旋转，从而致使所述石墨粉末从所述外壳的第一端转移到所述外壳的第二端，同时使所述石墨粉末与所述硅蒸气接触。
...【技术特征摘要】
1.一种系统，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述输送系统被配置成致使所述石墨粉末下落穿过所述外壳，同时使所述石墨粉末与所述硅蒸气接触。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述输送系统包括斜槽，并且所述输送系统被配置成致使所述石墨粉末在所述外壳内沿着所述斜槽滑动，同时使所述石墨粉末与所述硅蒸气接触。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述输送系统包括传送带，并且所述输送系统被配置成致使所述石墨粉末在所述外壳内沿着所述传送带行进，同时使所述石墨粉末与所述硅蒸气接触。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述输送系统包括被配置成使所述外壳旋转的设备，并且所述输送系统被配置成致使所述石墨粉末在所述外壳...
【专利技术属性】
技术研发人员：迈赫拉德·梅尔，巴赫拉姆·杰迪迪安，
申请(专利权)人：霍尼韦尔国际公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。