Hg3AsSe4Br、Hg3AsSe4I非线性光学晶体及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及Hg<subgt;3</subgt;AsSe<subgt;4</subgt;Br、Hg<subgt;3</subgt;AsSe<subgt;4</subgt;I非线性光学晶体及其制备方法和应用。所述Hg<subgt;3</subgt;AsSe<subgt;4</subgt;Br、Hg<subgt;3</subgt;AsSe<subgt;4</subgt;I非线性光学晶体属于六方晶系，空间群为P6<subgt;3</subgt;mc，晶胞参数为α＝β＝90°，γ＝120°，z＝2。该非线性光学晶体可使用高温熔体法或者化学气相输运法制备。该晶体具有红外透过范围宽、非线性光学效应大、机械性能好、易于加工等优点，可在各种非线性光学领域中得到广泛应用，并将开拓在中红外波段的应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功能晶体材料领域，具体涉及hg3asse4br、hg3asse4i非线性光学晶体及其制备方法和应用。

技术介绍

1、中红外激光(2.5～25μm)尤其是处于8～14μm的长波红外可调谐激光在军事和民用方面都有非常重要的应用，比如激光制导、红外遥感、医疗诊断、环境监测等。目前利用非线性光学方法获得长波红外激光所使用的实用化非线性光学晶体材料主要是aggas2、aggase2、zngep2。这些晶体都具有各自的优缺点：aggas2晶体可以采用nd：yag(1064nm)激光泵浦，在长波红外波段透过率高，且可以实现相位匹配，但热导率低，激光损伤阈值较低；aggase2具有比较大的非线性光学系数，在长波红外波段透过率高，在长波红外波段可以实现相位匹配，但在1μm波段双折射率太小，不能实现相位匹配，不能用nd：yag(1064nm)激光泵浦，热导率低，激光损伤阈值低；zngep2具有很大的非线性系数，热导率大，激光损伤阈值较大，但在1-2μm波段双光子吸收严重，不能用nd：yag(1064nm)激光泵浦，且不适用于9μm以上波段。因此，探索兼具大非线性本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种非线性光学晶体，其中，所述晶体的化学式为Hg3AsSe4Br或Hg3AsSe4I。

2.根据权利要求1所述的非线性光学晶体，其中，所述晶体均属于六方晶系，其空间群为P63mc，晶胞参数为α＝β＝90°，γ＝120°，z＝2；

3.权利要求1或2所述非线性光学晶体的制备方法，包括：将Hg源材料、As源材料、Se源材料、与Br源材料或I源材料混合，研磨，高温煅烧，得到所述非线性光学晶体；例如，所述Hg源材料、As源材料、Se源材料、与Br源材料或I源材料的摩尔比为＝3∶1∶(4～5)∶2。

4.根据权利要求3所述非线性光学晶体的制备方法，其中，所述...

【技术特征摘要】

1.一种非线性光学晶体，其中，所述晶体的化学式为hg3asse4br或hg3asse4i。

2.根据权利要求1所述的非线性光学晶体，其中，所述晶体均属于六方晶系，其空间群为p63mc，晶胞参数为α＝β＝90°，γ＝120°，z＝2；

3.权利要求1或2所述非线性光学晶体的制备方法，包括：将hg源材料、as源材料、se源材料、与br源材料或i源材料混合，研磨，高温煅烧，得到所述非线性光学晶体；例如，所述hg源材料、as源材料、se源材料、与br源材料或i源材料的摩尔比为＝3∶1∶(4～5)∶2。

4.根据权利要求3所述非线性光学晶体的制备方法，其中，所述hg源材料为hgse，所述as源材料为as单质，所述se源材料为se单质，所述br源材料为hgbr2，所述i源材料为hgi2。

5.根据权利要求3所述非线性光学晶体的...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶宁，陈金东，彭广，杨光赛，
申请(专利权)人：天津理工大学，
类型：发明
国别省市：