一种基于四硫富瓦烯核的二维导电金属有机框架材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于四硫富瓦烯核的二维导电金属有机框架材料及其制备方法，含四硫富瓦烯核的二维导电金属有机框架材料，简称M‑TTF MOFs(M＝Cu，Co，Ni或Fe中的一种)，四硫富瓦烯核结构引入二维导电金属有机框架中，由于四硫富瓦烯核独特的电子结构和氧化还原特性，所制备的含四硫富瓦烯核的M‑TTF MOFs材料具有良好的电学导电性和优异的电化学活性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶态多孔材料，尤其涉及一种基于四硫富瓦烯核的二维导电金属有机框架材料及其制备方法。

技术介绍

1、金属有机框架材料(metal-organic frameworks,mofs)是由金属离子或者金属簇与有机配体通过配位键形成的一类周期有序的有机无机杂化多孔材料。mofs材料具有多样的拓扑结构，大的比表面积和永久的孔隙率等优点，其被广泛应用在储能、分离、载药、催化及生物成像等领域。

2、传统的mofs材料由于缺乏有效的电子传输路径，导致其大多为绝缘材料，这大大限制了其在电学相关领域的应用。近几年，二维导电金属有机框架(two-dimensionalconductive metal-organic frameworks,2d c-mofs)作为一种新兴的mofs材料受到科研工作者广泛关注。2d c-mofs是由过渡金属离子与邻位取代的共轭有机配体通过mx4平面正方形配位得到的二维共轭结构。因其具有类石墨烯二维层状结构，2d c-mofs在保留传统mofs的多孔性、结构多样性等优点的同时，还表现出高的本征导电性和电子迁移率等。目前已报道的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于四硫富瓦烯核的二维导电金属有机框架材料，简称M-TTF MOFs，其特征在于，其结构式如式III所示：

2.根据权利要求1所述的一种基于四硫富瓦烯核的二维导电金属有机框架材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

3.根据权利要求2所述的一种基于四硫富瓦烯核的二维导电金属有机框架材料的制备方法，其特征在于，所述2,3,6,7-四(3,4-二羟基苯基)四硫富瓦烯的制备方法包括如下步骤：

【技术特征摘要】

1.一种基于四硫富瓦烯核的二维导电金属有机框架材料，简称m-ttf mofs，其特征在于，其结构式如式iii所示：

2.根据权利要求1所述的一种基于四硫富瓦烯核的二维导电金属有机框架材料的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘婧娟，秦兵兵，梁宸，王羚毓，
申请(专利权)人：天津理工大学，
类型：发明
国别省市：