【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光通信，尤其涉及一种折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片。
技术介绍
1、具有低半波电压的紧凑型薄膜铌酸锂电光调制器在高速光通信、光传感以及微波光子学等方面具有非常多的应用。
2、当前现有方式通过延长薄膜铌酸锂电光调制器芯片的长度来降低电光调制器的驱动电压，但是，为了满足低半波电压，当前薄膜铌酸锂电光调制器通常需要较长的调制长度，使得芯片尺寸较大，不利于片上大规模集成，限定了电光调制器的性能。
3、上述内容仅用于辅助理解本专利技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供了一种折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片，旨在解决现有技术为了满足低半波电压，当前薄膜铌酸锂电光调制器通常需要较长的调制长度，使得芯片尺寸较大，不利于片上大规模集成，限定了电光调制器的性能的技术问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片，所述折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片包括：电极结构、上臂波导以及下臂波导；
3、所述电极结构存在弯折区，在所述弯折区中的电极结构弯曲；
4、所述上臂波导和所述下臂波导均设置于所述电极结构中，且在所述弯折区中对应弯曲；
5、其中，所述电极结构中间存在方向相反的第一电场和第二电场；
6、所述上臂波导设于所述第一电场中，所述下臂波导设于所述第二电场中。
7、可选地，所
8、所述输入调制区以及所述输出调制区均包括：第一信号电极、第二信号电极、第一地电极、第二地电极以及第三地电极；
9、所述第一信号电极、所述第二信号电极、所述第一地电极、所述第二地电极以及所述第三地电极为所述电极结构，所述输入调制区中的电极结构与所述输出调制区中的电极结构位置一致；
10、所述输入调制区中的所述第一信号电极、所述第二信号电极、所述第一地电极、所述第二地电极以及所述第三地电极在所述弯折区中进行弯曲后进入所述输出调制区；
11、在所述输入调制区中，所述上臂波导设于所述第一信号电极与所述第一地电极之间，所述下臂波导设于所述第二信号电极与所述第二地电极之间；
12、在所述弯折区中，所述上臂波导与所述下臂波导均弯曲后进入所述输出调制区；
13、在所述输出调制区中，所述上臂波导经过弯曲后进入所述第一信号电极与所述第一地电极之间，所述下臂波导经过弯曲后进入所述第二信号电极与所述第二地电极之间。
14、可选地，所述弯折区包括：第一弯折区、过渡调制区以及第二弯折区；
15、其中，所述输入调制区的电极结构与所述过渡调制区的电极结构在传输方向上对称，所述第一弯折区中的电极结构与所述第二弯折区中的电极结构在所述传输方向的垂直方向上对称；
16、所述输入调制区中的所述第一信号电极、所述第二信号电极、所述第一地电极、所述第二地电极以及所述第三地电极在所述第一弯折区中进行弯曲后进入所述过渡调制区；
17、所述过渡调制区中的所述第一信号电极、所述第二信号电极、所述第一地电极、所述第二地电极以及所述第三地电极在所述第二弯折区中进行弯曲后进入所述输出调制区；
18、在所述第一弯折区中，所述上臂波导向所述第一信号电极与所述第二地电极之间弯曲，所述下臂波导向所述第二信号电极与所述第三地电极之间进行弯曲；
19、在所述过渡调制区中，所述上臂波导经过弯曲后进入所述第一信号电极与所述第二地电极之间，所述下臂波导经过弯曲后进入所述第二信号电极与所述第三地电极之间；
20、在所述第二弯折区中，所述上臂波导向所述第一信号电极与所述第一地电极之间弯曲，所述下臂波导向所述第二信号电极与所述第二地电极之间进行弯曲。
21、可选地，所述第一信号电极，用于通过所述第一电场调整所述上臂波导的折射率，对所述上臂波导中的第一路光信号的相位进行调整；
22、所述第二信号电极，用于通过所述第二电场调整所述下臂波导的折射率，对所述下臂波导中的第二路光信号的相位进行调整，以使所述第一路光信号与所述第二路光信号存在相位差。
23、可选地，所述电光调制器还包括：输入波导、分束器、第一弯曲波导以及第二弯曲波导；
24、所述输入波导与所述分束器的第一端连接；
25、所述分束器的第二端分别与所述第一弯曲波导以及所述第二弯曲波导连接；
26、所述第一弯曲波导与所述上臂波导连接，所述第二弯曲波导与所述下臂波导连接；
27、所述分束器，用于将所述输入波导传输的光信号转换为第一路光信号以及第二路光信号；
28、所述分束器，还用于将所述第一路光信号通过所述第一弯曲波导传输至所述上臂波导，将所述第二路光信号通过所述第二弯曲波导传输至所述下臂波导。
29、可选地，所述电光调制器还包括：第三弯曲波导、第四弯曲波导、合束器以及输出波导；
30、所述第三弯曲波导分别与所述上臂波导以及所述合束器的第一端连接；
31、所述第四弯曲波导分别与所述下臂波导以及所述合束器的第一端连接；
32、所述合束器的第二端与所述输出波导连接；
33、所述合束器，用于接收所述上臂波导通过所述第三弯曲波导传输的调整后第一路光信号，以及接收所述下臂波导通过所述第四弯曲波导传输的调整后第二路光信号；
34、所述合束器，还用于对所述调整后第一路光信号和所述调整后第二路光信号进行合路，输出单路光信号。
35、可选地，所述折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片还包括：衬底层、折射率埋层、薄膜铌酸锂、第一折射率上包层以及第二折射率上包层；
36、所述折射率埋层设于所述衬底层上方；
37、所述薄膜铌酸锂设于所述折射率埋层上方；
38、所述第一折射率上包层设于所述薄膜铌酸锂上方；
39、所述第一信号电极、所述第二信号电极、所述第一地电极、所述第二地电极以及所述第三地电极均设于所述第一折射率上包层上方；
40、所述第二折射率上包层设于所述第一折射率上包层上方，且包覆所述第一信号电极、所述第二信号电极、所述第一地电极、所述第二地电极以及所述第三地电极；
41、其中，所述上臂波导和所述下臂波导均在所述第一折射率上包层中设于所述薄膜铌酸锂表面，且所述上臂波导设于所述第一信号电极与所述第一地电极之间，所述下臂波导设于所述第二信号电极与所述第二地电极之间。
42、可选地，在所述第一弯折区中，所述上臂波导与所述下臂波导交叉，向所述第二信号电极与所述第二地电极之间弯曲，所述下臂波导与所述上臂波导交叉，向所述第一信号电极与所述第一地电极之间进行弯曲；
43、在所述过渡调制区中，所述上臂波导经过弯本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于，所述折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片包括：电极结构、上臂波导以及下臂波导；
2.如权利要求1所述的折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于，所述折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片还包括：输入调制区以及输出调制区；
3.如权利要求2所述的折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于，所述弯折区包括：第一弯折区、过渡调制区以及第二弯折区；
4.如权利要求3所述的折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于，所述第一信号电极，用于通过所述第一电场调整所述上臂波导的折射率，对所述上臂波导中的第一路光信号的相位进行调整；
5.如权利要求2所述的折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于，所述电光调制器还包括：输入波导、分束器、第一弯曲波导以及第二弯曲波导；
6.如权利要求5所述的折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于，所述电光调制器还包括：第三弯曲波导、第四弯曲波导、合束器以及输出波导；
7.
8.如权利要求3所述的折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于，在所述第一弯折区中，所述上臂波导与所述下臂波导交叉，向所述第二信号电极与所述第二地电极之间弯曲，所述下臂波导与所述上臂波导交叉，向所述第一信号电极与所述第一地电极之间进行弯曲；
9.如权利要求3至7任一项所述的折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于，所述折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片还包括：若干设有电极对的第一微电极结构，以及若干设有电极对的第二微电极结构；
10.一种光通信系统，其特征在于，所述光通信系统包括如权利要求1至9任一项所述的折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片。
...【技术特征摘要】
1.一种折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于，所述折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片包括：电极结构、上臂波导以及下臂波导；
2.如权利要求1所述的折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于，所述折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片还包括：输入调制区以及输出调制区；
3.如权利要求2所述的折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于，所述弯折区包括：第一弯折区、过渡调制区以及第二弯折区；
4.如权利要求3所述的折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于，所述第一信号电极，用于通过所述第一电场调整所述上臂波导的折射率，对所述上臂波导中的第一路光信号的相位进行调整；
5.如权利要求2所述的折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于，所述电光调制器还包括：输入波导、分束器、第一弯曲波导以及第二弯曲波导；
6.如权利要求5所述的折叠型双驱动差分薄膜铌酸锂电光调制器芯片，其特征在于...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。